NVB110N65S3F ONsemi Chips N-Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

ONsemi-Chips NVB110N65S3F N-Kanal SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

Beschreibung

Das Bauteil weist folgende thermische Widerstandswerte auf: einen maximalen thermischen Widerstand von Sperrschicht zu Gehäuse (RθJC​) von 0,52 °C/W und einen maximalen thermischen Widerstand von Sperrschicht zu Umgebung (RθJA​) von 40 °C/W. Für elektrische Eigenschaften bei TC​=25∘C sofern nicht anders angegeben, beträgt die Durchbruchspannung Drain-Source (BVDSS​) 650 V bei VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, und 700 V bei VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, mit einem Temperaturkoeffizienten der Durchbruchspannung (ΔBVDSS​/ΔTJ​) von 0,61 V/°C. Der Sperrstrom bei Null Gate-Spannung (IDSS​) beträgt maximal 10 μA bei VDS​=650 V, VGS​=0 V, und ein typischer Wert von 128 μA bei VDS​=520 V, TC​=125∘C, während der Gate-Body-Leckstrom (IGSS​) maximal ±100 nA bei VDS​=0 V, VGS​=±30 V beträgt. Die Gate-Schwellenspannung (VGS(th)​) reicht von 3,0 V bis 5,0 V, der statische Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)​) hat einen typischen Wert von 93 mΩ und einen Maximalwert von 110 mΩ bei VGS​=10 V, ID​=15 A, und die Vorwärtstranskonduktanz (gFS​) hat einen typischen Wert von 17 S bei VGS​=20 V, ID​=15 A. Für dynamische Eigenschaften beträgt die Eingangskapazität (Ciss​) typischerweise 2560 pF, die Ausgangskapazität (Coss​) typischerweise 50 pF, die effektive Ausgangskapazität (Coss(eff.)​) typischerweise 553 pF und die energiebezogene Ausgangskapazität (Coss(er.)​) typischerweise 83 pF. Die gesamte Gate-Ladung (Qg(total)​) beträgt typischerweise 58 nC, die Gate-Source-Ladung (Qgs​) typischerweise 19 nC, die Gate-Drain-"Miller"-Ladung (Qgd​) typischerweise 23 nC und der äquivalente Serienwiderstand (ESR) beträgt typischerweise 2 Ω bei 1 MHz. Für Schaltcharakteristiken bei VGS​=10 V beträgt die Einschaltverzögerungszeit (td(on)​) typischerweise 29 ns, die Anstiegszeit (tr​) typischerweise 32 ns, die Ausschaltverzögerungszeit (td(off)​) typischerweise 61 ns und die Abfallzeit (tf​) typischerweise 16 ns. Für Source-Drain-Diodencharakteristiken beträgt der maximale kontinuierliche Source-Drain-Dioden-Vorwärtsstrom (IS​) 30 A, der maximale Spitzenstrom (ISM​) 69 A, die Source-Drain-Dioden-Vorwärtsspannung (VSD​) typischerweise -1,3 V, die Sperrverzögerungszeit (trr​) typischerweise 94 ns und die Sperrverzögerungsladung (Qrr​) typischerweise 343 nC. Die parametrische Leistung des Produkts wird für die angegebenen Testbedingungen angegeben, und die Leistung kann bei Betrieb unter anderen Bedingungen variieren, wobei die typischen Eigenschaften im Wesentlichen unabhängig von der Betriebstemperatur sind.