Name: IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Usando Circuitos de Controle Padrão para Gerar Polarização Negativa de Gate para MOSFETs e IGBTs
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IR21814STRPBF
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IR21814STRPBF
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

infineon-using-standard-con...en.pdf

modelo:

IR21814STRPBF

Nome do produto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corrente de saída:

1.8 A

Tensão de alimentação:

10V-20V

Temperatura operacional:

- 40 °C ~ + 125 °C

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

Driver de Gate de Circuito de Controle Padrão

Descrição do produto

Infineon Chip IR21814STRPBF Usando Circuitos Integrados de Controle Padrão para Gerar Polarização Negativa de Gate para MOSFETs e IGBTs

Usando Circuitos Integrados de Controle Padrão para Gerar Polarização Negativa de Gate para MOSFETs e IGBTs

Introdução

Intrinsecamente, nem o MOSFET nem o IGBT requerem polarização negativa no gate. Definir a tensão do gate para zero

na desativação garante a operação adequada e virtualmente fornece polarização negativa em relação à tensão de limiar do

dispositivo. A polarização negativa do gate não afeta significativamente a velocidade de comutação, ao contrário do transistor bipolar.

No entanto, existem circunstâncias em que uma acionamento de gate negativo é necessário:

•O fabricante do semicondutor especifica polarização negativa de gate para o dispositivo

•Quando a tensão do gate não pode ser mantida com segurança abaixo da tensão de limiar devido a ruído gerado no

circuito.

Embora referências sejam feitas a IGBTs, as informações contidas são igualmente aplicáveis a MOSFETs de potência

ou MOSFETs de Carboneto de Silício (SiC).

Características de Gate DC

A tensão de limiar mínima para a maioria dos IGBTs é de 3V à temperatura ambiente. O coeficiente de temperatura da

tensão de limiar é sempre negativo; o aumento da temperatura da junção resulta na diminuição da tensão de limiar. Se

a temperatura da junção aumentar de 25°C para 150°C, e o coeficiente de temperatura for de -11 mV/°C, então atensão de limiar diminui em 1,4V. Assim, uma tensão de limiar de 1,6V pode ser esperada em alta temperatura e

condições de pior caso.

Operação Dinâmica

O problema surge quando a tensão aumenta rapidamente entre os terminais coletor-emissor do IGBT.

Durante a transiente, a capacitância gate-coletor (Miller) entrega carga ao gate, aumentando a tensão do gate.

A altura e a largura do 'pico' de tensão no gate são determinadas pela razão das capacitâncias gate-coletor

e gate-emissor, a impedância do circuito de acionamento conectado ao gate e o dV/dt aplicado

entre os terminais coletor-emissor.

As capacitâncias internas são fornecidas na folha de dados. Observe que a capacitância Miller do IGBT é menor que

a de um MOSFET com classificação semelhante, devido ao menor tamanho do die.

A impedância para o gate pode ser minimizada selecionando um Circuito Integrado de Controle de baixa impedância e minimizando a

indutância parasita no loop de acionamento.

O dV/dt pode ser ajustado para um valor ótimo (ruído versus perdas) selecionando o valor adequado do resistor de gate em série.

O resistor de gate em série afeta apenas a velocidade de ativação do IGBT, a velocidade de desativação é em grande parte

determinada pelo próprio IGBT. Um diodo paralelo, com o ânodo voltado para o gate, em paralelo com o resistor de gate também é

recomendado. O diodo é polarizado reversamente na ativação, mas mantém o gate baixo na desativação e durante o estado

desligado.

O Circuito Integrado de Controle deve ter um pino de referência eletricamente separado para a saída de acionamento do gate.

Este pino deve ser conectado diretamente ao terminal emissor do IGBT, ou ao terminal Kelvin do módulo IGBT.

As tensões do gate e do emissor flutuam no topo do ruído gerado pela fiação de terra de alta corrente, mas a

diferença entre as duas tensões (a tensão de acionamento efetiva) está livre de ruído.

Etiquetas:

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