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Chip Infineon
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IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Usando Circuitos de Control Estándar para Generar Polarización de Puerta Negativa para MOSFETs y IGBTs

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IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Usando Circuitos de Control Estándar para Generar Polarización de Puerta Negativa para MOSFETs y IGBTs
  • Nombre

IR21814STRPBF Infineon Gate Driver Usando Circuitos de Control Estándar para Generar Polarización de Puerta Negativa para MOSFETs y IGBTs

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IR21814STRPBF
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Descripción del Producto
Información detallada
Lugar de origen:
China
Documento:
infineon-using-standard-con...en.pdf
modelo:
IR21814STRPBF
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Corriente de salida:
1.8 A
Voltaje de suministro:
10V-20V
Temperatura de funcionamiento:
- 40 ºC ~ + 125 ºC
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IR21814STRPBF

,

IR21814S Infineon Gate Driver

,

Controlador de Puerta de Circuito de Control Estándar

Descripción del Producto

Chip Infineon IR21814STRPBF utilizando ICs de control estándar para generar sesgos negativos de puertas para MOSFETs e IGBTs


Utilizando ICs de control estándar para generar sesgos negativos de puertas para MOSFETs e IGBTs


Introducción
Inherentemente, ni el MOSFET ni el IGBT requieren un sesgo negativo en la puerta.
En el momento de apagado asegura el correcto funcionamiento y proporciona prácticamente un sesgo negativo en relación con el voltaje umbral del
El sesgo negativo de la puerta no afecta significativamente la velocidad de conmutación a diferencia del transistor bipolar.
Sin embargo, hay circunstancias en las que es necesario un accionamiento de puerta negativa:
• las condiciones de trabajoEl fabricante del semiconductor especifica el sesgo negativo de la puerta para el dispositivo
• las condiciones de trabajoCuando la tensión de la puerta no pueda mantenerse de forma segura por debajo de la tensión de umbral debido al ruido generado en el
el circuito.
Aunque se hará referencia a los IGBT, la información contenida es igualmente aplicable a los MOSFET de potencia
o MOSFETs de carburo de silicio (SiC).

Características de las puertas de corriente continua
La tensión umbral mínima para la mayoría de las IGBT es de 3 V a temperatura ambiente.
La tensión de umbral es siempre negativa; el aumento de la temperatura de unión se traduce en una disminución de la tensión de umbral.
la temperatura de unión se eleva de 25°C a 150°C y el coeficiente de temperatura es de -11 mV/¿ Qué pasa?C, luego el
La tensión de umbral disminuye en 1,4 V. Por lo tanto, se puede esperar una tensión de umbral de 1,6 V a altas temperaturas y
las peores condiciones.

Funcionamiento dinámico
El problema surge cuando el voltaje aumenta rápidamente entre los terminales colector-emitidor del IGBT.
Durante el transitorio, la capacidad del portón-recolector (Miller) entrega carga a la puerta, aumentando la puerta
La altura y el ancho de la tensión blip en la puerta se determinan por la relación del colector de la puerta
y capacitancias del emisor de la puerta, la impedancia del circuito de accionamiento conectado a la puerta y el dV/dt aplicado
entre los terminales de los colectores emisores.
Las capacitancias internas se dan en la hoja de datos.
un MOSFET con una clasificación similar, debido al tamaño más pequeño de la matriz.
La impedancia a la puerta se puede minimizar mediante la selección de una baja impedancia Control IC y minimizando el
inducción perdida en el bucle de accionamiento.
El valor dV/dt puede ajustarse a un valor óptimo (ruido frente a pérdidas) seleccionando el valor adecuado de la puerta de serie
La serie de la puerta de resistencia afecta sólo la velocidad de encendido de la IGBT, la velocidad de apagado es en gran parte
Un diodo paralelo, con el ánodo hacia la puerta, a través de la resistencia de la puerta también se
El diodo tiene un sesgo inverso al encenderse, pero mantiene la puerta hacia abajo al apagarse, y durante el apagado
el estado.
El IC de control debe tener un pin de referencia eléctricamente separado para la salida del accionamiento de la puerta.
conectado directamente al terminal emisor del IGBT, o al terminal Kelvin del módulo IGBT.
Las tensiones del emisor flotan sobre el ruido generado por el cableado de tierra de alta corriente, pero el
la diferencia de los dos voltajes (voltaje de accionamiento efectivo) no está afectada por el ruido.

Etiquetas: 

Infineon potencia mosfet  

el chip infineón  

Controlador infineon pfc

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