পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

ONsemi চিপস

NVB110N65S3F ONsemi চিপস N চ্যানেল SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ আল্ট্রা লো Qg 58nC

সকল বিভাগ

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

আমাদের সাথে যোগাযোগ

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

এখনই যোগাযোগ করুন

সকল বিভাগ

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

NVB110N65S3F ONsemi চিপস N চ্যানেল SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ আল্ট্রা লো Qg 58nC

ব্র্যান্ডের নাম:	ON
মডেল নম্বর:	NVB110N65S3F
MOQ:	1000 পিসি
প্যাকেজিং বিবরণ:	1000 পিসি/রিল
পেমেন্ট শর্তাবলী:	টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্য বিবরণ

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

ড্রেন উত্স ভোল্টেজ:

650 ভি

জংশন/স্টোরেজ তাপমাত্রা:

-55℃~150℃

সীসা সোল্ডারিং তাপমাত্রা:

পাওয়ার ডেরেট:

1.92 ওয়াট/℃

শক্তি অপচয়:

240 W

স্পন্দিত ড্রেন বর্তমান:

তুষারপাত স্রোত:

3.5 ক

যোগানের ক্ষমতা:

1000000

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

NVB110N65S3F N চ্যানেল MOSFET

ONsemi চিপস SUPERFET III MOSFET

৬৫০ ভোল্ট এন চ্যানেল মোসফেট

পণ্য বিবরণ

ONsemi চিপস NVB110N65S3F N-চ্যানেল SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ আল্ট্রা-লো Qg 58nC

বিবরণ

SUPERFET® III MOSFET হল ON Semiconductor-এর ব্র্যান্ড-নতুন হাই ভোল্টেজ সুপার-জাংশন (SJ) MOSFET পরিবার যা চমৎকার লো অন-রেজিস্ট্যান্স এবং লোয়ার গেট চার্জ পারফরম্যান্সের জন্য চার্জ ব্যালেন্স প্রযুক্তি ব্যবহার করে। এই উন্নত প্রযুক্তি কন্ডাকশন লস কমাতে, সুপিরিয়র সুইচিং পারফরম্যান্স প্রদান করতে এবং চরম dv/dt রেট সহ্য করতে তৈরি করা হয়েছে।

ফলস্বরূপ, SUPERFET III MOSFET ক্ষুদ্রাকৃতি এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সিস্টেমের জন্য খুব উপযুক্ত। SUPERFET III FRFET® MOSFET-এর অপ্টিমাইজড রিভার্স রিকভারি পারফরম্যান্স বডি ডায়োড অতিরিক্ত কম্পোনেন্ট অপসারণ করতে পারে এবং সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করতে পারে।

বৈশিষ্ট্য

• 700 V @ TJ = 150°C

• Typ. RDS(on) = 93 mΩ

• আল্ট্রা লো গেট চার্জ (Typ. Qg = 58 nC)

• লো ইফেক্টিভ আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Typ. Coss(eff.) = 533 pF)

• 100% অ্যাভাল্যাঞ্চ পরীক্ষিত

• AEC-Q101 এর সাথে যোগ্য

• এই ডিভাইসগুলি Pb-ফ্রি এবং RoHS অনুবর্তী

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

• অটোমোটিভ অন বোর্ড চার্জার

• HEV-এর জন্য অটোমোটিভ DC/DC কনভার্টার

পরম সর্বোচ্চ রেটিং (TC = 25°C যদি না অন্যথায় উল্লেখ করা হয়)

N-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET-এর নিম্নলিখিত পরম সর্বোচ্চ রেটিং রয়েছে: ড্রেন-টু-সোর্স ভোল্টেজ (V_DSS) হল 650 V; গেট-টু-সোর্স ভোল্টেজ (V_GS) হল ±30 V উভয় DC এবং AC (f > 1 Hz) অবস্থার জন্য। ড্রেন কারেন্ট (I_D) হল 30 A কন্টিনিউয়াস T_C = 25°C এবং 19.5 A কন্টিনিউয়াস T_C = 100°C এ, যখন পালসড ড্রেন কারেন্ট (I_DM) হল 69 A (সর্বোচ্চ জাংশন তাপমাত্রা দ্বারা সীমিত পালস-উইডথ)। সিঙ্গেল পালস অ্যাভাল্যাঞ্চ এনার্জি (E_AS) হল 380 mJ, অ্যাভাল্যাঞ্চ কারেন্ট (I_AS) হল 3.5 A, এবং রিপিটেড অ্যাভাল্যাঞ্চ এনার্জি (E_AR) হল 2.4 mJ। MOSFET dv/dt রেটিং হল 100 V/ns, এবং পিক ডায়োড রিকভারি dv/dt হল 50 V/ns। পাওয়ার ডিসিপেশন (P_D) হল 240 W T_C = 25°C এ, 25°C এর উপরে 1.92 W/°C এর ডিরেটিং সহ। অপারেটিং জাংশন এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা (T_J, T_stg) -55 থেকে 150 °C পর্যন্ত বিস্তৃত, এবং সোল্ডারিংয়ের জন্য সর্বোচ্চ লিড তাপমাত্রা (কেস থেকে 1/8" 5 সেকেন্ডের জন্য, T_L) হল 300 °C। তালিকাভুক্ত সর্বোচ্চ রেটিং অতিক্রমকারী স্ট্রেসগুলি ডিভাইসের ক্ষতি করতে পারে, এবং এই সীমাগুলির কোনওটি অতিক্রম করা হলে ডিভাইসের কার্যকারিতা অনুমান করা উচিত নয়, কারণ ক্ষতি হতে পারে এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রভাবিত হতে পারে।

ডিভাইসটিতে নিম্নলিখিত থার্মাল রেজিস্ট্যান্স রেটিং রয়েছে: একটি সর্বোচ্চ জাংশন-টু-কেস থার্মাল রেজিস্ট্যান্স () 0.52 °C/W এবং একটি সর্বোচ্চ জাংশন-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট থার্মাল রেজিস্ট্যান্স () 40 °C/W। SS= 0 VJ)GS= 20 Vioss(QV এ সুইচিং বৈশিষ্ট্যের জন্য, টার্ন-অন ডিলে টাইম (tff) হল 30 A, সর্বোচ্চ পালসড কারেন্ট (Vt) সাধারণত 343 nC। প্রোডাক্ট প্যারামেট্রিক পারফরম্যান্স তালিকাভুক্ত টেস্ট কন্ডিশনের জন্য নির্দেশিত, এবং ভিন্ন কন্ডিশনে পরিচালিত হলে পারফরম্যান্স পরিবর্তিত হতে পারে, যেখানে সাধারণ বৈশিষ্ট্যগুলি অপারেটিং তাপমাত্রা থেকে মূলত স্বাধীন।

NVB110N65S3F ONsemi চিপস N চ্যানেল SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ আল্ট্রা লো Qg 58nC

ট্যাগ:

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

পণ্যের বিবরণ

NVB110N65S3F ONsemi চিপস N চ্যানেল SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ আল্ট্রা লো Qg 58nC

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস