جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه Infineon

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver با استفاده از آی سی های کنترل استاندارد برای تولید بایاس گیت منفی برای MOSFET ها و IGBT ها

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver با استفاده از آی سی های کنترل استاندارد برای تولید بایاس گیت منفی برای MOSFET ها و IGBT ها

نام تجاری:	Infineon Chip
شماره مدل:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
جزئیات بسته بندی:	2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

IR21814STRPBF

نام محصول:

تراشه Infineon

تایپ کنید:

SMD/SMT

جریان خروجی:

1.8 A

ولتاژ تغذیه:

10 V- 20 V

دمای عملیاتی:

- 40 درجه سانتیگراد ~ + 125 درجه سانتیگراد

قابلیت ارائه:

100000

برجسته کردن:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Gate Driver

درایور گیت آی سی کنترل استاندارد

توضیحات محصول

تراشه Infineon IR21814STRPBF با استفاده از آی سی های کنترل استاندارد برای تولید بایاس گیت منفی برای ماسفت ها و IGBT ها

استفاده از آی سی های کنترل استاندارد برای تولید بایاس گیت منفی برای ماسفت ها و IGBT ها

مقدمه

ذاتاً نه ماسفت و نه IGBT به بایاس منفی روی گیت نیاز ندارند. تنظیم ولتاژ گیت به صفر

در هنگام خاموش شدن، عملکرد صحیح را تضمین می کند و عملاً بایاس منفی را نسبت به ولتاژ آستانه

دستگاه فراهم می کند. بایاس گیت منفی بر سرعت سوئیچینگ برخلاف ترانزیستور دوقطبی تأثیر قابل توجهی ندارد.

با این حال، شرایطی وجود دارد که درایو گیت منفی ضروری است:

•سازنده نیمه هادی بایاس گیت منفی را برای دستگاه مشخص می کند

•هنگامی که ولتاژ گیت به دلیل نویز تولید شده در

مدار نمی تواند به طور ایمن زیر ولتاژ آستانه نگه داشته شود.

اگرچه به IGBT ها ارجاع داده می شود، اطلاعات موجود به طور مساوی برای ماسفت های قدرت

یا ماسفت های کاربید سیلیکون (SiC) قابل اجرا است.

مشخصات گیت DC

حداقل ولتاژ آستانه برای اکثر IGBT ها 3 ولت در دمای اتاق است. ضریب دمایی

ولتاژ آستانه همیشه منفی است؛ افزایش دمای پیوند منجر به کاهش ولتاژ آستانه می شود. اگر

دمای پیوند از 25 درجه سانتیگراد به 150 درجه سانتیگراد افزایش یابد و ضریب دما -11 میلی ولت بردرجهسانتیگراد باشد، آنگاه

ولتاژ آستانه در دمای بالا و

شرایط بدترین حالت 1.6 ولت انتظار می رود.

عملیات دینامیکی

مشکل زمانی ایجاد می شود که ولتاژ به سرعت بین پایانه های کلکتور-امیتر IGBT افزایش می یابد.

در طول گذرا، خازن گیت-کلکتور (میلر) بار را به گیت تحویل می دهد و ولتاژ گیت را افزایش می دهد.

ارتفاع و عرض "لکه" ولتاژ در گیت توسط نسبت خازن های گیت-کلکتور

و گیت-امیتر، امپدانس مدار درایو متصل به گیت و dV/dt اعمال شده

بین پایانه های کلکتور-امیتر تعیین می شود.

خازن های داخلی در دیتاشیت آورده شده اند. توجه داشته باشید که خازن میلر IGBT کوچکتر از

یک ماسفت با رتبه مشابه است، به دلیل اندازه کوچکتر دای.

امپدانس به گیت را می توان با انتخاب یک آی سی کنترل با امپدانس پایین و با به حداقل رساندن

اندوکتانس پراکنده در حلقه درایو به حداقل رساند.

dV/dt را می توان با انتخاب مقدار مناسب مقاومت گیت سری به یک مقدار بهینه (نویز در مقابل تلفات) تنظیم کرد. مقاومت گیت سری فقط بر سرعت روشن شدن IGBT تأثیر می گذارد، سرعت خاموش شدن عمدتاً

توسط خود IGBT تعیین می شود. یک دیود موازی، با آند به سمت گیت، در سراسر مقاومت گیت نیز

توصیه می شود. دیود در هنگام روشن شدن معکوس بایاس می شود اما گیت را در هنگام خاموش شدن و در طول حالت خاموش نگه می دارد.

آی سی کنترل باید یک پین مرجع جدا شده الکتریکی برای خروجی درایو گیت داشته باشد. این پین باید مستقیماً به پایانه امیتر IGBT یا پایانه کلین ماژول IGBT متصل شود. سپس ولتاژهای گیت و امیتر روی نویز تولید شده توسط سیم کشی زمین جریان بالا شناور می شوند، اما اختلاف دو ولتاژ (ولتاژ درایو مؤثر) از نویز عاری است.

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver با استفاده از آی سی های کنترل استاندارد برای تولید بایاس گیت منفی برای MOSFET ها و IGBT ها

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI