تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق ميكرون

MT40A512M16TB-062E:R شرائح ميكرون 1.2 فولت DDR4 3200MT/s متوافقة مع JEDEC أوضاع طاقة منخفضة

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

MT40A512M16TB-062E:R شرائح ميكرون 1.2 فولت DDR4 3200MT/s متوافقة مع JEDEC أوضاع طاقة منخفضة

اسم العلامة التجارية:	Micron
رقم الموديل:	MT40A512M16TB-062E: ر
موك:	500 قطعة
تفاصيل التغليف:	500 قطعة / بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

اسم المنتج:

ميكرون

نموذج:

MT40A512M16TB-062E: ر

عرض ناقل البيانات:

16 بت

الحد الأقصى لتردد الساعة:

1.6 جيجاهرتز

جهد إمداد الطاقة:

1.14 فولت-1.26 فولت

درجة حرارة التشغيل:

0 درجة مئوية ~ + 95 درجة مئوية

يكتب:

سمد/سمت

القدرة على العرض:

10000

إبراز:

MT40A512M16TB-062E: ر

MT40A512M16TB شرائح ميكرون

3200MT/s DDR4 SDRAM

وصف المنتج

شرائح Micron MT40A512M16TB-062E:R 1.2V حتى 3200MT/s متوافقة مع JEDEC أوضاع استهلاك طاقة منخفض

الميزات

VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
توليد VREFDQ داخلي قابل للتعديل على الشريحة
I/O بجهد 1.2V مفتوح المصرف الزائف
وقت التحديث لدورة 8192 في نطاق درجة حرارة TC:
64 مللي ثانية عند −40°C إلى 85°C
32 مللي ثانية عند >85°C إلى 95°C
16 مللي ثانية عند >95°C إلى 105°C
16 بنك داخلي (x4, x8): 4 مجموعات من 4 بنوك لكل منها
8 بنوك داخلية (x16): مجموعتان من 4 بنوك لكل منهما
بنية جلب مسبق 8n بت
بادئات إشارة بيانات قابلة للبرمجة
تدريب بادئة إشارة البيانات
زمن استجابة الأوامر/العناوين (CAL)
قدرة قراءة وكتابة سجل متعدد الأغراض
تسوية الكتابة
وضع التحديث الذاتي
تحديث ذاتي تلقائي منخفض الطاقة (LPASR)
تحديث متحكم فيه بالحرارة (TCR)
تحديث دقيق التدرج
إلغاء التحديث الذاتي
أقصى توفير للطاقة
معايرة مشغل الإخراج
إنهاء داخلي اسمي، متوقف، وديناميكي (ODT)
عكس ناقل البيانات (DBI) لناقل البيانات
توازي الأوامر/العناوين (CA)
فحص التكرار الدوري للكتابة على ناقل البيانات (CRC)
قابلية عنونة لكل DRAM
اختبار الاتصال
متوافق مع JEDEC JESD-79-4
قدرة sPPR و hPPR
دعم MBIST-PPR (مراجعة الشريحة R فقط)

خيارات¹
التكوين
2 جيج ×4
1 جيج ×8
512 ميج ×16
حزمة FBGA بـ 78 كرة (خالية من الرصاص) – x4, x8
9 مم × 13.2 مم – مراجعة أ
8 مم × 12 مم – مراجعة ب، د، ج
7.5 مم × 11 مم – مراجعة هـ، ح، ي، ر
حزمة FBGA بـ 96 كرة (خالية من الرصاص) – x16
9 مم × 14 مم – مراجعة أ
8 مم × 14 مم – مراجعة ب
7.5 مم × 13.5 مم – مراجعة د، هـ، ح
7.5 مم × 13 مم – مراجعة ي، ر
التوقيت – زمن الدورة
0.625 نانو ثانية @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682 نانو ثانية @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750 نانو ثانية @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750 نانو ثانية @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833 نانو ثانية @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833 نانو ثانية @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937 نانو ثانية @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071 نانو ثانية @ CL = 13 (DDR4-1866)
درجة حرارة التشغيل
تجاري (0° ≤ TC ≤ 95°C)
صناعي (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
سيارات (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
المراجعة
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R

يقدم هذا الجدول معلمات التوقيت الرئيسية لذاكرة DDR4 SDRAM عبر درجات السرعة، والتي تغطي معدلات البيانات من 1866 إلى 2666 MT/s. تشمل قيم CL-nRCD-nRP المستهدفة المقابلة 13-13-13 (1866 MT/s)، 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s)، 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s)، و 19-19-19 (2666 MT/s)، مع توقيتات tAA، tRCD، و tRP تتراوح من 13.32 نانو ثانية إلى 15.00 نانو ثانية، بعضها بقيم أضيق بديلة بين قوسين.

يحدد هذا الجدول تكوينات العنونة لثلاث كثافات من ذاكرة DDR4 SDRAM: 2048 ميج ×4، 1024 ميج ×8، و 512 ميج ×16. تتميز متغيرات 2048 ميج ×4 و 1024 ميج ×8 بـ 4 مجموعات بنوك مع عنونة BG[1:0]، بينما تحتوي 512 ميج ×16 على مجموعتين بنوك مع عنونة BG0؛ جميعها تحتوي على 4 بنوك لكل مجموعة يتم عنونتها عبر BA[1:0]. تختلف عنونة الصفوف: 128 ألف (A[16:0]) لـ 2048 ميج ×4 و 64 ألف (A[15:0]) للاثنين الآخرين، بينما عنونة الأعمدة موحدة 1 ألف (A[9:0]) عبر جميع التكوينات. أحجام الصفوف لكل بنك هي 512 بايت، 1 كيلوبايت، و 2 كيلوبايت على التوالي، محسوبة بالصيغة حجم الصف = 2^COLBITS × ORG/8، حيث COLBITS هو عدد بتات عنوان العمود و ORG هو عدد بتات DQ.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

MT40A512M16TB-062E:R شرائح ميكرون 1.2 فولت DDR4 3200MT/s متوافقة مع JEDEC أوضاع طاقة منخفضة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي