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NVB110N65S3F 온세미 칩스 N채널 SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ 초저Qg 58nC

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NVB110N65S3F 온세미 칩스 N채널 SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ 초저Qg 58nC

브랜드 이름:	ON
모델 번호:	NVB110N65S3F
MOQ:	1000개
포장 세부사항:	1000pcs/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

드레인-소스 전압:

650 v

접합/보관 온도:

-55C~150C

납땜 온도를 이끄세요:

전력 감소:

1.92W/℃

전력 소비:

펄스용 드레인전류:

애벌랜치 전류:

공급 능력:

1000000

강조하다:

NVB110N65S3F N채널 MOSFET

온세미 칩스 SUPERFET III MOSFET

650V N 채널 모스페트

제품 설명

ONsemi 칩 NVB110N65S3F N채널 SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

설명

SUPERFET® III MOSFET은 ON Semiconductor의 최신 고전압 슈퍼 접합(SJ) MOSFET 제품군으로, 탁월한 낮은 온 저항 및 낮은 게이트 전하 성능을 위해 전하 균형 기술을 활용합니다. 이 고급 기술은 전도 손실을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 제공하며 극한의 dv/dt 속도를 견딜 수 있도록 맞춤화되었습니다.

따라서 SUPERFET III MOSFET은 소형화 및 고효율을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다. SUPERFET III FRFET® MOSFET의 최적화된 역회복 성능의 바디 다이오드는 추가 부품을 제거하고 시스템 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.

특징

• 700V @ TJ = 150°C

• 일반 RDS(on) = 93 mΩ

• 초저 게이트 전하 (일반 Qg = 58 nC)

• 낮은 유효 출력 커패시턴스 (일반 Coss(eff.) = 533 pF)

• 100% 애벌랜치 테스트 완료

• AEC-Q101 인증

• 이 장치는 Pb-Free이며 RoHS 규격을 준수합니다.

일반적인 응용 분야

• 자동차 온보드 충전기

• HEV용 자동차 DC/DC 컨버터

절대 최대 정격 (TC = 25°C, 달리 명시되지 않은 경우)

N채널 전력 MOSFET은 다음과 같은 절대 최대 정격을 가집니다: 드레인-소스 전압(V_DSS)은 650V, 게이트-소스 전압(V_GS)은 DC 및 AC(f > 1Hz) 조건 모두에서 ±30V입니다. 드레인 전류(I_D)는 TC = 25°C에서 30A 연속, TC = 100°C에서 19.5A 연속이며, 펄스 드레인 전류(I_DM)는 69A(최대 접합 온도에 의해 제한되는 펄스 폭)입니다. 단일 펄스 애벌랜치 에너지(E_AS)는 380mJ, 애벌랜치 전류(I_AS)는 3.5A, 반복 애벌랜치 에너지(E_AR)는 2.4mJ입니다. MOSFET dv/dt 정격은 100V/ns이며, 피크 다이오드 역회복 dv/dt는 50V/ns입니다. 전력 소산(P_D)은 TC = 25°C에서 240W이며, 25°C 이상에서는 1.92W/°C로 감소합니다. 동작 접합 및 보관 온도(T_J, T_stg) 범위는 -55 ~ 150°C이며, 납땜을 위한 최대 리드 온도(케이스에서 5초 동안 1/8인치, T_L)는 300°C입니다. 여기에 명시된 최대 정격을 초과하는 스트레스는 장치를 손상시킬 수 있으며, 이러한 한계 중 하나라도 초과하면 손상이 발생하고 신뢰성에 영향을 미칠 수 있으므로 장치 기능은 보장되지 않습니다.

이 장치는 다음과 같은 열 저항 정격을 특징으로 합니다: 최대 접합부-케이스 열 저항()는 0.52°C/W이고 최대 접합부-대기열 저항()는 40°C/W입니다. 전기적 특성은 에서 (달리 명시되지 않은 경우) 드레인-소스 항복 전압()는 650V (iiGSiiDi=iD0i)Ii=Di)는 일반값 50pF, 유효 출력 커패시턴스(ff)는 일반값 553pF, 에너지 관련 출력 커패시턴스(Q)=dtfftIV)은 일반값 -1.3V, 역회복 시간()은 일반값 94ns, 역회복 전하(

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