NVB110N65S3F ONsemi ชิป N Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

ชิป ONsemi NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

คำอธิบาย

อุปกรณ์มีพิกัดความต้านทานความร้อนดังต่อไปนี้: ความต้านทานความร้อนสูงสุดจากรอยต่อถึงเคส (RθJC​) คือ 0.52 °C/W และความต้านทานความร้อนสูงสุดจากรอยต่อถึงสภาพแวดล้อม (RθJA​) คือ 40 °C/W สำหรับลักษณะทางไฟฟ้าที่ TC​=25∘C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น แรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์เดรน-ซอร์ส (BVDSS​) คือ 650 V ที่ VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, และ 700 V ที่ VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, โดยมีสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของแรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ (ΔBVDSS​/ΔTJ​) คือ 0.61 V/°C กระแสเดรนแรงดันเกตเป็นศูนย์ (IDSS​) มีค่าสูงสุด 10 μA ที่ VDS​=650 V, VGS​=0 V, และค่าโดยทั่วไป 128 μA ที่ VDS​=520 V, TC​=125∘C, ในขณะที่กระแสรั่วไหลของเกตต่อบอดี้ (IGSS​) มีค่าสูงสุด ±100 nA ที่ VDS​=0 V, VGS​=±30 V. ช่วงแรงดันไฟฟ้าเกต-ซอร์สที่ตั้งค่า (VGS(th)​) อยู่ระหว่าง 3.0 V ถึง 5.0 V, ความต้านทานเดรน-ซอร์สแบบสถิต (RDS(on)​) มีค่าโดยทั่วไป 93 mΩ และสูงสุด 110 mΩ ที่ VGS​=10 V, ID​=15 A, และค่า transconductance ไปข้างหน้า (gFS​) มีค่าโดยทั่วไป 17 S ที่ VGS​=20 V, ID​=15 A. สำหรับลักษณะการสลับ, ความจุอินพุต (Ciss​) โดยทั่วไปคือ 2560 pF, ความจุเอาต์พุต (Coss​) โดยทั่วไปคือ 50 pF, ความจุเอาต์พุตประสิทธิผล (Coss(eff.)​) โดยทั่วไปคือ 553 pF, และความจุเอาต์พุตที่เกี่ยวข้องกับพลังงาน (Coss(er.)​) โดยทั่วไปคือ 83 pF ประจุเกตทั้งหมด (Qg(total)​) โดยทั่วไปคือ 58 nC, ประจุเกต-ซอร์ส (Qgs​) โดยทั่วไปคือ 19 nC, ประจุ "Miller" เกต-เดรน (Qgd​) โดยทั่วไปคือ 23 nC, และความต้านทานอนุกรมสมมูล (ESR) โดยทั่วไปคือ 2 Ω ที่ 1 MHz สำหรับลักษณะการสลับที่ VGS​=10 V, เวลาหน่วงเวลาเปิด (td(on)​) โดยทั่วไปคือ 29 ns, เวลาขาขึ้น (tr​) โดยทั่วไปคือ 32 ns, เวลาหน่วงเวลาปิด (td(off)​) โดยทั่วไปคือ 61 ns, และเวลาขาลง (tf​) โดยทั่วไปคือ 16 ns สำหรับลักษณะไดโอดแหล่งกำเนิด-เดรน, กระแสต่อเนื่องสูงสุดของไดโอดแหล่งกำเนิด-เดรน (IS​) คือ 30 A, กระแสสูงสุดแบบพัลส์ (ISM​) คือ 69 A, แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของไดโอดแหล่งกำเนิด-เดรน (VSD​) โดยทั่วไปคือ -1.3 V, เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr​) โดยทั่วไปคือ 94 ns, และประจุการกู้คืนย้อนกลับ (Qrr​) โดยทั่วไปคือ 343 nC ประสิทธิภาพพารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์ระบุไว้สำหรับสภาวะการทดสอบที่ระบุ และประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปหากทำงานภายใต้สภาวะที่แตกต่างกัน โดยมีลักษณะทั่วไปที่ไม่ขึ้นกับอุณหภูมิการทำงาน