NVB110N65S3F ONsemi Chip Si MOSFET Kênh N SUPERFET III 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

Chip ONsemi NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

Mô tả

Thiết bị có các thông số điện trở nhiệt sau: điện trở nhiệt nối-vỏ (RθJC​) tối đa là 0.52 °C/W và điện trở nhiệt nối-môi trường xung quanh (RθJA​) tối đa là 40 °C/W. Đối với các đặc tính điện ở TC​=25∘C trừ khi có ghi chú khác, điện áp đánh thủng drain-source (BVDSS​) là 650 V ở VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, và 700 V ở VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, với hệ số nhiệt độ điện áp đánh thủng (ΔBVDSS​/ΔTJ​) là 0.61 V/°C. Dòng drain điện áp cổng bằng không (IDSS​) có giá trị tối đa là 10 μA ở VDS​=650 V, VGS​=0 V, và giá trị điển hình là 128 μA ở VDS​=520 V, TC​=125∘C, trong khi dòng rò cổng-vỏ (IGSS​) có giá trị tối đa là ±100 nA ở VDS​=0 V, VGS​=±30 V. Điện áp ngưỡng cổng (VGS(th)​) dao động từ 3.0 V đến 5.0 V, điện trở trạng thái drain-source (RDS(on)​) có giá trị điển hình là 93 mΩ và tối đa là 110 mΩ ở VGS​=10 V, ID​=15 A, và độ dẫn truyền nghịch đảo (gFS​) có giá trị điển hình là 17 S ở VGS​=20 V, ID​=15 A. Đối với các đặc tính động, điện dung đầu vào (Ciss​) điển hình là 2560 pF, điện dung đầu ra (Coss​) điển hình là 50 pF, điện dung đầu ra hiệu dụng (Coss(eff.)​) điển hình là 553 pF, và điện dung đầu ra liên quan đến năng lượng (Coss(er.)​) điển hình là 83 pF. Tổng điện tích cổng (Qg(total)​) điển hình là 58 nC, điện tích cổng-nguồn (Qgs​) điển hình là 19 nC, điện tích cổng-drain "Miller" (Qgd​) điển hình là 23 nC, và điện trở nối tiếp tương đương (ESR) điển hình là 2 Ω ở 1 MHz. Đối với các đặc tính chuyển mạch ở VGS​=10 V, thời gian trễ bật (td(on)​) điển hình là 29 ns, thời gian lên (tr​) điển hình là 32 ns, thời gian trễ tắt (td(off)​) điển hình là 61 ns, và thời gian xuống (tf​) điển hình là 16 ns. Đối với các đặc tính diode nguồn-drain, dòng diode nguồn-drain liên tục tối đa (IS​) là 30 A, dòng xung tối đa (ISM​) là 69 A, điện áp thuận diode nguồn-drain (VSD​) điển hình là -1.3 V, thời gian phục hồi ngược (trr​) điển hình là 94 ns, và điện tích phục hồi ngược (Qrr​) điển hình là 343 nC. Hiệu suất tham số sản phẩm được chỉ ra cho các điều kiện kiểm tra được liệt kê và hiệu suất có thể thay đổi nếu hoạt động trong các điều kiện khác nhau, với các đặc tính điển hình về cơ bản không phụ thuộc vào nhiệt độ hoạt động.