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NVB110N65S3F ONsemi Chip SUPERFET III MOSFET a canale N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

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NVB110N65S3F ONsemi Chip SUPERFET III MOSFET a canale N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

Marchio:	ON
Numero di modello:	NVB110N65S3F
MOQ:	1000 pezzi
Dettagli dell'imballaggio:	1000 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Tensione di Scolo-fonte:

650 v

Temperatura di giunzione/stoccaggio:

-55℃~150℃

Temperatura di saldatura del cavo:

300 ℃

Declassamento della potenza:

1,92 W/℃

Dissipazione di potenza:

240 W

Corrente pulsata dello scolo:

Corrente della valanga:

3,5 A

Capacità di alimentazione:

1000000

Evidenziare:

NVB110N65S3F MOSFET a canale N

ONsemi Chip SUPERFET III MOSFET

650V N Canale Mosfet

Descrizione del prodotto

Chip ONsemi NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

Descrizione

SUPERFET® III MOSFET è la nuovissima famiglia di MOSFET super-junction (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia charge balance per prestazioni eccezionali a bassa resistenza on e a carica di gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è studiata per minimizzare la perdita di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere a velocità dv/dt estreme.

Di conseguenza, SUPERFET III MOSFET è molto adatto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo del corpo dei MOSFET SUPERFET III FRFET® possono eliminare componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

Caratteristiche

• 700 V @ TJ = 150°C

• RDS(on) tipica = 93 mΩ

• Carica di gate ultra bassa (Qg tipica = 58 nC)

• Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) tipica = 533 pF)

• Testato al 100% in valanga

• Qualificato AEC-Q101

• Questi dispositivi sono senza piombo e conformi a RoHS

Applicazioni tipiche

• Caricabatterie di bordo per autoveicoli

• Convertitore DC/DC per autoveicoli per HEV

VALORI MASSIMI ASSOLUTI (TC = 25°C se non diversamente specificato)

Il MOSFET di potenza a canale N ha i seguenti valori massimi assoluti: Tensione Drain-Source (V_DSS) è 650 V; Tensione Gate-Source (V_GS) è ±30 V per condizioni DC e AC (f > 1 Hz). Corrente di Drain (I_D) è 30 A continua a T_C = 25°C e 19,5 A continua a T_C = 100°C, mentre la Corrente di Drain Pulsata (I_DM) è 69 A (larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima). Energia di Valanga a Impulso Singolo (E_AS) è 380 mJ, Corrente di Valanga (I_AS) è 3,5 A, ed Energia di Valanga Ripetuta (E_AR) è 2,4 mJ. La velocità dv/dt del MOSFET è 100 V/ns e il picco di velocità dv/dt di recupero del diodo è 50 V/ns. Dissipazione di Potenza (P_D) è 240 W a T_C = 25°C, con una riduzione di 1,92 W/°C sopra i 25°C. L'intervallo di temperatura di giunzione operativa e di stoccaggio (T_J, T_stg) va da -55 a 150 °C, e la temperatura massima del piombo per la saldatura (1/8" dal case per 5 secondi, T_L) è 300 °C. Stress che superano questi valori massimi indicati possono danneggiare il dispositivo, e la funzionalità del dispositivo non deve essere presunta se uno qualsiasi di questi limiti viene superato, poiché potrebbero verificarsi danni e la affidabilità potrebbe essere compromessa.

Il dispositivo presenta le seguenti caratteristiche di resistenza termica: una resistenza termica massima giunzione-case (RCGS= 1 mA, T= 125°C, mentre la corrente di fuga gate-body (thIissoss)) è tipicamente 23 nC, e la resistenza serie equivalente (ESR) è tipicamente 2 Ω a 1 MHz. Per le caratteristiche di commutazione a (SM

NVB110N65S3F ONsemi Chip SUPERFET III MOSFET a canale N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

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