chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip Micron

MT40A512M16TB-062E:R Micron Chips 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant Chế độ năng lượng thấp

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

MT40A512M16TB-062E:R Micron Chips 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant Chế độ năng lượng thấp

Tên thương hiệu:	Micron
Số mô hình:	MT40A512M16TB-062E:R
MOQ:	500 CÁI
Chi tiết đóng gói:	500 Cái/Cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tên sản phẩm:

Micron

người mẫu:

MT40A512M16TB-062E:R

Độ rộng bus dữ liệu:

16 bit

Tần số xung nhịp tối đa:

1,6 GHz

Điện áp nguồn:

1,14V-1,26V

Nhiệt độ hoạt động:

0°C~+ 95°C

Kiểu:

SMD/SMT

Khả năng cung cấp:

10000

Làm nổi bật:

MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB Micron Chips

3200MT/s DDR4 SDRAM

Mô tả sản phẩm

Chip Micron MT40A512M16TB-062E:R 1.2V Lên đến 3200MT/s Tuân thủ JEDEC Chế độ năng lượng thấp

Tính năng

VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
Tạo VREFDQ nội bộ, có thể điều chỉnh trên chip
I/O pseudo open-drain 1.2V
Thời gian làm mới 8192 chu kỳ ở dải nhiệt độ TC:
64ms ở −40°C đến 85°C
32ms ở >85°C đến 95°C
16ms ở >95°C đến 105°C
16 ngân hàng nội bộ (x4, x8): 4 nhóm 4 ngân hàng mỗi nhóm
8 ngân hàng nội bộ (x16): 2 nhóm 4 ngân hàng mỗi nhóm
Kiến trúc prefetch 8n-bit
Tiền tố preambles dữ liệu có thể lập trình
Huấn luyện preamble tiền tố dữ liệu
Độ trễ lệnh/địa chỉ (CAL)
Khả năng đọc và ghi thanh ghi đa năng
Căn chỉnh ghi
Chế độ tự làm mới
Tự làm mới tự động năng lượng thấp (LPASR)
Làm mới được kiểm soát nhiệt độ (TCR)
Làm mới với độ chi tiết tốt
Hủy bỏ tự làm mới
Tiết kiệm năng lượng tối đa
Hiệu chỉnh trình điều khiển đầu ra
Kết thúc trên chip (ODT) danh nghĩa, đỗ và động
Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu
Chẵn lẻ lệnh/địa chỉ (CA)
Kiểm tra CRC (CRC) bus dữ liệu
Khả năng định địa chỉ trên từng DRAM
Kiểm tra kết nối
Tuân thủ JEDEC JESD-79-4
Khả năng sPPR và hPPR
Hỗ trợ MBIST-PPR (Chỉ phiên bản Die R)

Tùy chọn¹
Cấu hình
2 Gig x4
1 Gig x8
512 Meg x16
Gói FBGA 78 chân (không chì) – x4, x8
9mm x 13.2mm – Rev. A
8mm x 12mm – Rev. B, D, G
7.5mm x 11mm – Rev. E, H, J, R
Gói FBGA 96 chân (không chì) – x16
9mm x 14mm – Rev. A
8mm x 14mm – Rev. B
7.5mm x 13.5mm – Rev. D, E, H
7.5mm x 13mm – Rev. J, R
Thời gian – chu kỳ thời gian
0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866)
Nhiệt độ hoạt động
Thương mại (0° ≤ TC ≤ 95°C)
Công nghiệp (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
Ô tô (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
Phiên bản
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R

Bảng này trình bày các thông số thời gian chính cho DDR4 SDRAM trên các cấp tốc độ, trải dài tốc độ dữ liệu từ 1866 đến 2666 MT/s. Các giá trị CL-nRCD-nRP mục tiêu tương ứng bao gồm 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) và 19-19-19 (2666 MT/s), với thời gian tAA, tRCD và tRP dao động từ 13,32 ns đến 15,00 ns, một số có các giá trị chặt hơn thay thế trong ngoặc.

Bảng này phác thảo các cấu hình địa chỉ cho ba mật độ DDR4 SDRAM: 2048 Meg x4, 1024 Meg x8 và 512 Meg x16. Các biến thể 2048 Meg x4 và 1024 Meg x8 có 4 nhóm ngân hàng với địa chỉ BG[1:0], trong khi 512 Meg x16 có 2 nhóm ngân hàng với địa chỉ BG0; tất cả đều có 4 ngân hàng mỗi nhóm được định địa chỉ qua BA[1:0]. Địa chỉ hàng khác nhau: 128K (A[16:0]) cho 2048 Meg x4 và 64K (A[15:0]) cho hai loại còn lại, trong khi địa chỉ cột đồng nhất là 1K (A[9:0]) trên tất cả các cấu hình. Kích thước trang mỗi ngân hàng lần lượt là 512B, 1KB và 2KB, được tính bằng công thức Kích thước trang = 2^COLBITS × ORG/8, trong đó COLBITS là số bit địa chỉ cột và ORG là số bit DQ.

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

MT40A512M16TB-062E:R Micron Chips 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant Chế độ năng lượng thấp

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI