logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
الشرائح
Created with Pixso.

NVB110N65S3F ONsemi رقائق N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

NVB110N65S3F ONsemi رقائق N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

اسم العلامة التجارية: ON
رقم الموديل: NVB110N65S3F
موك: 1000 قطعة
تفاصيل التغليف: 1000 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
جهد مصدر الصرف:
650 v
تقاطع/درجة حرارة التخزين:
-55 ℃ ~ 150 ℃
درجة حرارة لحام الرصاص:
300 درجة مئوية
ديرات الطاقة:
1.92 واط/درجة مئوية
تبديد الطاقة:
240 واط
تيار التصريف النبضي:
69 أ
تيار الانهيار الجليدي:
3.5 أ
القدرة على العرض:
1000000
إبراز:

NVB110N65S3F N Channel MOSFET

,

ONsemi رقائق SUPERFET III MOSFET

,

650 فولت N القناة Mosfet

وصف المنتج

رقائق ONsemi NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

 

وصف

 
SUPERFET® III MOSFET هي عائلة MOSFET ذات الجهد العالي الجديدة من ON Semiconductor التي تستخدم تقنية توازن الشحنة للحصول على مقاومة منخفضة استثنائية وأداء شحنة بوابة أقل. تم تصميم هذه التقنية المتقدمة لتقليل فقد التوصيل، وتوفير أداء تبديل فائق، وتحمل معدل dv/dt شديد.
 
وبالتالي، فإن SUPERFET III MOSFET مناسب جدًا لمختلف أنظمة الطاقة للتصغير والكفاءة الأعلى. يمكن لأداء الاسترداد العكسي المحسن لمصباح الجسم الخاص بـ SUPERFET III FRFET® MOSFET إزالة المكونات الإضافية وتحسين موثوقية النظام.
 
 
الميزات
• 700 فولت @ TJ = 150 درجة مئوية
• مقاومة التشغيل (RDS(on)) النموذجية = 93 م أوم
• شحنة بوابة منخفضة للغاية (Qg النموذجية = 58 نانو كولوم)
• سعة خرج فعالة منخفضة (Coss(eff.) النموذجية = 533 بيكوفاراد)
• تم اختبار الانهيار بنسبة 100%
• مؤهل مع AEC-Q101
• هذه الأجهزة خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
 
التطبيقات النموذجية
• شاحن السيارة المدمج
• محول DC/DC للسيارات لـ HEV

 

الحد الأقصى المطلق للتقييمات (TC = 25 درجة مئوية ما لم يُذكر خلاف ذلك)

 
يحتوي MOSFET للطاقة من النوع N على تقييمات الحد الأقصى المطلقة التالية: جهد المصرف إلى المصدر (V_DSS) هو 650 فولت؛ جهد البوابة إلى المصدر (V_GS) هو ±30 فولت لكل من ظروف التيار المستمر والتيار المتردد (f > 1 هرتز). تيار المصرف (I_D) هو 30 أمبير مستمر عند T_C = 25 درجة مئوية و 19.5 أمبير مستمر عند T_C = 100 درجة مئوية، بينما تيار المصرف النبضي (I_DM) هو 69 أمبير (عرض النبضة محدود بدرجة حرارة الوصلة القصوى). طاقة الانهيار النبضي الفردي (E_AS) هي 380 مللي جول، تيار الانهيار (I_AS) هو 3.5 أمبير، وطاقة الانهيار المتكرر (E_AR) هي 2.4 مللي جول. معدل dv/dt الخاص بـ MOSFET هو 100 فولت/نانو ثانية، ومعدل dv/dt الأقصى لاسترداد الصمام هو 50 فولت/نانو ثانية. تبديد الطاقة (P_D) هو 240 واط عند T_C = 25 درجة مئوية، مع انخفاض بمقدار 1.92 واط/درجة مئوية فوق 25 درجة مئوية. يتراوح نطاق درجة حرارة التشغيل للوصلة والتخزين (T_J، T_stg) من -55 إلى 150 درجة مئوية، ودرجة حرارة الرصاص القصوى للحام (1/8 بوصة من العلبة لمدة 5 ثوانٍ، T_L) هي 300 درجة مئوية. قد تؤدي الإجهادات التي تتجاوز هذه التقييمات القصوى المذكورة إلى تلف الجهاز، ولا ينبغي افتراض وظائف الجهاز إذا تم تجاوز أي من هذه الحدود، حيث قد يحدث تلف وقد تتأثر الموثوقية.

 

 

 

يتميز الجهاز بتقييمات المقاومة الحرارية التالية: مقاومة حرارية قصوى من الوصلة إلى العلبة () تبلغ 0.52 درجة مئوية/واط ومقاومة حرارية قصوى من الوصلة إلى المحيط () تبلغ 40 درجة مئوية/واط. بالنسبة للخصائص الكهربائية عند ما لم يُذكر خلاف ذلك، فإن جهد انهيار المصرف إلى المصدر () هو 650 فولت عند , , , و 700 فولت عند , , , مع معامل درجة حرارة جهد الانهيار () يبلغ 0.61 فولت/درجة مئوية. تيار المصرف عند جهد بوابة صفر () له قيمة قصوى تبلغ 10 ميكرو أمبير عند , , وقيمة نموذجية تبلغ 128 ميكرو أمبير عند , , بينما تيار تسرب البوابة إلى الجسم () له قيمة قصوى تبلغ ±100 نانو أمبير عند , . يتراوح جهد عتبة البوابة () من 3.0 فولت إلى 5.0 فولت، وتبلغ مقاومة المصرف إلى المصدر الثابتة () قيمة نموذجية تبلغ 93 م أوم وقيمة قصوى تبلغ 110 م أوم عند , , وتبلغ الموصلية العابرة الأمامية () قيمة نموذجية تبلغ 17 سيمنز عند , . بالنسبة للخصائص الديناميكية، تبلغ سعة الإدخال () عادةً 2560 بيكوفاراد، وسعة الخرج () عادةً 50 بيكوفاراد، وسعة الخرج الفعالة () عادةً 553 بيكوفاراد، وسعة الخرج المتعلقة بالطاقة () عادةً 83 بيكوفاراد. تبلغ شحنة البوابة الإجمالية () عادةً 58 نانو كولوم، وشحنة البوابة إلى المصدر () عادةً 19 نانو كولوم، وشحنة البوابة إلى المصرف "ميلر" () عادةً 23 نانو كولوم، والمقاومة المتسلسلة المكافئة (ESR) عادةً 2 أوم عند 1 ميجاهرتز. بالنسبة لخصائص التبديل عند , وقت تأخير التشغيل () عادةً 29 نانو ثانية، ووقت الارتفاع () عادةً 32 نانو ثانية، ووقت تأخير إيقاف التشغيل () عادةً 61 نانو ثانية، ووقت السقوط () عادةً 16 نانو ثانية. بالنسبة لخصائص الصمام من المصدر إلى المصرف، فإن الحد الأقصى لتيار التوصيل المستمر من المصدر إلى المصرف () هو 30 أمبير، والحد الأقصى للتيار النبضي () هو 69 أمبير، وجهد التوصيل الأمامي للصمام من المصدر إلى المصرف () هو عادةً -1.3 فولت، ووقت الاسترداد العكسي () هو عادةً 94 نانو ثانية، وشحنة الاسترداد العكسي () هي عادةً 343 نانو كولوم. يتم الإشارة إلى أداء معلمات المنتج لظروف الاختبار المذكورة، وقد يختلف الأداء إذا تم تشغيله في ظل ظروف مختلفة، مع بقاء الخصائص النموذجية مستقلة بشكل أساسي عن درجة حرارة التشغيل.

 
NVB110N65S3F ONsemi رقائق N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC
 

NVB110N65S3F ONsemi رقائق N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

NVB110N65S3F ONsemi رقائق N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC