รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิปไมครอน

MT40A512M16TB-062E:R ชิป Micron 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant โหมดพลังงานต่ำ

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

MT40A512M16TB-062E:R ชิป Micron 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant โหมดพลังงานต่ำ

ชื่อแบรนด์:	Micron
หมายเลขรุ่น:	MT40A512M16TB-062E:อาร์
ขั้นต่ำ:	500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	500 ชิ้น / รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

ชื่อสินค้า:

ไมครอน

แบบอย่าง:

MT40A512M16TB-062E:อาร์

ความกว้างบัสข้อมูล:

16 บิต

ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด:

1.6 กิกะเฮิรตซ์

แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:

1.14 วี-1.26 วี

อุณหภูมิในการทำงาน:

0 °C~+ 95 °C

พิมพ์:

เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที

สามารถในการผลิต:

10,000

เน้น:

MT40A512M16TB-062E:อาร์

MT40A512M16TB ชิป Micron

3200MT/s DDR4 SDRAM

รายละเอียดสินค้า

ชิป Micron MT40A512M16TB-062E:R 1.2V สูงสุด 3200MT/s โหมดประหยัดพลังงานตามมาตรฐาน JEDEC

คุณสมบัติ

VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
การสร้าง VREFDQ ภายในแบบปรับได้บนชิป
I/O แบบ pseudo open-drain 1.2V
เวลารีเฟรช 8192 รอบที่ช่วงอุณหภูมิ TC:
64ms ที่ −40°C ถึง 85°C
32ms ที่ >85°C ถึง 95°C
16ms ที่ >95°C ถึง 105°C
16 แบงก์ภายใน (x4, x8): 4 กลุ่ม กลุ่มละ 4 แบงก์
8 แบงก์ภายใน (x16): 2 กลุ่ม กลุ่มละ 4 แบงก์
สถาปัตยกรรม 8n-bit prefetch
พรีแอมเบิล data strobe ที่ตั้งโปรแกรมได้
การฝึกพรีแอมเบิล data strobe
ความหน่วงคำสั่ง/ที่อยู่ (CAL)
ความสามารถในการอ่านและเขียนรีจิสเตอร์อเนกประสงค์
การปรับระดับการเขียน
โหมดรีเฟรชตัวเอง
การรีเฟรชตัวเองอัตโนมัติแบบประหยัดพลังงาน (LPASR)
การรีเฟรชควบคุมอุณหภูมิ (TCR)
การรีเฟรชแบบละเอียด
การยกเลิกการรีเฟรชตัวเอง
การประหยัดพลังงานสูงสุด
การปรับเทียบตัวขับเอาต์พุต
การสิ้นสุดบนชิป (ODT) แบบปกติ, พาร์ค และไดนามิก
การกลับบิตข้อมูล (DBI) สำหรับบัสข้อมูล
พาริตี้คำสั่ง/ที่อยู่ (CA)
การตรวจสอบความถูกต้องของวัฏจักรข้อมูล (CRC) ของบัสข้อมูล
การระบุตำแหน่ง DRAM ต่อหน่วย
การทดสอบการเชื่อมต่อ
เป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC JESD-79-4
ความสามารถ sPPR และ hPPR
การสนับสนุน MBIST-PPR (เฉพาะ Revision R ของ Die)

ตัวเลือก¹
การกำหนดค่า
2 Gig x4
1 Gig x8
512 Meg x16
แพ็คเกจ FBGA 78 บอล (ปราศจากสารตะกั่ว) – x4, x8
9 มม. x 13.2 มม. – Rev. A
8 มม. x 12 มม. – Rev. B, D, G
7.5 มม. x 11 มม. – Rev. E, H, J, R
แพ็คเกจ FBGA 96 บอล (ปราศจากสารตะกั่ว) – x16
9 มม. x 14 มม. – Rev. A
8 มม. x 14 มม. – Rev. B
7.5 มม. x 13.5 มม. – Rev. D, E, H
7.5 มม. x 13 มม. – Rev. J, R
เวลา – เวลาวงจร
0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866)
อุณหภูมิการทำงาน
เชิงพาณิชย์ (0° ≤ TC ≤ 95°C)
อุตสาหกรรม (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
ยานยนต์ (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
Revision
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R

ตารางนี้แสดงพารามิเตอร์เวลาที่สำคัญสำหรับ DDR4 SDRAM ในเกรดความเร็วต่างๆ ครอบคลุมอัตราข้อมูลตั้งแต่ 1866 ถึง 2666 MT/s ค่า CL-nRCD-nRP เป้าหมายที่สอดคล้องกัน ได้แก่ 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) และ 19-19-19 (2666 MT/s) โดยมีค่า tAA, tRCD และ tRP อยู่ในช่วง 13.32 ns ถึง 15.00 ns บางค่ามีค่าที่เข้มงวดกว่าในวงเล็บเป็นทางเลือก

ตารางนี้แสดงการกำหนดค่าที่อยู่สำหรับ DDR4 SDRAM สามความหนาแน่น: 2048 Meg x4, 1024 Meg x8 และ 512 Meg x16 รุ่น 2048 Meg x4 และ 1024 Meg x8 มี 4 กลุ่มแบงก์พร้อมที่อยู่ BG[1:0] ในขณะที่รุ่น 512 Meg x16 มี 2 กลุ่มแบงก์พร้อมที่อยู่ BG0 ทั้งหมดมี 4 แบงก์ต่อกลุ่มที่ระบุผ่าน BA[1:0] การระบุแถวแตกต่างกัน: 128K (A[16:0]) สำหรับ 2048 Meg x4 และ 64K (A[15:0]) สำหรับอีกสองรุ่น ในขณะที่การระบุคอลัมน์เป็นแบบสม่ำเสมอ 1K (A[9:0]) ในทุกการกำหนดค่า ขนาดหน้าต่อแบงก์คือ 512B, 1KB และ 2KB ตามลำดับ คำนวณโดยใช้สูตร ขนาดหน้า = 2^COLBITS × ORG/8 โดยที่ COLBITS คือจำนวนบิตที่อยู่คอลัมน์ และ ORG คือจำนวนบิต DQ

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

MT40A512M16TB-062E:R ชิป Micron 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC Compliant โหมดพลังงานต่ำ

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI