λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IR21814STRPBF Infineon Οδηγός Πύλης Χρησιμοποιώντας Τυπικά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Ελέγχου για τη Δημιουργία Αρνητικής Πόλωσης Πύλης για MOSFETs και IGBTs

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IR21814STRPBF Infineon Οδηγός Πύλης Χρησιμοποιώντας Τυπικά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Ελέγχου για τη Δημιουργία Αρνητικής Πόλωσης Πύλης για MOSFETs και IGBTs

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IR21814STRPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IR21814STRPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Τύπος:

SMD/SMT

Ρεύμα εξόδου:

1.8 Α

Τάση τροφοδοσίας:

10 V- 20 V

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 40 °C ~ + 125 °C

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IR21814STRPBF

IR21814S Infineon Οδηγός Πύλης

Τυπικός Οδηγός Πύλης Ολοκληρωμένου Κυκλώματος Ελέγχου

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IR21814STRPBF Χρησιμοποιώντας τυπικά ολοκληρωμένα κυκλώματα ελέγχου για τη δημιουργία αρνητικής πόλωσης πύλης για MOSFETs και IGBTs

Χρησιμοποιώντας τυπικά ολοκληρωμένα κυκλώματα ελέγχου για τη δημιουργία αρνητικής πόλωσης πύλης για MOSFETs και IGBTs

Εισαγωγή

Εγγενώς ούτε το MOSFET ούτε το IGBT απαιτούν αρνητική πόλωση στην πύλη. Η ρύθμιση της τάσης της πύλης στο μηδέν

κατά την απενεργοποίηση εξασφαλίζει σωστή λειτουργία και παρέχει ουσιαστικά αρνητική πόλωση σε σχέση με την τάση κατωφλίου της

συσκευής. Η αρνητική πόλωση πύλης δεν επηρεάζει σημαντικά την ταχύτητα μεταγωγής σε αντίθεση με το διπολικό τρανζίστορ.

Ωστόσο, υπάρχουν περιστάσεις όπου απαιτείται αρνητική οδήγηση πύλης:

•Ο κατασκευαστής ημιαγωγών καθορίζει αρνητική πόλωση πύλης για τη συσκευή

•Όταν η τάση της πύλης δεν μπορεί να διατηρηθεί με ασφάλεια κάτω από την τάση κατωφλίου λόγω θορύβου που παράγεται στο

κύκλωμα.

Αν και θα γίνει αναφορά σε IGBTs, οι πληροφορίες που περιέχονται είναι εξίσου εφαρμόσιμες σε ισχύ MOSFETs

ή MOSFETs καρβιδίου του πυριτίου (SiC).

Χαρακτηριστικά πύλης DC

Η ελάχιστη τάση κατωφλίου για τα περισσότερα IGBTs είναι 3V σε θερμοκρασία δωματίου. Ο συντελεστής θερμοκρασίας της

τάσης κατωφλίου είναι πάντα αρνητικός· η αύξηση της θερμοκρασίας της επαφής οδηγεί σε μείωση της τάσης κατωφλίου. Εάν

η θερμοκρασία της επαφής αυξηθεί από 25°C σε 150°C, και ο συντελεστής θερμοκρασίας είναι -11 mV/°C, τότε ητάση κατωφλίου μειώνεται κατά 1,4V. Έτσι, μπορεί να αναμένεται τάση κατωφλίου 1,6V σε υψηλή θερμοκρασία και

συνθήκες χειρότερης περίπτωσης.

Δυναμική Λειτουργία

Το πρόβλημα προκύπτει όταν η τάση αυξάνεται γρήγορα μεταξύ των ακροδεκτών συλλέκτη-εκπομπού του IGBT.

Κατά τη διάρκεια της μεταβατικής περιόδου, η χωρητικότητα πύλης-συλλέκτη (Miller) παρέχει φορτίο στην πύλη, αυξάνοντας την τάση της πύλης.

Το ύψος και το πλάτος του 'παλμού' τάσης στην πύλη καθορίζονται από την αναλογία των χωρητικοτήτων πύλης-συλλέκτη

και πύλης-εκπομπού, την αντίσταση του κυκλώματος οδήγησης που συνδέεται στην πύλη και την εφαρμοζόμενη dV/dt

μεταξύ των ακροδεκτών συλλέκτη-εκπομπού.

Οι εσωτερικές χωρητικότητες δίνονται στο φύλλο δεδομένων. Σημειώστε ότι η χωρητικότητα Miller του IGBT είναι μικρότερη από

ένα MOSFET με παρόμοια ονομαστική ισχύ, λόγω του μικρότερου μεγέθους του chip.

Η αντίσταση προς την πύλη μπορεί να ελαχιστοποιηθεί επιλέγοντας ένα Control IC χαμηλής αντίστασης και ελαχιστοποιώντας την

παρασιτική επαγωγή στον βρόχο οδήγησης.

Η dV/dt μπορεί να ρυθμιστεί σε μια βέλτιστη τιμή (θόρυβος έναντι απωλειών) επιλέγοντας την κατάλληλη τιμή αντίστασης πύλης.

Η αντίσταση πύλης επηρεάζει μόνο την ταχύτητα ενεργοποίησης του IGBT, η ταχύτητα απενεργοποίησης καθορίζεται σε μεγάλο βαθμό

από το ίδιο το IGBT. Μια παράλληλη δίοδος, με την άνοδο προς την πύλη, παράλληλα με την αντίσταση πύλης συνιστάται επίσης.

Η δίοδος είναι ανάστροφα πολωμένη κατά την ενεργοποίηση, αλλά συγκρατεί την πύλη χαμηλά κατά την απενεργοποίηση και κατά τη διάρκεια της απενεργοποιημένης

κατάστασης.

Το Control IC πρέπει να έχει ηλεκτρικά διαχωρισμένη ακίδα αναφοράς για την έξοδο οδήγησης πύλης. Αυτή η ακίδα πρέπει να

συνδέεται απευθείας στον ακροδέκτη εκπομπού του IGBT ή στον ακροδέκτη Kelvin της μονάδας IGBT. Οι τάσεις πύλης και

εκπομπού πλέουν τότε πάνω από τον θόρυβο που παράγεται από την καλωδίωση γείωσης υψηλού ρεύματος, αλλά η

διαφορά των δύο τάσεων (η αποτελεσματική τάση οδήγησης) είναι απαλλαγμένη από θόρυβο.

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IR21814STRPBF Infineon Οδηγός Πύλης Χρησιμοποιώντας Τυπικά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Ελέγχου για τη Δημιουργία Αρνητικής Πόλωσης Πύλης για MOSFETs και IGBTs

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI