NVB110N65S3F ONsemi Чипы N-канальный SUPERFET III MOSFET 650 В 30 А 110 мОм Ultra Low Qg 58 нКл

Чипы ONsemi NVB110N65S3F N-канальный SUPERFET III MOSFET 650 В 30 А 110 мОм Сверхнизкий Qg 58 нКл

Описание

Устройство имеет следующие рейтинги теплового сопротивления: максимальное тепловое сопротивление переход-корпус (GSθDa) 0,52 °C/Вт и максимальное тепловое сопротивление переход-окружение (GSθDe) 40 °C/Вт. Для электрических характеристик при Ca) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (°) имеет максимум ±100 нА при Va если не указано иное, напряжение пробоя сток-исток (​D) составляет 650 В при r) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (30 oss​) составляет типично 32 нс, время задержки выключения ( мА, ​ossCD) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (°) имеет максимум ±100 нА при VaGSr) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (30 oss​) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (t ​ossCD) составляет типично 32 нс, время задержки выключения ((30VaDSS​D) 0,61 В/°C. Ток стока при нулевом напряжении затвора (CD​​D​) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (​ ossr) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (30 520) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (12 ossCa) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (​) имеет максимум ±100 нА при VaS​= В, ) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (30 ossr) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (​) находится в диапазоне от 3,0 В до 5,0 В, статическое сопротивление сток-исток во включенном состоянии ( DrSM)VVGSSM​) составляет типично 61 нс, а время спада (V=r) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (t oss​) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (( eDn= А. Для динамических характеристик входная емкость (r) составляет типично 32 нс, время задержки выключения () составляет типично 2560 пФ, выходная емкость ( oss​) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (( effa)​Cal.alSMQ) составляет 69 А, прямое напряжение диода исток-сток () составляет типично 58 нКл, заряд затвор-исток (VtalSM​) составляет типично 58 нКл, заряд затвор-исток (VsnSM​) составляет типично 23 нКл, а эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) составляет типично 2 Ом при 1 МГц. Для характеристик переключения при VV=nt(nI) составляет типично 29 нс, время нарастания (r) составляет типично 32 нс, время задержки выключения (t (ISM​) составляет типично 61 нс, а время спада (V​I​ISM​) составляет 69 А, прямое напряжение диода исток-сток (VD) составляет типично -1,3 В, время обратного восстановления (rr​rr​) составляет типично 343 нКл. Параметрическая производительность продукта указана для перечисленных условий испытаний, и производительность может варьироваться при работе в других условиях, при этом типичные характеристики практически не зависят от рабочей температуры.