تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

الشرائح

CAT6219-330TDGT3 ONsemi رقائق 500mA CMOS LDO منظم 300mV انقطاع 1% دقة 2.3-5.5V مدخل

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

CAT6219-330TDGT3 ONsemi رقائق 500mA CMOS LDO منظم 300mV انقطاع 1% دقة 2.3-5.5V مدخل

اسم العلامة التجارية:	ONsemi
رقم الموديل:	CAT6219-330TDGT3
موك:	1000 قطعة
تفاصيل التغليف:	1000 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

اسم المنتج:

onsemi

نموذج:

CAT6219-330TDGT3

الجهد الناتج:

3.3 فولت

تيار الإخراج:

500 مللي أمبير

يكتب:

سمد/سمت

جهد الإدخال:

2.3 V-5.5 v

درجة حرارة التشغيل:

- 40 درجة مئوية~+ 125 درجة مئوية

إبراز:

CAT6219-330TDGT3 CMOS LDO المنظم

ONسيما تشيبس LDO الجهاز المنظم

500mA CMOS LDO المنظم

وصف المنتج

رقاقات ONsemi CAT6219-330TDGT3 500mA CMOS LDO Regulator 300mV Dropout 1% Accuracy 2.3-5.5V Input

وصف

CAT6219 هو منظم جهد منخفض التسرب CMOS بقدرة 500 مللي أمبير يوفر استجابة سريعة أثناء تغيرات تيار الحمل وجهد الخط.

تسمح ميزة البدء السريع باستخدام مكثف تجاوز خارجي لتقليل ضوضاء الخرج الإجمالية دون التأثير على وقت التشغيل البالغ 150 فقط

ثانية.

مع تيار إيقاف تشغيل صفري وتيار أرضي منخفض يبلغ 55

ميكرو أمبير نموذجي، يعد CAT6219 مثاليًا للأجهزة التي تعمل بالبطارية بجهود إمداد تتراوح من 2.3 فولت إلى 5.5 فولت. يقوم دائرة قفل الجهد المنخفض الداخلية بتعطيل الخرج عند جهود الإمداد الأقل من 2.15 فولت نموذجي.

يوفر CAT6219 دقة أولية بنسبة 1% وجهد تسرب منخفض، 300 مللي فولت نموذجي عند 500 مللي أمبير. يتم توفير تشغيل مستقر باستخدام مكثف سيراميك بقيمة صغيرة، مما يقلل من مساحة اللوحة المطلوبة وتكلفة المكونات.منظم الجهد المنخفض متاح في خرج ثابت وقابل للتعديل في حزم TSOT23 ذات المقطع المنخفض (ارتفاع أقصى 1 مم) بـ 5 أسلاك، و WDFN بـ 6 أطراف بمقاس 1.5 مم × 1.5 مم، و TDFN بـ 6 أطراف بمقاس 2 مم × 2 مم.

الميزاتجهد تسرب منخفض 300 مللي فولت نموذجي عند 500 مللي أمبير

مستقر مع مكثف خرج سيراميك

مكثف تجاوز خارجي 10 نانوفاراد لضوضاء منخفضة

ميزة البدء السريع

قفل الجهد المنخفض

تيار أرضي بدون حمل 55 ميكرو أمبير نموذجي

تيار أرضي بالحمل الكامل 85 ميكرو أمبير نموذجي

دقة أولية ± 1.0% (V OUT ≥ 2.0 V)

دقة ± 2.0% عبر درجة الحرارة (V OUT ≥ 2.0 V)

وضع إيقاف تشغيل بتيار "صفر"

حد تيار التغذية الراجعةحزم TSOT-23 بـ 5 أسلاك، WDFN و TDFN بـ 6 أطرافالتطبيقات

الهواتف الخلويةالإلكترونيات الاستهلاكية

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

CAT6219-330TDGT3 ONsemi رقائق 500mA CMOS LDO منظم 300mV انقطاع 1% دقة 2.3-5.5V مدخل

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي