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Détails des produits

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Puce Infineon
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IR21814STRPBF Infineon Driver de grille utilisant des circuits de commande standard pour générer un biais de grille négatif pour les MOSFET et les IGBT

IR21814STRPBF Infineon Driver de grille utilisant des circuits de commande standard pour générer un biais de grille négatif pour les MOSFET et les IGBT

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IR21814STRPBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
IR21814STRPBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
CMS/CMS
Courant de sortie:
1.8 A
Tension d'alimentation:
10 V-20 V
Température de fonctionnement:
- 40 °C ~ + 125 °C
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IR21814STRPBF

,

IR21814S Infineon Driver de grille

,

Driver de grille à circuit de commande standard

Description du produit

La puce Infineon IR21814STRPBF utilise des circuits intégrés de contrôle standard pour générer des biais de passerelle négatifs pour les MOSFET et les IGBT


Utilisation de circuits intégrés de contrôle standard pour générer des biais de porte négatifs pour les MOSFET et les IGBT


Introduction au projet
Inherentement ni le MOSFET ni l'IGBT ne nécessitent un biais négatif sur la porte.
La tension de sortie de l'appareil à l'arrêt assure un bon fonctionnement et fournit pratiquement un biais négatif par rapport à la tension de seuil de l'appareil
Le biais négatif de la porte n'affecte pas significativement la vitesse de commutation par opposition au transistor bipolaire.
Cependant, il existe des circonstances dans lesquelles un entraînement négatif de la porte est nécessaire:
• les personnes âgéesLe fabricant du semi-conducteur spécifie le biais négatif de la porte pour le dispositif
• les personnes âgéesLorsque la tension de la porte ne peut pas être maintenue en toute sécurité en dessous de la tension de seuil en raison du bruit généré dans le
Le circuit.
Bien que la référence sera faite aux IGBT, les informations contenues sont également applicables aux MOSFET de puissance
ou des MOSFET au carbure de silicium (SiC).

Caractéristiques de la porte en courant continu
La tension limite minimale pour la plupart des IGBT est de 3 V à température ambiante.
La tension de seuil est toujours négative; l'augmentation de la température de jonction entraîne une diminution de la tension de seuil.
la température de jonction passe de 25°C à 150°C et le coefficient de température est de -11 mV/- Je ne sais pas.C, puis le
La tension de seuil diminue de 1,4 V. On peut donc s'attendre à une tension de seuil de 1,6 V à haute température et
les conditions les plus défavorables.

Opération dynamique
Le problème survient lorsque la tension augmente rapidement entre les bornes collecteur-émetteur de l'IGBT.
Au cours de la transitoire, la capacité de la porte-collecteur (Miller) fournit une charge à la porte, augmentant la porte
La hauteur et la largeur de la tension “blip” à la porte sont déterminées par le rapport entre le collecteur de porte
et capacités de l'émetteur de la porte, l'impédance du circuit d'entraînement connecté à la porte et le dV/dt appliqué
entre les bornes du collecteur-émetteur.
Les capacités internes sont indiquées sur la fiche de données.
un MOSFET de qualité similaire, en raison de la taille plus petite du matériau.
L'impédance à la porte peut être minimisée en sélectionnant un IC de contrôle à faible impédance et en minimisant le
l'inductivité perdue dans la boucle d'entraînement.
Le dV/dt peut être réglé sur une valeur optimale (bruit par rapport aux pertes) en sélectionnant la valeur appropriée de la porte de série
La résistance de la série porte n'affecte que la vitesse d'allumage de l'IGBT, la vitesse d'arrêt est largement
Une diode parallèle, avec l'anode vers la porte, à travers la résistance de la porte est également
La diode est inversée au moment de l'allumage, mais maintient la porte enfoncée au moment de l'arrêt, et pendant l'arrêt, la diode est inclinée vers le bas.
- Je ne sais pas.
L'IC de commande doit avoir une broche de référence électriquement séparée pour la sortie de l'entraînement de la porte.
connecté directement au terminal émetteur du module IGBT ou au terminal Kelvin du module IGBT.
les tensions d'émetteur flottent alors au-dessus du bruit généré par le câblage de terre à courant élevé, mais le
la différence entre les deux tensions (la tension d'entraînement effective) est exempte de bruit.