NVB110N65S3F ONsemi Puce MOSFET SUPERFET III Canal N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

Puces ONsemi NVB110N65S3F MOSFET SUPERFET III à canal N 650V 30A 110mΩ Qg ultra-faible 58nC

Description

Le dispositif présente les caractéristiques de résistance thermique suivantes : une résistance thermique jonction-boîtier maximale (RθJC​) de 0,52 °C/W et une résistance thermique jonction-ambiant maximale (RθJA​) de 40 °C/W. Pour les caractéristiques électriques à TC​=25∘C sauf indication contraire, la tension de claquage drain-source (BVDSS​) est de 650 V à VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, et 700 V à VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, avec un coefficient de température de tension de claquage (ΔBVDSS​/ΔTJ​) de 0,61 V/°C. Le courant de drain à tension de grille nulle (IDSS​) est de 10 μA maximum à VDS​=650 V, VGS​=0 V, et une valeur typique de 128 μA à VDS​=520 V, TC​=125∘C, tandis que le courant de fuite grille-corps (IGSS​) est de ±100 nA maximum à VDS​=0 V, VGS​=±30 V. La tension de seuil de grille (VGS(th)​) varie de 3,0 V à 5,0 V, la résistance drain-source à l'état passant statique (RDS(on)​) a une valeur typique de 93 mΩ et un maximum de 110 mΩ à VGS​=10 V, ID​=15 A, et la transconductance directe (gFS​) a une valeur typique de 17 S à VGS​=20 V, ID​=15 A. Pour les caractéristiques dynamiques, la capacité d'entrée (Ciss​) est typiquement de 2560 pF, la capacité de sortie (Coss​) est typiquement de 50 pF, la capacité de sortie effective (Coss(eff.)​) est typiquement de 553 pF, et la capacité de sortie liée à l'énergie (Coss(er.)​) est typiquement de 83 pF. La charge de grille totale (Qg(total)​) est typiquement de 58 nC, la charge grille-source (Qgs​) est typiquement de 19 nC, la charge "Miller" grille-drain (Qgd​) est typiquement de 23 nC, et la résistance série équivalente (ESR) est typiquement de 2 Ω à 1 MHz. Pour les caractéristiques de commutation à VGS​=10 V, le temps de délai d'activation (td(on)​) est typiquement de 29 ns, le temps de montée (tr​) est typiquement de 32 ns, le temps de délai de désactivation (td(off)​) est typiquement de 61 ns, et le temps de chute (tf​) est typiquement de 16 ns. Pour les caractéristiques de la diode source-drain, le courant continu maximal de la diode source-drain (IS​) est de 30 A, le courant pulsé maximal (ISM​) est de 69 A, la tension directe de la diode source-drain (VSD​) est typiquement de -1,3 V, le temps de récupération inverse (trr​) est typiquement de 94 ns, et la charge de récupération inverse (Qrr​) est typiquement de 343 nC. Les performances paramétriques du produit sont indiquées pour les conditions de test listées, et les performances peuvent varier si elles sont utilisées dans des conditions différentes, les caractéristiques typiques étant essentiellement indépendantes de la température de fonctionnement.