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IR21814STRPBF Infineon 게이트 드라이버, MOSFET 및 IGBT용 네거티브 게이트 바이어스를 생성하기 위한 표준 제어 IC 사용

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IR21814STRPBF Infineon 게이트 드라이버, MOSFET 및 IGBT용 네거티브 게이트 바이어스를 생성하기 위한 표준 제어 IC 사용

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IR21814STRPBF

인피니언 칩

SMD/SMT

출력 전류:

1.8 A

공급 전압:

10V-20V

작동 온도:

- 40°C ~ + 125°C

공급 능력:

100000

강조하다:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon 게이트 드라이버

표준 제어 IC 게이트 드라이버

제품 설명

MOSFET 및 IGBT용 음의 게이트 바이어스를 생성하기 위한 표준 제어 IC 사용

소개

본질적으로 MOSFET이나 IGBT 모두 게이트에 음의 바이어스를 필요로 하지 않습니다. 게이트 전압을 0으로 설정하면

턴오프 시 적절한 작동을 보장하며, 사실상 장치의

임계 전압에 비해 음의 바이어스를 제공합니다. 음의 게이트 바이어스는 바이폴라 트랜지스터와 달리 스위칭 속도에 큰 영향을 미치지 않습니다.

그러나 음의 게이트 드라이브가 필요한 상황이 있습니다:

• 반도체 제조업체가 장치에 음의 게이트 바이어스를 지정하는 경우

• 회로에서 발생하는 노이즈로 인해 게이트 전압을 임계 전압 이하로 안전하게 유지할 수 없는 경우

IGBT를 참조하겠지만, 포함된 정보는 파워 MOSFET 또는 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET에도 동등하게 적용됩니다.

DC 게이트 특성

대부분의 IGBT의 최소 임계 전압은 상온에서 3V입니다. 임계 전압의 온도 계수는 항상 음수이며, 접합 온도가 증가하면 임계 전압이 감소합니다.

접합 온도가 25°C에서 150°C로 상승하고 온도 계수가 -11mV/°C이면,

임계 전압은 1.4V 감소합니다. 따라서 고온 및 최악의 조건에서는 1.6V의 임계 전압이 예상될 수 있습니다.

동적 작동

IGBT의 컬렉터-이미터 단자 사이의 전압이 빠르게 증가할 때 문제가 발생합니다. 과도 상태 동안 게이트-컬렉터(밀러) 커패시턴스는 게이트로 전하를 전달하여 게이트 전압을 증가시킵니다. 게이트의 전압 '블립'의 높이와 폭은 게이트-컬렉터 및 게이트-이미터 커패시턴스의 비율, 게이트에 연결된 드라이브 회로의 임피던스, 컬렉터-이미터 단자 사이의 인가된 dV/dt에 의해 결정됩니다.

내부 커패시턴스는 데이터 시트에 나와 있습니다. IGBT의 밀러 커패시턴스는 더 작은 다이 크기 때문에 유사한 정격의 MOSFET보다 작다는 점에 유의하십시오.

게이트로의 임피던스는 저임피던스 제어 IC를 선택하고 드라이브 루프의 기생 인덕턴스를 최소화하여 최소화할 수 있습니다.

dV/dt는 직렬 게이트 저항기의 적절한 값을 선택하여 최적의 값(노이즈 대 손실)으로 설정할 수 있습니다. 직렬 게이트 저항기는 IGBT의 턴온 속도에만 영향을 미치며, 턴오프 속도는 주로 IGBT 자체에 의해 결정됩니다. 게이트 저항기에 걸쳐 양극이 게이트를 향하는 병렬 다이오드도 권장됩니다. 다이오드는 턴온 시 역방향으로 바이어스되지만 턴오프 시 및 오프 상태 동안 게이트를 낮게 유지합니다.

제어 IC는 게이트 드라이브 출력에 대해 전기적으로 분리된 기준 핀을 가져야 합니다. 이 핀은 IGBT의 이미터 단자 또는 IGBT 모듈의 켈빈 단자에 직접 연결해야 합니다. 그러면 게이트와 이미터 전압은 고전류 접지 배선에 의해 발생하는 노이즈 위에 떠 있지만, 두 전압의 차이(유효 드라이브 전압)는 노이즈가 없습니다.

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