logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
ONsemi Çipleri
Created with Pixso.

NVB110N65S3F ONsemi Çip N Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Düşük Qg 58nC

NVB110N65S3F ONsemi Çip N Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Düşük Qg 58nC

Marka Adı: ON
Model Numarası: NVB110N65S3F
Adedi: 1000 Adet
Paketleme Detayları: 1000 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Drenaj Kaynağı Gerilimi:
650 V
Bağlantı/Depolama Sıcaklığı:
-55°C~150°C
Kurşun Lehimleme sıcaklığı:
300°C
Güç Azaltımı:
1,92W/°C
Güç Dağılımı:
240 W
Darbeli tahliye akımı:
69 bir
Çığ Akıntısı:
3,5 bir
Yetenek temini:
1000000
Vurgulamak:

NVB110N65S3F N Kanal MOSFET

,

ONsemi Çip SUPERFET III MOSFET

,

650V N Kanal Mosfet

Ürün Açıklaması

ONsemi çipleri NVB110N65S3F N‑Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra‑Düşük Qg 58nC

 

Açıklama

 
SUPERFET® III MOSFET, ON Semiconductor'ın olağanüstü düşük direnç ve daha düşük kapı yükü performansı için yük dengeleme teknolojisini kullanan yepyeni yüksek voltajlı süper-junction (SJ) MOSFET ailesidir. Bu gelişmiş teknoloji, iletim kaybını en aza indirmek, üstün anahtarlama performansı sağlamak ve aşırı dv/dt oranına dayanmak için tasarlanmıştır.
 
Sonuç olarak, SUPERFET III MOSFET, minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç sistemleri için çok uygundur. SUPERFET III FRFET® MOSFET'in optimize edilmiş ters toparlanma performansı, ek bileşeni kaldırabilir ve sistem güvenilirliğini artırabilir.
 
 
Özellikler
• 700 V @ TJ = 150°C
• Tip. RDS(on) = 93 mΩ
• Ultra Düşük Kapı Yükü (Tip. Qg = 58 nC)
• Düşük Etkin Çıkış Kapasitansı (Tip. Coss(eff.) = 533 pF)
• %100 Avalanş Testli
• AEC−Q101 ile Nitelikli
• Bu Cihazlar Kurşunsuz ve RoHS Uyumlu
 
Tipik Uygulamalar
• Otomotiv Araç İçi Şarj Cihazı
• HEV için Otomotiv DC/DC Dönüştürücü

 

MUTLAK MAKSİMUM DEĞERLER (TC = 25°C aksi belirtilmedikçe)

 
N-kanal güç MOSFET'i aşağıdaki mutlak maksimum değerlere sahiptir: Drain-Source Voltajı (V_DSS) 650 V; Gate-Source Voltajı (V_GS) hem DC hem de AC (f > 1 Hz) koşulları için ±30 V'tur. Drain Akımı (I_D) T_C = 25°C'de 30 A sürekli ve T_C = 100°C'de 19.5 A sürekli, Darbe Drain Akımı (I_DM) ise 69 A'dır (maksimum bağlantı sıcaklığı ile sınırlı darbe genişliği). Tek Darbe Avalanş Enerjisi (E_AS) 380 mJ, Avalanş Akımı (I_AS) 3.5 A ve Tekrarlanan Avalanş Enerjisi (E_AR) 2.4 mJ'dir. MOSFET dv/dt değeri 100 V/ns ve Tepe Diyot Toparlanma dv/dt değeri 50 V/ns'dir. Güç Dağılımı (P_D) T_C = 25°C'de 240 W'tır, 25°C'nin üzerinde 1.92 W/°C'lik bir düşüşle. Çalışma Bağlantı ve Depolama Sıcaklığı (T_J, T_stg) -55 ila 150 °C aralığındadır ve Lehimleme için Maksimum Kurşun Sıcaklığı (kasa kenarından 5 saniye boyunca 1/8", T_L) 300 °C'dir. Bu listelenen maksimum değerleri aşan stresler cihaza zarar verebilir ve bu limitlerden herhangi biri aşılırsa, hasar oluşabileceği ve güvenilirlik etkilenebileceği için cihaz işlevselliği varsayılmamalıdır.

 

 

 

Cihaz aşağıdaki termal direnç değerlerine sahiptir: maksimum bağlantıdan kasaya termal direnç () 0.52 °C/W ve maksimum bağlantıdan çevreye termal direnç () 40 °C/W'dir. iken elektriksel özellikler için aksi belirtilmedikçe, drain-source breakdown voltajı () , , iken 650 V'tur ve , , iken 700 V'tur, breakdown voltajı sıcaklık katsayısı () 0.61 V/°C'dir. Sıfır kapı voltajı drain akımı () , iken maksimum 10 μA'dır ve , iken tipik 128 μA'dır, kapı-gövde kaçak akımı () , iken maksimum ±100 nA'dır. Kapı eşik voltajı () 3.0 V ila 5.0 V aralığındadır, statik drain-source açık direnci () , iken tipik 93 mΩ ve maksimum 110 mΩ değerine sahiptir, ileri transkondüktans () , iken tipik 17 S değerine sahiptir. Dinamik özellikler için, giriş kapasitansı () tipik olarak 2560 pF, çıkış kapasitansı () tipik olarak 50 pF, etkin çıkış kapasitansı () tipik olarak 553 pF ve enerji ile ilgili çıkış kapasitansı () tipik olarak 83 pF'dir. Toplam kapı yükü () tipik olarak 58 nC, kapı-kaynak yükü () tipik olarak 19 nC, kapı-drain "Miller" yükü () tipik olarak 23 nC ve eşdeğer seri direnç (ESR) 1 MHz'de tipik olarak 2 Ω'dır. iken anahtarlama özellikleri için, açılma gecikme süresi () tipik olarak 29 ns, yükselme süresi () tipik olarak 32 ns, kapanma gecikme süresi () tipik olarak 61 ns ve düşme süresi () tipik olarak 16 ns'dir. Kaynak-drain diyot özellikleri için, maksimum sürekli kaynak-drain diyot ileri akımı () 30 A, maksimum darbe akımı () 69 A, kaynak-drain diyot ileri voltajı () tipik olarak -1.3 V, ters-toparlanma süresi () tipik olarak 94 ns ve ters-toparlanma yükü () tipik olarak 343 nC'dir. Ürün parametrik performansı listelenen test koşulları için belirtilmiştir ve farklı koşullar altında çalıştırıldığında performans değişebilir, tipik özellikler çalışma sıcaklığından büyük ölçüde bağımsızdır.

 
NVB110N65S3F ONsemi Çip N Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Düşük Qg 58nC
 

NVB110N65S3F ONsemi Çip N Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Düşük Qg 58nC

NVB110N65S3F ONsemi Çip N Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra Düşük Qg 58nC