Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Чип Инфинеон

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver, использующий стандартные управляющие ИС для создания отрицательного смещения затвора для MOSFET и IGBT

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver, использующий стандартные управляющие ИС для создания отрицательного смещения затвора для MOSFET и IGBT

Название бренда:	Infineon Chip
Номер модели:	IR21814СТРПБФ
минимальный заказ:	2500
Детали упаковки:	2500 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

модель:

IR21814СТРПБФ

Название продукта:

Чип Инфинеон

СМД/СМТ

Выходной ток:

1.8 А

Напряжение питания:

10 В-20 В

Рабочая температура:

- 40°С ~ + 125°С

Поставка способности:

100000

Выделить:

IR21814СТРПБФ

IR21814S Infineon Gate Driver

Стандартный управляющий ИС Gate Driver

Описание продукта

Чип Infineon IR21814STRPBF с использованием стандартных управляющих интерфейсов для генерации отрицательных преимуществ шлюзов для MOSFET и IGBT

Использование стандартных управляющих интерфейсов для генерации отрицательных склонностей ворот для MOSFET и IGBT

Введение

По сути, ни MOSFET, ни IGBT не требуют отрицательного уклонения от ворот.

при выключении обеспечивает правильную работу и фактически обеспечивает отрицательное уклонение относительно порогового напряжения

Отрицательное уклонение ворот не существенно влияет на скорость переключения, в отличие от биполярного транзистора.

Тем не менее, есть обстоятельства, когда необходимо отрицательное движение ворот:

•Производитель полупроводников указывает отрицательное уклонение ворот для устройства

•Если напряжение врат не может безопасно поддерживаться ниже порогового напряжения из-за шума, создаваемого в

Схема.

Хотя будет ссылка на IGBT, содержащаяся информация также применима к мощности MOSFET

или Кремниевого карбида (SiC) MOSFET.

Характеристики порта постоянного тока

Минимальное пороговое напряжение для большинства IGBT составляет 3 В при комнатной температуре.

пороговое напряжение всегда отрицательное; повышение температуры соединения приводит к снижению порогового напряжения.

температура соединения повышается с 25°C до 150°C, а температурный коэффициент составляет -11 mV/°C, затем

Таким образом, пороговое напряжение 1,6 В можно ожидать при высоких температурах и

в худших условиях.

Динамическая работа

Проблема возникает, когда напряжение быстро увеличивается между коллекторно-излучательными терминалами IGBT.

Во время транзита емкость порта-коллектора (Миллер) доставляет заряд в ворота, увеличивая

Высота и ширина напряжения в шлюзе определяются соотношением

и емкости порта-эмиттера, импеданс приводной схемы, подключенной к шлюзу, и примененный dV/dt

между терминалами коллектора-излучателя.

Внутренние емкости приведены на листе данных.

аналогичный MOSFET, из-за меньшего размера штампа.

Импеданс к шлюзу может быть сведен к минимуму путем выбора низкого импеданса управления IC и путем минимизации

отклоняющаяся индукция в петле привода.

dV/dt можно установить на оптимальное значение (шум против потерь) путем выбора правильного значения серийного шлюза

Серийный резистор шлюза влияет только на скорость включения IGBT, скорость выключения в значительной степени

Параллельный диод, с анодом в сторону ворот, через резистор ворот также

Диод имеет обратный уклон при включении, но держит ворота вниз при выключении, и во время выключения

государство.

Контрольный интерфейс должен иметь электрически отделенный справочный шприц для выхода привода порта.

напрямую подключен к терминалу излучателя IGBT или терминалу Кельвина IGBT модуля.

напряжения излучателя затем плавают над шумом, генерируемым высокоточными наземными проводами, но

разница между двумя напряжениями (эффективное напряжение привода) свободна от шума.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver, использующий стандартные управляющие ИС для создания отрицательного смещения затвора для MOSFET и IGBT

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI