NVB110N65S3F ONsemi چیپس ماسفت کانال N SUPERFET III 650 ولت 30 آمپر 110 میلی اهم Ultra Low Qg 58nC

تراشه‌های ONsemi NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650 ولت 30 آمپر 110 میلی‌اهم مقاومت فوق‌العاده پایین Qg 58 نانوکولن

توضیحات

این دستگاه دارای رتبه‌بندی‌های مقاومت حرارتی زیر است: حداکثر مقاومت حرارتی پیوند به کیس (SJA) 0.61 ولت بر درجه سانتی‌گراد است. جریان درین در ولتاژ صفر گیت ((RSJA) 0.61 ولت بر درجه سانتی‌گراد است. جریان درین در ولتاژ صفر گیت (CC​(V°C است، در حالی که جریان نشتی گیت به بدنه ((VDD) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس () حداکثر 10 میکروآمپر در دمای GSD=V, DD​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (V, TD​) 0.61 ولت بر درجه سانتی‌گراد است. جریان درین در ولتاژ صفر گیت (V°C است، در حالی که جریان نشتی گیت به بدنه ((GSD=V, DD​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (V, زمان تأخیر روشن شدن ( TD​) 0.61 ولت بر درجه سانتی‌گراد است. جریان درین در ولتاژ صفر گیت (V دارد. برای مشخصات دینامیکی، ظرفیت ورودی (, است، در حالی که جریان نشتی گیت به بدنه ((BVDD) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس () حداکثر 10 میکروآمپر در دمای J​) 0.61 ولت بر درجه سانتی‌گراد است. جریان درین در ولتاژ صفر گیت (D​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس () حداکثر 10 میکروآمپر در دمای DD) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (​V, DDD=V, DDD) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (​V, DD​(V°C است، در حالی که جریان نشتی گیت به بدنه ((GSS​) حداکثر ±100 نانوآمپر در دمای DD) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (​V, DDD=VV است. ولتاژ آستانه گیت ( DGSD=ff​​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (DS) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (​ff)​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (GSD=V, زمان تأخیر روشن شدن ( DD​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (V دارد. برای مشخصات دینامیکی، ظرفیت ورودی ( CFS​) مقدار معمول 17 اسیمنس در دمای GSD=V, DD​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (V دارد. برای مشخصات دینامیکی، ظرفیت ورودی ( Ci(​) معمولاً 2560 پیکوفاراد، ظرفیت خروجی (oss(eross(erff.​​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (oss(erff)​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (g​​ff​)​)​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (g​​) معمولاً 19 نانوکولن، شارژ گیت به درین "میلر" (g​​oGSD=V, زمان تأخیر روشن شدن ( Dd​off)​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (r​) معمولاً 32 نانوثانیه، زمان تأخیر خاموش شدن (d​off)​) معمولاً 61 نانوثانیه، و زمان کاهش (f​) معمولاً 16 نانوثانیه است. برای مشخصات دیود سورس به درین، حداکثر جریان پیوسته دیود سورس به درین (S​​SM​) 69 آمپر، ولتاژ فوروارد دیود سورس به درین (SD​) معمولاً -1.3 ولت، زمان بازیابی معکوس (rr​) معمولاً 343 نانوکولن است. عملکرد پارامتری محصول برای شرایط تست ذکر شده نشان داده شده است و عملکرد ممکن است در صورت کارکرد تحت شرایط متفاوت، متغیر باشد، با مشخصات معمول که اساساً مستقل از دمای عملیاتی هستند.rr​) معمولاً 343 نانوکولن است. عملکرد پارامتری محصول برای شرایط تست ذکر شده نشان داده شده است و عملکرد ممکن است در صورت کارکرد تحت شرایط متفاوت، متغیر باشد، با مشخصات معمول که اساساً مستقل از دمای عملیاتی هستند.