logo
ভালো দাম  অনলাইন

পণ্যের বিবরণ

Created with Pixso. বাড়ি Created with Pixso. পণ্য Created with Pixso.
ইনফাইনন চিপ
Created with Pixso.

IR21814STRPBF ইনফিনিয়ন গেট ড্রাইভার স্ট্যান্ডার্ড কন্ট্রোল আইসি ব্যবহার করে MOSFETs এবং IGBTs এর জন্য নেতিবাচক গেট পক্ষপাত তৈরি করে

IR21814STRPBF ইনফিনিয়ন গেট ড্রাইভার স্ট্যান্ডার্ড কন্ট্রোল আইসি ব্যবহার করে MOSFETs এবং IGBTs এর জন্য নেতিবাচক গেট পক্ষপাত তৈরি করে

ব্র্যান্ডের নাম: Infineon Chip
মডেল নম্বর: IR21814STRPBF
MOQ: 2500
প্যাকেজিং বিবরণ: 2500PCS/রিল
পেমেন্ট শর্তাবলী: টি/টি
বিস্তারিত তথ্য
উৎপত্তি স্থল:
চীন
মডেল:
IR21814STRPBF
পণ্যের নাম:
ইনফাইনন চিপ
টাইপ:
এসএমডি/এসএমটি
আউটপুট বর্তমান:
1.8 ক
সরবরাহ ভোল্টেজ:
10 V- 20 V
অপারেটিং তাপমাত্রা:
- 40 °C ~ + 125 °C
যোগানের ক্ষমতা:
100000
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

IR21814STRPBF

,

IR21814S ইনফিনিয়ন গেট ড্রাইভার

,

স্ট্যান্ডার্ড কন্ট্রোল আইসি গেট ড্রাইভার

পণ্য বিবরণ

MOSFETs এবং IGBT-এর জন্য নেগেটিভ গেট বায়াস তৈরি করতে স্ট্যান্ডার্ড কন্ট্রোল আইসি ব্যবহার করা হচ্ছে


MOSFETs এবং IGBT-এর জন্য নেগেটিভ গেট বায়াস তৈরি করতে স্ট্যান্ডার্ড কন্ট্রোল আইসি ব্যবহার করা হচ্ছে


ভূমিকা
স্বাভাবিকভাবে MOSFET বা IGBT উভয়েরই গেটে নেগেটিভ বায়াসের প্রয়োজন হয় না। গেট ভোল্টেজ শূন্যে সেট করা
টার্ন-অফের সময় সঠিক অপারেশন নিশ্চিত করে এবং কার্যত ডিভাইসের থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের তুলনায় নেগেটিভ বায়াস সরবরাহ করে।
নেগেটিভ গেট বায়াস সুইচিং গতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে না, বাইপোলার ট্রানজিস্টরের বিপরীতে।
তবে, এমন পরিস্থিতি রয়েছে যখন নেগেটিভ গেট ড্রাইভের প্রয়োজন হয়:
•সেমিকন্ডাক্টর প্রস্তুতকারক ডিভাইসের জন্য নেগেটিভ গেট বায়াস নির্দিষ্ট করে
•যখন সার্কিটে উৎপন্ন নয়েজের কারণে গেট ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের নীচে নিরাপদে রাখা যায় না।
যদিও IGBT-এর উল্লেখ করা হবে, তবে এতে থাকা তথ্য পাওয়ার MOSFETs বা সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFETs-এর জন্যও সমানভাবে প্রযোজ্য।
ডিসি গেট বৈশিষ্ট্য
বেশিরভাগ IGBT-এর জন্য ন্যূনতম থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ ঘরের তাপমাত্রায় 3V। থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের তাপমাত্রা সহগ সর্বদা নেগেটিভ; জংশন তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ হ্রাস পায়। যদি জংশন তাপমাত্রা 25°C থেকে 150°C পর্যন্ত বৃদ্ধি পায় এবং তাপমাত্রা সহগ -11 mV/

°
C হয়, তবে
থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ 1.4V হ্রাস পায়। সুতরাং, উচ্চ তাপমাত্রা এবং সবচেয়ে খারাপ পরিস্থিতিতে 1.6V থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ আশা করা যেতে পারে।
ডাইনামিক অপারেশনসমস্যাটি দেখা দেয় যখন IGBT-এর কালেক্টর-এমিটার টার্মিনালের মধ্যে ভোল্টেজ দ্রুত বৃদ্ধি পায়।ট্রানজিয়েন্টের সময়, গেট-কালেক্টর (মিলার) ক্যাপাসিট্যান্স গেটে চার্জ সরবরাহ করে, গেট ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে।
গেটে ভোল্টেজের 'ব্লিপ'-এর উচ্চতা এবং প্রস্থ গেট-কালেক্টর
এবং গেট-এমিটার ক্যাপাসিট্যান্সের অনুপাত, গেটে সংযুক্ত ড্রাইভ সার্কিটের ইম্পিডেন্স এবং কালেক্টর-এমিটার টার্মিনালের মধ্যে প্রয়োগ করা dV/dt দ্বারা নির্ধারিত হয়।

অভ্যন্তরীণ ক্যাপাসিট্যান্স ডেটা শীটে দেওয়া আছে। লক্ষ্য করুন যে একটি অনুরূপ রেটযুক্ত MOSFET-এর তুলনায় IGBT-এর মিলার ক্যাপাসিট্যান্স ছোট, ছোট ডাই আকারের কারণে।
একটি কম ইম্পিডেন্স কন্ট্রোল আইসি নির্বাচন করে এবং ড্রাইভ লুপে স্ট্রে ইন্ডাকট্যান্স কমিয়ে গেটের ইম্পিডেন্স কমানো যেতে পারে।
সিরিজ গেট রেজিস্টরের সঠিক মান নির্বাচন করে dV/dt একটি অনুকূল মানে (নয়েজ বনাম লস) সেট করা যেতে পারে। সিরিজ গেট রেজিস্টর শুধুমাত্র IGBT-এর টার্ন-অন গতিকে প্রভাবিত করে, টার্ন-অফ গতি মূলত IGBT নিজেই দ্বারা নির্ধারিত হয়। গেট রেজিস্টরের জুড়ে, অ্যানোড গেটের দিকে, একটি সমান্তরাল ডায়োডও সুপারিশ করা হয়। ডায়োডটি টার্ন-অনের সময় রিভার্স বায়াসড থাকে কিন্তু টার্ন-অফ এবং অফ অবস্থায় গেটকে ধরে রাখে।
কন্ট্রোল আইসি-তে গেট ড্রাইভ আউটপুটের জন্য একটি বৈদ্যুতিকভাবে পৃথক রেফারেন্স পিন থাকতে হবে। এই পিনটি সরাসরি IGBT-এর এমিটার টার্মিনালের সাথে, অথবা IGBT মডিউলের কেলভিন টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত করা উচিত। গেট এবং এমিটার ভোল্টেজ তখন উচ্চ কারেন্ট গ্রাউন্ড ওয়্যারিং দ্বারা উৎপন্ন নয়েজের উপরে ভাসতে থাকে, কিন্তু দুটি ভোল্টেজের পার্থক্য (কার্যকর ড্রাইভ ভোল্টেজ) নয়েজ মুক্ত থাকে।