Ürün ayrıntıları

Evde Ürün

Infineon Çip

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver MOSFET'ler ve IGBT'ler için Negatif Gate Bias Üretmek Üzere Standart Kontrol IC'lerini Kullanır

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Bizimle İletişim

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Şimdi iletişime geçin

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver MOSFET'ler ve IGBT'ler için Negatif Gate Bias Üretmek Üzere Standart Kontrol IC'lerini Kullanır

Marka Adı:	Infineon Chip
Model Numarası:	IR21814STRPBF
Adedi:	2500
Paketleme Detayları:	2500 adet/makara
Ödeme Koşulları:	T/T

Detay Bilgisi

Ürün Açıklaması

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Belge:

modeli:

IR21814STRPBF

Ürün adı:

Infineon Çip

SMD/SMT

Çıkış akımı:

1,8 bir

Besleme Gerilimi:

10V-20V

Çalışma Sıcaklığı:

- 40 °C ~ + 125 °C

Yetenek temini:

100000

Vurgulamak:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

Standart Kontrol IC Gate Driver

Ürün Açıklaması

MOSFET'ler ve IGBT'ler için Negatif Gate Bias Üretmek Üzere Standart Kontrol IC'lerini Kullanma

Giriş

Doğası gereği ne MOSFET ne de IGBT, gate üzerinde negatif bias gerektirir. Gate voltajını sıfıra ayarlamak

kapanma sırasında düzgün çalışmayı sağlar ve eşik voltajına göre sanal olarak negatif bias sağlar.

cihaz. Negatif gate bias, bipolar transistörün aksine, anahtarlama hızını önemli ölçüde etkilemez.

Ancak, negatif gate sürüşünün gerekli olduğu durumlar vardır:

•Yarı iletken üreticisi cihaz için negatif gate bias belirtir

•Gürültü nedeniyle gate voltajı eşik voltajının altında güvenli bir şekilde tutulamazsa

devre.

IGBT'lere atıfta bulunulacak olsa da, içerilen bilgiler güç MOSFET'leri için eşit derecede geçerlidir

veya Silikon Karbür (SiC) MOSFET'ler.

DC Gate Karakteristikleri

Çoğu IGBT için minimum eşik voltajı oda sıcaklığında 3V'tur. Sıcaklık katsayısı

eşik voltajı her zaman negatiftir; artan eklem sıcaklığı azalan eşik voltajına neden olur. Eğer

eklem sıcaklığı 25°C'den 150°C'ye yükselir ve sıcaklık katsayısı -11 mV/°C ise, o zamaneşik voltajı 1.4V azalır. Böylece, yüksek sıcaklıkta ve

en kötü durum koşulları.

Dinamik Çalışma

Sorun, IGBT'nin kollektör-yayıcı terminalleri arasındaki voltaj hızla arttığında ortaya çıkar.

Geçici sırasında, gate-kollektör (Miller) kapasitansı gate'e yük iletir ve gate voltajını artırır.

Gate'teki voltaj 'blip'inin yüksekliği ve genişliği, gate-kollektör oranına bağlıdır

ve gate-yayıcı kapasitansları, gate'e bağlı sürücü devresinin empedansı ve uygulanan dV/dt

kollektör-yayıcı terminaller arasındaki.

Dahili kapasitanslar veri sayfasında verilmiştir. IGBT'nin Miller kapasitansının daha küçük olduğunu unutmayın

benzer dereceli bir MOSFET'ten, daha küçük kalıp boyutu nedeniyle.

Gate'e giden empedans, düşük empedanslı bir Kontrol IC'si seçilerek ve

sürücü döngüsündeki kaçak endüktansı.

dV/dt, uygun seri gate değeri seçilerek optimum bir değere (gürültüye karşı kayıplar) ayarlanabilir.

direnç. Seri gate direnci yalnızca IGBT'nin açılma hızını etkiler, kapanma hızı büyük ölçüde

IGBT'nin kendisi tarafından belirlenir. Gate direncinin karşısına, anot gate'e doğru olan bir paralel diyot da

önerilir. Diyot, açılma sırasında ters biaslıdır ancak kapanma sırasında ve kapalıyken gate'i aşağıda tutar.

durum.

Kontrol IC'si, gate sürücü çıkışı için elektriksel olarak ayrılmış bir referans pinine sahip olmalıdır. Bu pin

doğrudan IGBT'nin yayıcı terminaline veya IGBT modülünün Kelvin terminaline bağlanmalıdır. Gate ve

yayıcı voltajları daha sonra yüksek akım topraklama kablolarının ürettiği gürültünün üzerinde yüzer, ancak

iki voltaj arasındaki fark (etkin sürüş voltajı) gürültüden arındırılmıştır.

Etiketler:

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Ürün ayrıntıları

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver MOSFET'ler ve IGBT'ler için Negatif Gate Bias Üretmek Üzere Standart Kontrol IC'lerini Kullanır

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri