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NVB110N65S3F ONsemi चिप्स एन चैनल SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ अल्ट्रा लो Qg 58nC

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NVB110N65S3F ONsemi चिप्स एन चैनल SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ अल्ट्रा लो Qg 58nC

ब्रांड का नाम:	ON
मॉडल नंबर:	NVB110N65S3F
MOQ:	1000 पीसी
पैकेजिंग विवरण:	1000 पीसी/रील
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

नाली-स्रोत वोल्टेज:

650 वी

जंक्शन/भंडारण तापमान:

-55℃~150℃

लीड सोल्डरिंग तापमान:

पावर डेरेट:

1.92 डब्लू/℃

शक्ति का अपव्यय:

240 डब्ल्यू

स्पंदित नाली वर्तमान:

हिमस्खलन धारा:

3.5 ए

आपूर्ति की क्षमता:

1000000

प्रमुखता देना:

NVB110N65S3F एन चैनल MOSFET

ONsemi चिप्स SUPERFET III MOSFET

650V एन चैनल मोस्फेट

उत्पाद वर्णन

ONsemi चिप्स NVB110N65S3F N-चैनल SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ अल्ट्रा-लो Qg 58nC

विवरण

SUPERFET® III MOSFET ON Semiconductor का बिल्कुल नया हाई वोल्टेज सुपर-जंक्शन (SJ) MOSFET परिवार है जो उत्कृष्ट कम ऑन-रेसिस्टेंस और कम गेट चार्ज प्रदर्शन के लिए चार्ज बैलेंस तकनीक का उपयोग करता है। यह उन्नत तकनीक कंडक्शन लॉस को कम करने, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करने और अत्यधिक dv/dt दर का सामना करने के लिए तैयार की गई है।

नतीजतन, SUPERFET III MOSFET लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए विभिन्न पावर सिस्टम के लिए बहुत उपयुक्त है। SUPERFET III FRFET® MOSFET का अनुकूलित रिवर्स रिकवरी प्रदर्शन बॉडी डायोड अतिरिक्त घटक को हटा सकता है और सिस्टम विश्वसनीयता में सुधार कर सकता है।

विशेषताएं

• 700 V @ TJ = 150°C

• विशिष्ट RDS(on) = 93 mΩ

• अल्ट्रा लो गेट चार्ज (विशिष्ट Qg = 58 nC)

• लो इफेक्टिव आउटपुट कैपेसिटेंस (विशिष्ट Coss(eff.) = 533 pF)

• 100% एवलांच टेस्टेड

• AEC-Q101 के साथ क्वालिफाइड

• ये डिवाइस Pb-Free हैं और RoHS कंप्लायंट हैं

विशिष्ट अनुप्रयोग

• ऑटोमोटिव ऑन बोर्ड चार्जर

• HEV के लिए ऑटोमोटिव DC/DC कन्वर्टर

एब्सोल्यूट मैक्सिमम रेटिंग्स (TC = 25°C जब तक अन्यथा न कहा गया हो)

एन-चैनल पावर MOSFET में निम्नलिखित एब्सोल्यूट मैक्सिमम रेटिंग्स हैं: ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (V_DSS) 650 V है; गेट-टू-सोर्स वोल्टेज (V_GS) दोनों DC और AC (f > 1 Hz) स्थितियों के लिए ±30 V है। ड्रेन करंट (I_D) T_C = 25°C पर 30 A कंटीन्यूअस और T_C = 100°C पर 19.5 A कंटीन्यूअस है, जबकि पल्स्ड ड्रेन करंट (I_DM) 69 A है (पल्स-विड्थ अधिकतम जंक्शन तापमान द्वारा सीमित)। सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी (E_AS) 380 mJ है, एवलांच करंट (I_AS) 3.5 A है, और रिपीटेड एवलांच एनर्जी (E_AR) 2.4 mJ है। MOSFET dv/dt रेटिंग 100 V/ns है, और पीक डायोड रिकवरी dv/dt 50 V/ns है। पावर डिसिपेशन (P_D) T_C = 25°C पर 240 W है, जिसमें 25°C से ऊपर 1.92 W/°C की डेरेटिंग है। ऑपरेटिंग जंक्शन और स्टोरेज तापमान (T_J, T_stg) -55 से 150 °C तक होता है, और सोल्डरिंग के लिए अधिकतम लीड तापमान (केस से 1/8" 5 सेकंड के लिए, T_L) 300 °C है। सूचीबद्ध अधिकतम रेटिंग से अधिक तनाव डिवाइस को नुकसान पहुंचा सकते हैं, और यदि इनमें से कोई भी सीमा पार हो जाती है तो डिवाइस की कार्यक्षमता को नहीं माना जाना चाहिए, क्योंकि नुकसान हो सकता है और विश्वसनीयता प्रभावित हो सकती है।

डिवाइस में निम्नलिखित थर्मल रेजिस्टेंस रेटिंग्स हैं: अधिकतम जंक्शन-टू-केस थर्मल रेजिस्टेंस () 0.52 °C/W और अधिकतम जंक्शन-टू-एम्बिएंट थर्मल रेजिस्टेंस () 40 °C/W। पर इलेक्ट्रिकल कैरेक्टरिस्टिक्स के लिए जब तक अन्यथा न कहा गया हो, ड्रेन-टू-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज () 650 V है , , , और 700 V , , , ब्रेकडाउन वोल्टेज तापमान गुणांक () 0.61 V/°C के साथ। जीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट () का अधिकतम मान 10 µA है , , और एक विशिष्ट मान 128 µA है , , जबकि गेट-टू-बॉडी लीकेज करंट () का अधिकतम मान ±100 nA है , . गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज () 3.0 V से 5.0 V तक होता है, स्टैटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन रेजिस्टेंस () का विशिष्ट मान 93 mΩ और अधिकतम मान 110 mΩ है , , और फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस () का विशिष्ट मान 17 S है , . डायनामिक कैरेक्टरिस्टिक्स के लिए, इनपुट कैपेसिटेंस () आमतौर पर 2560 pF है, आउटपुट कैपेसिटेंस () आमतौर पर 50 pF है, इफेक्टिव आउटपुट कैपेसिटेंस () आमतौर पर 553 pF है, और एनर्जी रिलेटेड आउटपुट कैपेसिटेंस () आमतौर पर 83 pF है। टोटल गेट चार्ज () आमतौर पर 58 nC है, गेट-टू-सोर्स चार्ज () आमतौर पर 19 nC है, गेट-टू-ड्रेन "मिलर" चार्ज () आमतौर पर 23 nC है, और इक्विवेलेंट सीरीज रेजिस्टेंस (ESR) 1 MHz पर आमतौर पर 2 Ω है। पर स्विचिंग कैरेक्टरिस्टिक्स के लिए, टर्न-ऑन डिले टाइम () आमतौर पर 29 ns है, राइज टाइम () आमतौर पर 32 ns है, टर्न-ऑफ डिले टाइम () आमतौर पर 61 ns है, और फॉल टाइम () आमतौर पर 16 ns है। सोर्स-ड्रेन डायोड कैरेक्टरिस्टिक्स के लिए, अधिकतम कंटीन्यूअस सोर्स-टू-ड्रेन डायोड फॉरवर्ड करंट () 30 A है, अधिकतम पल्स्ड करंट () 69 A है, सोर्स-टू-ड्रेन डायोड फॉरवर्ड वोल्टेज () आमतौर पर -1.3 V है, रिवर्स-रिकवरी टाइम () आमतौर पर 94 ns है, और रिवर्स-रिकवरी चार्ज () आमतौर पर 343 nC है। प्रोडक्ट पैरामीट्रिक परफॉरमेंस सूचीबद्ध टेस्ट कंडीशंस के लिए इंगित की गई है, और विभिन्न कंडीशंस के तहत ऑपरेट होने पर परफॉरमेंस भिन्न हो सकती है, जिसमें विशिष्ट कैरेक्टरिस्टिक्स ऑपरेटिंग तापमान से अनिवार्य रूप से स्वतंत्र होती हैं।

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