logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Mikron çipleri
Created with Pixso.

MT40A512M16TB-062E:R Micron Çipleri 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları

MT40A512M16TB-062E:R Micron Çipleri 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları

Marka Adı: Micron
Model Numarası: MT40A512M16TB-062E:R
Adedi: 500 adet
Paketleme Detayları: 500 Adet / Makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
Ürün adı:
Mikron
modeli:
MT40A512M16TB-062E:R
Veri Yolu Genişliği:
16 bit
Maksimum saat frekansı:
1,6 GHz
Güç kaynağı voltajı:
1.14 V-1.26 V
Çalışma Sıcaklığı:
0 °C~+ 95 °C
Tip:
SMD/SMT
Yetenek temini:
10000
Vurgulamak:

MT40A512M16TB-062E:R

,

MT40A512M16TB Micron Çipleri

,

3200MT/s DDR4 SDRAM

Ürün Açıklaması

Micron MT40A512M16TB-062E Çip:  1.2V 3200MT/s'ye kadar JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları


Özellikler
VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
Dahili, dahili, ayarlanabilir VREFDQ üretimi
1.2V sözde açık-drenaj G/Ç
Yenileme süresi 8192 döngü TC sıcaklık aralığında:
64ms, −40°C ila 85°C
32ms, >85°C ila 95°C
16ms, >95°C ila 105°C
16 dahili bank (x4, x8): 4 grup, her biri 4 bankalı
8 dahili bank (x16): 2 grup, her biri 4 bankalı
8n-bit ön alım mimarisi
Programlanabilir veri strobe ön ekleri
Veri strobe ön ek eğitimi
Komut/Adres gecikmesi (CAL)
Çok amaçlı kayıt okuma ve yazma yeteneği
Yazma seviyeleme
Kendi kendine yenileme modu
Düşük güç otomatik kendi kendine yenileme (LPASR)
Sıcaklık kontrollü yenileme (TCR)
İnce taneli yenileme
Kendi kendine yenileme iptali
Maksimum güç tasarrufu
Çıkış sürücü kalibrasyonu
Nominal, park ve dinamik dahili sonlandırma (ODT)
Veri yolu için veri yolu ters çevirme (DBI)
Komut/Adres (CA) paritesi
Veri yolu yazma döngüsel artıklık denetimi (CRC)
Her DRAM için adreslenebilirlik
Bağlantı testi
JEDEC JESD-79-4 uyumlu
sPPR ve hPPR yeteneği
MBIST-PPR desteği (Yalnızca Die Revizyon R)

Seçenekler¹
Yapılandırma
2 Gig x4
1 Gig x8
512 Meg x16
78-toplu FBGA paket (Kurşunsuz) – x4, x8
9mm x 13.2mm – Rev. A
8mm x 12mm – Rev. B, D, G
7.5mm x 11mm – Rev. E, H, J, R
96-toplu FBGA paket (Kurşunsuz) – x16
9mm x 14mm – Rev. A
8mm x 14mm – Rev. B
7.5mm x 13.5mm – Rev. D, E, H
7.5mm x 13mm – Rev. J, R
Zamanlama – döngü süresi
0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866)
Çalışma sıcaklığı
Ticari (0° ≤ TC ≤ 95°C)
Endüstriyel (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
Otomotiv (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
Revizyon
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R


Bu tablo, 1866 ila 2666 MT/s veri hızlarını kapsayan hız sınıfları boyunca DDR4 SDRAM için temel zamanlama parametrelerini sunmaktadır. Buna karşılık gelen hedef CL-nRCD-nRP değerleri 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) ve 19-19-19 (2666 MT/s) içerir; tAA, tRCD ve tRP zamanlamaları 13.32 ns ila 15.00 ns arasında değişir, bazıları parantez içinde alternatif daha sıkı değerlere sahiptir.
MT40A512M16TB-062E:R Micron Çipleri 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları
Bu tablo, üç DDR4 SDRAM yoğunluğu için adresleme yapılandırmalarını özetlemektedir: 2048 Meg x4, 1024 Meg x8 ve 512 Meg x16. 2048 Meg x4 ve 1024 Meg x8 varyantları BG[1:0] adreslemesi ile 4 banka grubu içerirken, 512 Meg x16 BG0 adreslemesi ile 2 banka grubu içerir; hepsi BA[1:0] aracılığıyla adreslenen grup başına 4 bankaya sahiptir. Satır adreslemesi farklıdır: 2048 Meg x4 için 128K (A[16:0]) ve diğer ikisi için 64K (A[15:0]), sütun adreslemesi ise tüm yapılandırmalarda tekdüze 1K (A[9:0])'dır. Banka başına sayfa boyutları sırasıyla 512B, 1KB ve 2KB'dir ve Sayfa boyutu = 2^COLBITS × ORG/8 formülü ile hesaplanır, burada COLBITS sütun adres bitlerinin sayısı ve ORG DQ bit sayısıdır.
MT40A512M16TB-062E:R Micron Çipleri 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Uyumlu Düşük Güç Modları