chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip Infineon

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Sử dụng IC điều khiển tiêu chuẩn để tạo thiên vị cổng âm cho MOSFET và IGBT

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Sử dụng IC điều khiển tiêu chuẩn để tạo thiên vị cổng âm cho MOSFET và IGBT

Tên thương hiệu:	Infineon Chip
Số mô hình:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Chi tiết đóng gói:	2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

người mẫu:

IR21814STRPBF

Tên sản phẩm:

Chip Infineon

Kiểu:

SMD/SMT

Dòng điện đầu ra:

1,8 MỘT

Điện áp cung cấp:

10V- 20V

Nhiệt độ hoạt động:

- 40°C ~ + 125°C

Khả năng cung cấp:

100000

Làm nổi bật:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

IC điều khiển tiêu chuẩn Gate Driver

Mô tả sản phẩm

Chip IR21814STRPBF của Infineon Sử dụng IC Điều khiển Tiêu chuẩn để Tạo Điện áp Cổng Âm cho MOSFET và IGBT

Sử dụng IC Điều khiển Tiêu chuẩn để Tạo Điện áp Cổng Âm cho MOSFET và IGBT

Giới thiệu

Về bản chất, cả MOSFET và IGBT đều không yêu cầu điện áp âm trên cổng. Đặt điện áp cổng bằng không

khi tắt đảm bảo hoạt động bình thường và hầu như cung cấp điện áp âm so với điện áp ngưỡng của

thiết bị. Điện áp cổng âm không ảnh hưởng đáng kể đến tốc độ chuyển mạch, trái ngược với transistor lưỡng cực.

Tuy nhiên, có những trường hợp cần đến mạch điều khiển cổng âm:

• Nhà sản xuất chất bán dẫn chỉ định điện áp cổng âm cho thiết bị

• Khi điện áp cổng không thể giữ an toàn dưới điện áp ngưỡng do nhiễu được tạo ra trong

mạch.

Mặc dù sẽ có đề cập đến IGBT, thông tin chứa trong đó cũng áp dụng tương tự cho MOSFET công suất

hoặc MOSFET Silicon Carbide (SiC).

Đặc tính Cổng DC

Điện áp ngưỡng tối thiểu đối với hầu hết các IGBT là 3V ở nhiệt độ phòng. Hệ số nhiệt độ của

điện áp ngưỡng luôn âm; nhiệt độ mối nối tăng dẫn đến điện áp ngưỡng giảm. Nếu

nhiệt độ mối nối tăng từ 25°C lên 150°C, và hệ số nhiệt độ là -11 mV/°C, thì

điện áp ngưỡng giảm 1,4V. Do đó, có thể dự kiến điện áp ngưỡng là 1,6V ở nhiệt độ cao và

điều kiện xấu nhất.

Hoạt động Động

Vấn đề phát sinh khi điện áp tăng nhanh giữa các cực collector-emitter của IGBT.

Trong quá trình quá độ, điện dung cổng-collector (Miller) cung cấp điện tích cho cổng, làm tăng điện áp cổng.

Độ cao và độ rộng của 'xung' điện áp tại cổng được xác định bởi tỷ lệ giữa điện dung cổng-collector

và cổng-emitter, trở kháng của mạch điều khiển được kết nối với cổng, và dV/dt được áp dụng

giữa các cực collector-emitter.

Các điện dung bên trong được cung cấp trên bảng dữ liệu. Lưu ý rằng điện dung Miller của IGBT nhỏ hơn

so với MOSFET có công suất tương đương, do kích thước die nhỏ hơn.

Trở kháng đến cổng có thể được giảm thiểu bằng cách chọn IC Điều khiển có trở kháng thấp và giảm thiểu

điện cảm ký sinh trong vòng lặp điều khiển.

dV/dt có thể được đặt ở giá trị tối ưu (nhiễu so với tổn thất) bằng cách chọn giá trị phù hợp của điện trở cổng nối tiếp.

Điện trở cổng nối tiếp chỉ ảnh hưởng đến tốc độ bật của IGBT, tốc độ tắt phần lớn được xác định

bởi chính IGBT. Một diode song song, với cực dương hướng về cổng, mắc song song với điện trở cổng cũng

được khuyến nghị. Diode bị phân cực ngược khi bật nhưng giữ điện áp cổng ở mức thấp khi tắt, và trong

trạng thái tắt.

IC Điều khiển phải có chân tham chiếu được tách biệt về điện cho đầu ra điều khiển cổng. Chân này nên được

kết nối trực tiếp với cực emitter của IGBT, hoặc cực Kelvin của mô-đun IGBT. Điện áp cổng và

emitter sau đó sẽ trôi nổi trên nhiễu được tạo ra bởi dây nối đất dòng điện cao, nhưng sự khác biệt

giữa hai điện áp (điện áp điều khiển hiệu dụng) sẽ không bị nhiễu.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Sử dụng IC điều khiển tiêu chuẩn để tạo thiên vị cổng âm cho MOSFET và IGBT

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI