NVB110N65S3F ONsemi Chips MOSFET Super FET III kanału N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

Układy ONsemi NVB110N65S3F MOSFET typu N SUPERFET III 650V 30A 110mΩ Ultra‑Low Qg 58nC

Opis

Urządzenie charakteryzuje się następującymi wskaźnikami rezystancji termicznej: maksymalna rezystancja termiczna złącze-obudowa (RθJC​) wynosząca 0,52 °C/W i maksymalna rezystancja termiczna złącze-otoczenie (RθJA​) wynosząca 40 °C/W. Dla charakterystyk elektrycznych przy TC​=25∘C chyba że zaznaczono inaczej, napięcie przebicia dren-źródło (BVDSS​) wynosi 650 V przy VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, i 700 V przy VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, ze współczynnikiem temperaturowym napięcia przebicia (ΔBVDSS​/ΔTJ​) wynoszącym 0,61 V/°C. Prąd drenu przy zerowym napięciu bramki (IDSS​) wynosi maksymalnie 10 μA przy VDS​=650 V, VGS​=0 V, i typowo 128 μA przy VDS​=520 V, TC​=125∘C, podczas gdy prąd upływu bramki do obudowy (IGSS​) wynosi maksymalnie ±100 nA przy VDS​=0 V, VGS​=±30 V. Napięcie progowe bramki (VGS(th)​) wynosi od 3,0 V do 5,0 V, statyczna rezystancja dren-źródło w stanie włączenia (RDS(on)​) ma typową wartość 93 mΩ i maksymalną 110 mΩ przy VGS​=10 V, ID​=15 A, a transkonduktancja (gFS​) ma typową wartość 17 S przy VGS​=20 V, ID​=15 A. Dla charakterystyk dynamicznych, pojemność wejściowa (Ciss​) wynosi typowo 2560 pF, pojemność wyjściowa (Coss​) wynosi typowo 50 pF, efektywna pojemność wyjściowa (Coss(eff.)​) wynosi typowo 553 pF, a pojemność związana z energią wyjściową (Coss(er.)​) wynosi typowo 83 pF. Całkowity ładunek bramki (Qg(total)​) wynosi typowo 58 nC, ładunek bramki-źródła (Qgs​) wynosi typowo 19 nC, ładunek bramki-drenu "Miller" (Qgd​) wynosi typowo 23 nC, a równoważna rezystancja szeregowa (ESR) wynosi typowo 2 Ω przy 1 MHz. Dla charakterystyk przełączania przy VGS​=10 V, czas opóźnienia włączenia (td(on)​) wynosi typowo 29 ns, czas narastania (tr​) wynosi typowo 32 ns, czas opóźnienia wyłączenia (td(off)​) wynosi typowo 61 ns, a czas opadania (tf​) wynosi typowo 16 ns. Dla charakterystyk diody źródło-dren, maksymalny ciągły prąd przewodzenia diody źródło-dren (IS​) wynosi 30 A, maksymalny prąd impulsowy (ISM​) wynosi 69 A, napięcie przewodzenia diody źródło-dren (VSD​) wynosi typowo -1,3 V, czas odzyskiwania odwrotnego (trr​) wynosi typowo 94 ns, a ładunek odzyskiwania odwrotnego (Qrr​) wynosi typowo 343 nC. Parametry produktu są wskazane dla podanych warunków testowych, a wydajność może się różnić w przypadku pracy w innych warunkach, przy czym typowe charakterystyki są zasadniczo niezależne od temperatury pracy.