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ONセミチップ
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NVB110N65S3F ONsemiチップ NチャネルSUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

NVB110N65S3F ONsemiチップ NチャネルSUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

ブランド名: ON
モデル番号: NVB110N65S3F
MOQ: 1000個
梱包の詳細: 1000個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
下水管源の電圧:
650 V
ジャンクション/ストレージ温度:
-55℃~150℃
鉛のはんだ付けする温度:
300℃
電力ディレート:
1.92W/℃
消費電力:
240W
脈打った下水管の流れ:
69A
なだれの流れ:
3.5A
供給の能力:
1000000
ハイライト:

NVB110N65S3F NチャネルMOSFET

,

ONsemiチップ SUPERFET III MOSFET

,

650V Nチャネルモスフェット

製品説明

ONsemiチップ NVB110N65S3F N‑チャネル SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ 超低Qg 58nC

 

説明

 
SUPERFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの全く新しい高電圧スーパー接合(SJ)MOSFETファミリーであり、優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現するためにチャージバランス技術を利用しています。この先進技術は、伝導損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、極端なdv/dtレートに耐えるように調整されています。
 
したがって、SUPERFET III MOSFETは、小型化と高効率化を目指す様々な電源システムに非常に適しています。SUPERFET III FRFET® MOSFETの最適化された逆回復性能を持つボディダイオードは、追加コンポーネントを削除し、システム信頼性を向上させることができます。
 
 
特徴
• 700 V @ TJ = 150°C
• 標準 RDS(on) = 93 mΩ
• 超低ゲート電荷 (標準 Qg = 58 nC)
• 低実効出力容量 (標準 Coss(eff.) = 533 pF)
• 100% アバランシェテスト済み
• AEC−Q101 認定
• これらのデバイスはPb−FreeでRoHS準拠です
 
主な用途
• 自動車用オンボード充電器
• HEV用自動車用DC/DCコンバータ

 

絶対最大定格 (TC = 25°C、特に断りのない限り)

 
NチャネルパワーMOSFETは、以下の絶対最大定格を備えています。ドレイン-ソース間電圧(V_DSS)は650 V、ゲート-ソース間電圧(V_GS)はDCおよびAC(f > 1 Hz)条件の両方で±30 Vです。ドレイン電流(I_D)は、T_C = 25°Cで30 A連続、T_C = 100°Cで19.5 A連続ですが、パルスドレイン電流(I_DM)は69 A(最大接合温度によって制限されるパルス幅)です。単一パルスアバランシェエネルギー(E_AS)は380 mJ、アバランシェ電流(I_AS)は3.5 A、繰り返しアバランシェエネルギー(E_AR)は2.4 mJです。MOSFETのdv/dt定格は100 V/ns、ピークダイオードリカバリdv/dtは50 V/nsです。電力消費(P_D)はT_C = 25°Cで240 W、25°C以上では1.92 W/°Cのディレーティングがあります。動作接合温度および保管温度(T_J、T_stg)は-55~150 °Cの範囲であり、はんだ付けのための最大リード温度(ケースから1/8インチ、5秒間、T_L)は300 °Cです。これらの最大定格を超えるストレスはデバイスを損傷する可能性があり、これらの限界のいずれかが超えられた場合、損傷が発生し信頼性に影響を与える可能性があるため、デバイスの機能は保証されません。

 

 

 

デバイスは以下の熱抵抗定格を備えています。最大接合部-ケース間熱抵抗()は0.52 °C/W、最大接合部-周囲間熱抵抗()は40 °C/Wです。電気的特性(、特に断りのない限り)では、ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧()は、IIで650 V、IIで700 V、ブレークダウン電圧温度係数()は0.61 V/°Cです。ゼロゲート電圧ドレイン電流()は、Iで最大10 μA、Iで標準128 μAですが、ゲート-ボディ間リーク電流()は、IVRVIgVICCCCQQQVttttIIVtQ

 
NVB110N65S3F ONsemiチップ NチャネルSUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC
 

NVB110N65S3F ONsemiチップ NチャネルSUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

NVB110N65S3F ONsemiチップ NチャネルSUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC