NVB110N65S3F ONsemi Chips MOSFET SUPERFET III de canal N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

Chips ONsemi NVB110N65S3F MOSFET de canal N SUPERFET III 650V 30A 110mΩ Qg ultra bajo 58nC

Descripción

El dispositivo presenta las siguientes clasificaciones de resistencia térmica: una resistencia térmica máxima de unión a encapsulado (RθJC​) de 0.52 °C/W y una resistencia térmica máxima de unión a ambiente (RθJA​) de 40 °C/W. Para características eléctricas a TC​=25∘C a menos que se indique lo contrario, el voltaje de ruptura drenador-fuente (BVDSS​) es 650 V a VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, y 700 V a VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, con un coeficiente de temperatura de voltaje de ruptura (ΔBVDSS​/ΔTJ​) de 0.61 V/°C. La corriente de drenador a voltaje de puerta cero (IDSS​) tiene un máximo de 10 μA a VDS​=650 V, VGS​=0 V, y un valor típico de 128 μA a VDS​=520 V, TC​=125∘C, mientras que la corriente de fuga puerta-cuerpo (IGSS​) tiene un máximo de ±100 nA a VDS​=0 V, VGS​=±30 V. El voltaje umbral de puerta (VGS(th)​) varía de 3.0 V a 5.0 V, la resistencia estática drenador-fuente en encendido (RDS(on)​) tiene un valor típico de 93 mΩ y un máximo de 110 mΩ a VGS​=10 V, ID​=15 A, y la transconductancia directa (gFS​) tiene un valor típico de 17 S a VGS​=20 V, ID​=15 A. Para características dinámicas, la capacitancia de entrada (Ciss​) es típicamente 2560 pF, la capacitancia de salida (Coss​) es típicamente 50 pF, la capacitancia de salida efectiva (Coss(eff.)​) es típicamente 553 pF, y la capacitancia de salida relacionada con la energía (Coss(er.)​) es típicamente 83 pF. La carga total de puerta (Qg(total)​) es típicamente 58 nC, la carga de puerta a puerta (Qgs​) es típicamente 19 nC, la carga "Miller" de puerta a drenador (Qgd​) es típicamente 23 nC, y la resistencia serie equivalente (ESR) es típicamente 2 Ω a 1 MHz. Para características de conmutación a VGS​=10 V, el tiempo de retardo de encendido (td(on)​) es típicamente 29 ns, el tiempo de subida (tr​) es típicamente 32 ns, el tiempo de retardo de apagado (td(off)​) es típicamente 61 ns, y el tiempo de bajada (tf​) es típicamente 16 ns. Para características de diodo fuente-drenador, la corriente continua máxima del diodo fuente-drenador en directa (IS​) es 30 A, la corriente pulsada máxima (ISM​) es 69 A, el voltaje directo del diodo fuente-drenador (VSD​) es típicamente -1.3 V, el tiempo de recuperación inversa (trr​) es típicamente 94 ns, y la carga de recuperación inversa (Qrr​) es típicamente 343 nC. El rendimiento paramétrico del producto se indica para las condiciones de prueba enumeradas, y el rendimiento puede variar si se opera bajo diferentes condiciones, con características típicas esencialmente independientes de la temperatura de operación.