NVB110N65S3F ONsemi Chips N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

ONsemi chips NVB110N65S3F N‑Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra‑Low Qg 58nC

Περιγραφή

Η συσκευή διαθέτει τις ακόλουθες βαθμολογίες θερμικής αντίστασης: μέγιστη θερμική αντίσταση διασύνδεσης-προς-περίπτωση (RθJC​) 0,52 °C/W και μέγιστη θερμική αντίσταση διασύνδεσης-προς-περιβάλλον (RθJA​) 40 °C/W. Για ηλεκτρικά χαρακτηριστικά στους TC​=25∘C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά, η τάση διάσπασης drain-source (BVDSS​) είναι 650 V στους VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, και 700 V στους VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, με συντελεστή θερμοκρασίας τάσης διάσπασης (ΔBVDSS​/ΔTJ​) 0,61 V/°C. Το ρεύμα drain μηδενικής τάσης πύλης (IDSS​) έχει μέγιστο 10 μA στους VDS​=650 V, VGS​=0 V, και τυπική τιμή 128 μA στους VDS​=520 V, TC​=125∘C, ενώ το ρεύμα διαρροής πύλης-προς-σώμα (IGSS​) έχει μέγιστο ±100 nA στους VDS​=0 V, VGS​=±30 V. Η τάση κατωφλίου πύλης (VGS(th)​) κυμαίνεται από 3,0 V έως 5,0 V, η στατική αντίσταση drain-source ενεργοποίησης (RDS(on)​) έχει τυπική τιμή 93 mΩ και μέγιστο 110 mΩ στους VGS​=10 V, ID​=15 A, και η εγκάρσια μεταγωγικότητα (gFS​) έχει τυπική τιμή 17 S στους VGS​=20 V, ID​=15 A. Για δυναμικά χαρακτηριστικά, η χωρητικότητα εισόδου (Ciss​) είναι τυπικά 2560 pF, η χωρητικότητα εξόδου (Coss​) είναι τυπικά 50 pF, η αποτελεσματική χωρητικότητα εξόδου (Coss(eff.)​) είναι τυπικά 553 pF, και η χωρητικότητα εξόδου που σχετίζεται με την ενέργεια (Coss(er.)​) είναι τυπικά 83 pF. Η συνολική φόρτιση πύλης (Qg(total)​) είναι τυπικά 58 nC, η φόρτιση πύλης-προς-σώμα (Qgs​) είναι τυπικά 19 nC, η "Miller" φόρτιση πύλης-προς-drain (Qgd​) είναι τυπικά 23 nC, και η ισοδύναμη αντίσταση σειράς (ESR) είναι τυπικά 2 Ω στα 1 MHz. Για χαρακτηριστικά μεταγωγής στους VGS​=10 V, ο χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης (td(on)​) είναι τυπικά 29 ns, ο χρόνος ανόδου (tr​) είναι τυπικά 32 ns, ο χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης (td(off)​) είναι τυπικά 61 ns, και ο χρόνος πτώσης (tf​) είναι τυπικά 16 ns. Για χαρακτηριστικά διόδου πηγής-απορροής, το μέγιστο συνεχές ρεύμα διόδου πηγής-απορροής (IS​) είναι 30 A, το μέγιστο παλμικό ρεύμα (ISM​) είναι 69 A, η τάση διόδου πηγής-απορροής (VSD​) είναι τυπικά -1,3 V, ο χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr​) είναι τυπικά 94 ns, και η φόρτιση αντίστροφης ανάκτησης (Qrr​) είναι τυπικά 343 nC. Η παραμετρική απόδοση του προϊόντος υποδεικνύεται για τις αναφερόμενες συνθήκες δοκιμής, και η απόδοση μπορεί να διαφέρει εάν λειτουργεί υπό διαφορετικές συνθήκες, με τα τυπικά χαρακτηριστικά να είναι ουσιαστικά ανεξάρτητα από τη θερμοκρασία λειτουργίας.