NVB110N65S3F ONsemi Chips N Kanaals SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra LowQg 58nC

ONsemi chips NVB110N65S3F N‑Channel SUPERFET III MOSFET 650V 30A 110mΩ Ultra‑Low Qg 58nC

Beschrijving

Het apparaat heeft de volgende thermische weerstand ratings: een maximale junctie-naar-behuizing thermische weerstand (RθJC​) van 0,52 °C/W en een maximale junctie-naar-omgevings thermische weerstand (RθJA​) van 40 °C/W. Voor elektrische kenmerken bij TC​=25∘C tenzij anders vermeld, is de drain-naar-source breakdown voltage (BVDSS​) 650 V bij VGS​=0 V, ID​=1 mA, TJ​=25∘C, en 700 V bij VGS​=0 V, ID​=10 mA, TJ​=150∘C, met een breakdown voltage temperatuurcoëfficiënt (ΔBVDSS​/ΔTJ​) van 0,61 V/°C. Zero gate voltage drain current (IDSS​) heeft een maximum van 10 μA bij VDS​=650 V, VGS​=0 V, en een typische waarde van 128 μA bij VDS​=520 V, TC​=125∘C, terwijl gate-to-body leakage current (IGSS​) een maximum heeft van ±100 nA bij VDS​=0 V, VGS​=±30 V. Gate threshold voltage (VGS(th)​) varieert van 3,0 V tot 5,0 V, static drain-to-source on resistance (RDS(on)​) heeft een typische waarde van 93 mΩ en een maximum van 110 mΩ bij VGS​=10 V, ID​=15 A, en forward transconductance (gFS​) heeft een typische waarde van 17 S bij VGS​=20 V, ID​=15 A. Voor dynamische kenmerken is input capacitance (Ciss​) typisch 2560 pF, output capacitance (Coss​) is typisch 50 pF, effective output capacitance (Coss(eff.)​) is typisch 553 pF, en energy related output capacitance (Coss(er.)​) is typisch 83 pF. Total gate charge (Qg(total)​) is typisch 58 nC, gate-to-source charge (Qgs​) is typisch 19 nC, gate-to-drain "Miller" charge (Qgd​) is typisch 23 nC, en equivalent series resistance (ESR) is typisch 2 Ω bij 1 MHz. Voor schakelkenmerken bij VGS​=10 V, turn-on delay time (td(on)​) is typisch 29 ns, rise time (tr​) is typisch 32 ns, turn-off delay time (td(off)​) is typisch 61 ns, en fall time (tf​) is typisch 16 ns. Voor source-drain diode kenmerken, maximum continuous source-to-drain diode forward current (IS​) is 30 A, maximum pulsed current (ISM​) is 69 A, source-to-drain diode forward voltage (VSD​) is typisch -1,3 V, reverse-recovery time (trr​) is typisch 94 ns, en reverse-recovery charge (Qrr​) is typisch 343 nC. Product parametrische prestaties worden aangegeven voor de vermelde testomstandigheden, en de prestaties kunnen variëren indien onder verschillende omstandigheden gebruikt, met typische kenmerken die in wezen onafhankelijk zijn van de bedrijfstemperatuur.