NVB110N65S3F ONsemi Chips MOSFET Saluran-N SUPERFET III 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

Chip ONsemi NVB110N65S3F N‑Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra‑Low Qg 58nC

Deskripsi

Perangkat ini memiliki peringkat resistansi termal berikut: resistansi termal sambungan-ke-casing maksimum (RθJC​) sebesar 0,52 °C/W dan resistansi termal sambungan-ke-ambient maksimum (RθJA​) sebesar 40 °C/W. Untuk karakteristik listrik pada TC​=25∘C kecuali dinyatakan lain, tegangan breakdown drain-ke-source (BVDSS​) adalah 650 V pada VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, dan 700 V pada VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, dengan koefisien suhu tegangan breakdown (ΔBVDSS​/ΔTJ​) sebesar 0,61 V/°C. Arus drain tanpa tegangan gerbang (IDSS​) maksimum adalah 10 μA pada VDS​=650 V, VGS​=0 V, dan nilai tipikal 128 μA pada VDS​=520 V, TC​=125∘C, sedangkan arus bocor gerbang-ke-badan (IGSS​) maksimum adalah ±100 nA pada VDS​=0 V, VGS​=±30 V. Tegangan ambang gerbang (VGS(th)​) berkisar dari 3,0 V hingga 5,0 V, resistansi on drain-ke-source statis (RDS(on)​) memiliki nilai tipikal 93 mΩ dan maksimum 110 mΩ pada VGS​=10 V, ID​=15 A, dan transkonduktansi forward (gFS​) memiliki nilai tipikal 17 S pada VGS​=20 V, ID​=15 A. Untuk karakteristik dinamis, kapasitansi input (Ciss​) biasanya 2560 pF, kapasitansi output (Coss​) biasanya 50 pF, kapasitansi output efektif (Coss(eff.)​) biasanya 553 pF, dan kapasitansi output terkait energi (Coss(er.)​) biasanya 83 pF. Muatan gerbang total (Qg(total)​) biasanya 58 nC, muatan gerbang-ke-gerbang (Qgs​) biasanya 19 nC, muatan "Miller" gerbang-ke-gerbang (Qgd​) biasanya 23 nC, dan resistansi seri ekuivalen (ESR) biasanya 2 Ω pada 1 MHz. Untuk karakteristik switching pada VGS​=10 V, waktu tunda nyala (td(on)​) biasanya 29 ns, waktu naik (tr​) biasanya 32 ns, waktu tunda mati (td(off)​) biasanya 61 ns, dan waktu turun (tf​) biasanya 16 ns. Untuk karakteristik dioda sumber-sumber, arus dioda sumber-ke-sumber kontinu maksimum (IS​) adalah 30 A, arus pulsa maksimum (ISM​) adalah 69 A, tegangan dioda sumber-ke-sumber (VSD​) biasanya -1,3 V, waktu pemulihan terbalik (trr​) biasanya 94 ns, dan muatan pemulihan terbalik (Qrr​) biasanya 343 nC. Kinerja parametrik produk ditunjukkan untuk kondisi pengujian yang tercantum, dan kinerja dapat bervariasi jika dioperasikan dalam kondisi yang berbeda, dengan karakteristik tipikal pada dasarnya tidak bergantung pada suhu operasi.