details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IR21814STRPBF Infineon-gate-driver met behulp van standaardcontrole-IC's om negatieve gate-bias te genereren voor MOSFET's en IGBT's

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IR21814STRPBF Infineon-gate-driver met behulp van standaardcontrole-IC's om negatieve gate-bias te genereren voor MOSFET's en IGBT's

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IR21814STRPBF

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

SMD/SMT

Uitgangsstroom:

1.8 A

Voedingsspanning:

10 V- 20 V

Bedrijfstemperatuur:

- 40 °C ~ + 125 °C

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

Standaard besturings-IC-poortdriver

Productbeschrijving

Infineon Chip IR21814STRPBF Gebruikt Standaard Control IC's om Negatieve Gate Bias te Genereren voor MOSFETs en IGBTs

Gebruikt Standaard Control IC's om Negatieve Gate Bias te Genereren voor MOSFETs en IGBTs

Introductie

Van nature vereist noch de MOSFET noch de IGBT een negatieve bias op de gate. Het instellen van de gate spanning op nul

bij uitschakelen verzekert een correcte werking en zorgt virtueel voor een negatieve bias ten opzichte van de drempelspanning van de

component. Negatieve gate spanning heeft geen significante invloed op de schakelsnelheid, in tegenstelling tot de bipolaire transistor.

Er zijn echter omstandigheden waarin een negatieve gate drive noodzakelijk is:

• De halfgeleiderfabrikant specificeert negatieve gate bias voor de component

• Wanneer de gate spanning niet veilig onder de drempelspanning kan worden gehouden vanwege ruis die wordt gegenereerd in de

schakeling.

Hoewel er wordt verwezen naar IGBT's, is de verstrekte informatie evenzeer van toepassing op power MOSFET's

of Silicon Carbide (SiC) MOSFET's.

DC Gate Kenmerken

De minimale drempelspanning voor de meeste IGBT's is 3V bij kamertemperatuur. Het temperatuurcoëfficiënt van de

drempelspanning is altijd negatief; een toenemende junctietemperatuur resulteert in een afnemende drempelspanning. Als

de junctietemperatuur stijgt van 25°C tot 150°C, en het temperatuurcoëfficiënt is -11 mV/°C, dan daalt de drempelspanning met 1,4V. Aldus kan een drempelspanning van 1,6V worden verwacht bij hoge temperatuur en

worst-case omstandigheden.

Dynamische Werking

Het probleem ontstaat wanneer de spanning snel toeneemt tussen de collector-emitter terminals van de IGBT.

Tijdens de transiënt levert de gate-collector (Miller) capaciteit lading aan de gate, waardoor de gate spanning toeneemt.

De hoogte en breedte van de spannings-'blip' op de gate worden bepaald door de verhouding van de gate-collector

en gate-emitter capaciteiten, de impedantie van het drive circuit aangesloten op de gate, en de toegepaste dV/dt

tussen de collector-emitter terminals.

De interne capaciteiten worden gegeven op het datasheet. Merk op dat de Miller capaciteit van de IGBT kleiner is dan

een vergelijkbaar beoordeelde MOSFET, vanwege de kleinere die grootte.

De impedantie naar de gate kan worden geminimaliseerd door een Control IC met lage impedantie te selecteren en door het minimaliseren van de

stray inductie in de drive loop.

De dV/dt kan worden ingesteld op een optimale waarde (ruis versus verliezen) door de juiste waarde van de series gate

weerstand te selecteren. De series gate weerstand beïnvloedt alleen de inschakelsnelheid van de IGBT, de uitschakelsnelheid wordt grotendeels

bepaald door de IGBT zelf. Een parallelle diode, met de anode naar de gate gericht, over de gate weerstand is ook

aanbevolen. De diode is omgekeerd gebiasd bij het inschakelen, maar houdt de gate laag bij het uitschakelen, en tijdens de uit

stand.

De Control IC moet een elektrisch gescheiden referentiepin hebben voor de gate drive output. Deze pin moet

direct worden aangesloten op de emitter terminal van de IGBT, of de Kelvin terminal van de IGBT module. De gate en

de emitter spanningen zweven dan bovenop de ruis die wordt gegenereerd door hoogstroom aardingsbedrading, maar het

verschil tussen de twee spanningen (de effectieve drive spanning) is vrij van de ruis.

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IR21814STRPBF Infineon-gate-driver met behulp van standaardcontrole-IC's om negatieve gate-bias te genereren voor MOSFET's en IGBT's

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips