Micron MT40A512M16TB-062E Çip: 1.2V 3200MT/s'ye kadar JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları
Özellikler
VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, −125mV, +250mV Dahili, dahili, ayarlanabilir VREFDQ üretimi 1.2V sözde açık-drenaj G/Ç Yenileme süresi 8192 döngü TC sıcaklık aralığında: 64ms, −40°C ila 85°C 32ms, >85°C ila 95°C 16ms, >95°C ila 105°C 16 dahili bank (x4, x8): 4 grup, her biri 4 bankalı 8 dahili bank (x16): 2 grup, her biri 4 bankalı 8n-bit ön alım mimarisi Programlanabilir veri strobe ön ekleri Veri strobe ön ek eğitimi Komut/Adres gecikmesi (CAL) Çok amaçlı kayıt okuma ve yazma yeteneği Yazma seviyeleme Kendi kendine yenileme modu Düşük güç otomatik kendi kendine yenileme (LPASR) Sıcaklık kontrollü yenileme (TCR) İnce taneli yenileme Kendi kendine yenileme iptali Maksimum güç tasarrufu Çıkış sürücü kalibrasyonu Nominal, park ve dinamik dahili sonlandırma (ODT) Veri yolu için veri yolu ters çevirme (DBI) Komut/Adres (CA) paritesi Veri yolu yazma döngüsel artıklık denetimi (CRC) Her DRAM için adreslenebilirlik Bağlantı testi JEDEC JESD-79-4 uyumlu sPPR ve hPPR yeteneği MBIST-PPR desteği (Yalnızca Die Revizyon R)
Seçenekler¹ Yapılandırma 2 Gig x4 1 Gig x8 512 Meg x16 78-toplu FBGA paket (Kurşunsuz) – x4, x8 9mm x 13.2mm – Rev. A 8mm x 12mm – Rev. B, D, G 7.5mm x 11mm – Rev. E, H, J, R 96-toplu FBGA paket (Kurşunsuz) – x16 9mm x 14mm – Rev. A 8mm x 14mm – Rev. B 7.5mm x 13.5mm – Rev. D, E, H 7.5mm x 13mm – Rev. J, R Zamanlama – döngü süresi 0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200) 0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933) 0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666) 0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666) 0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400) 0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400) 0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133) 1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866) Çalışma sıcaklığı Ticari (0° ≤ TC ≤ 95°C) Endüstriyel (−40° ≤ TC ≤ 95°C) Otomotiv (−40° ≤ TC ≤ 105°C) Revizyon :A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R
Bu tablo, 1866 ila 2666 MT/s veri hızlarını kapsayan hız sınıfları boyunca DDR4 SDRAM için temel zamanlama parametrelerini sunmaktadır. Buna karşılık gelen hedef CL-nRCD-nRP değerleri 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) ve 19-19-19 (2666 MT/s) içerir; tAA, tRCD ve tRP zamanlamaları 13.32 ns ila 15.00 ns arasında değişir, bazıları parantez içinde alternatif daha sıkı değerlere sahiptir.
Bu tablo, üç DDR4 SDRAM yoğunluğu için adresleme yapılandırmalarını özetlemektedir: 2048 Meg x4, 1024 Meg x8 ve 512 Meg x16. 2048 Meg x4 ve 1024 Meg x8 varyantları BG[1:0] adreslemesi ile 4 banka grubu içerirken, 512 Meg x16 BG0 adreslemesi ile 2 banka grubu içerir; hepsi BA[1:0] aracılığıyla adreslenen grup başına 4 bankaya sahiptir. Satır adreslemesi farklıdır: 2048 Meg x4 için 128K (A[16:0]) ve diğer ikisi için 64K (A[15:0]), sütun adreslemesi ise tüm yapılandırmalarda tekdüze 1K (A[9:0])'dır. Banka başına sayfa boyutları sırasıyla 512B, 1KB ve 2KB'dir ve Sayfa boyutu = 2^COLBITS × ORG/8 formülü ile hesaplanır, burada COLBITS sütun adres bitlerinin sayısı ve ORG DQ bit sayısıdır.