NVB110N65S3F ONsemi Chips MOSFET SUPERFET III de Canal N 650V 30A 110mΩ Ultra Low Qg 58nC

ONsemi chips NVB110N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra-Low Qg 58nC

Descrição

O dispositivo apresenta as seguintes classificações de resistência térmica:RθJC- Não.) de 0,52 °C/W e uma resistência térmica máxima de junção com o ambiente (RθJA- Não.) de 40 °C/W.TC- Não.=25- Não.CSe não for indicado o contrário, a tensão de ruptura de descarga para fonte (BVDSS- Não.) é de 650 V aVGS- Não.=0 V,Eu...D- Não.=1 mA,TJ- Não.=25- Não.C, e 700 V aVGS- Não.=0 V,Eu...D- Não.=10 mA,TJ- Não.=150- Não.C, com um coeficiente de tensão de ruptura (ΔBVDSS- Não./ΔTJ- Não.A corrente de descarga da tensão de saída da porta zero (Eu...DSS- Não.) tem uma potência máxima de 10 μAVDS- Não.=650 V,VGS- Não.=0 V, e um valor típico de 128 μA aVDS- Não.=520 V,TC- Não.=125- Não.C, enquanto a corrente de vazamento porta-corpo (Eu...GSS- Não.) tem um máximo de ± 100 nA aVDS- Não.=0 V,VGS- Não.=±30 V. Tensão de limiar de entrada (VGS(th)- Não.) varia de 3,0 V a 5,0 V, de descarga estática para a fonte na resistência (RDS(on)- Não.) tem um valor típico de 93 mΩ e um valor máximo de 110 mΩVGS- Não.=10 V,Eu...D- Não.=15 A, e transcondutividade para a frente (gFS- Não.) tem um valor típico de 17 S noVGS- Não.=20 V,Eu...D- Não.=15 APara as características dinâmicas, a capacidade de entrada (CIss- Não.) é tipicamente de 2560 pF, capacidade de saída (Coss- Não.) é tipicamente de 50 pF, capacidade de saída efetiva (Coss(eff.)- Não.) é tipicamente de 553 pF, e a capacidade de saída relacionada com a energia (Coss(- Não..)- Não.) é tipicamente de 83 pF.Qg(tota)Eu...)- Não.) é tipicamente de 58 nC, carga gate-to-source (Qgs- Não.) é tipicamente 19 nC, carga "Miller" de saída para saída (Qgd- Não.Para as características de comutação a 1 MHz, a resistência de série equivalente (ESR) é normalmente de 2 Ω a 1 MHz.VGS- Não.=10 V, tempo de atraso de activação (td(on)- Não.) é tipicamente de 29 ns, tempo de elevação (tr- Não.) é tipicamente de 32 ns, tempo de atraso de desligamento (td(off)- Não.) é tipicamente de 61 ns, e o tempo de queda (tf- Não.Para as características do diodo fonte-evacuação, a corrente contínua máxima da fonte para o diodo evacuação (Eu...S- Não.) é de 30 A, corrente pulsada máxima (Eu...SM- Não.) é de 69 A, tensão de diodo para a frente (VSD- Não.) é tipicamente de -1,3 V, tempo de recuperação inversa (tRR- Não.) é tipicamente de 94 ns, e a carga de recuperação reversa (QRR- Não.O desempenho paramétrico do produto é indicado para as condições de ensaio indicadas e o desempenho pode variar se operado em diferentes condições,com características típicas essencialmente independentes da temperatura de funcionamento.