Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микронные чипы

MT40A512M16TB-062E:R Микросхемы Micron 1.2V DDR4 3200MT/с, соответствующие стандарту JEDEC, с низким энергопотреблением

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

MT40A512M16TB-062E:R Микросхемы Micron 1.2V DDR4 3200MT/с, соответствующие стандарту JEDEC, с низким энергопотреблением

Название бренда:	Micron
Номер модели:	МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500pcs/reel
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Название продукта:

микрон

модель:

МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410

Ширина шины данных:

16 бит

Максимальная тактовая частота:

1,6 GHz

Напряжение питания:

1,14 В-1,26 В

Рабочая температура:

0 °С~+ 95 °С

СМД/СМТ

Поставка способности:

10000

Выделить:

МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410МТ410

MT40A512M16TB Микросхемы Micron

3200MT/с DDR4 SDRAM

Описание продукта

Микросхемы Micron MT40A512M16TB-062E:R 1.2V до 3200MT/s соответствуют стандарту JEDEC, низкое энергопотребление

Особенности

VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
Встроенная, внутренняя, настраиваемая генерация VREFDQ
1.2V псевдо-открытый сток I/O
Время обновления 8192 циклов в диапазоне температур TC:
64ms при −40°C до 85°C
32ms при >85°C до 95°C
16ms при >95°C до 105°C
16 внутренних банков (x4, x8): 4 группы по 4 банка в каждой
8 внутренних банков (x16): 2 группы по 4 банка в каждой
Архитектура с 8n-битным предвыборкой
Программируемые преамбулы строба данных
Обучение преамбулы строба данных
Задержка команды/адреса (CAL)
Возможность чтения и записи многоцелевого регистра
Выравнивание записи
Режим самообновления
Низкое энергопотребление, автоматическое самообновление (LPASR)
Обновление, управляемое температурой (TCR)
Мелкая гранулярность обновления
Отмена самообновления
Максимальная экономия энергии
Калибровка выходного драйвера
Номинальное, парковочное и динамическое внутреннее завершение (ODT)
Инверсия шины данных (DBI) для шины данных
Четность команды/адреса (CA)
Проверка циклическим избыточным кодом (CRC) шины данных при записи
Адресация на каждый DRAM
Тест подключения
Соответствует JEDEC JESD-79-4
Возможность sPPR и hPPR
Поддержка MBIST-PPR (только для ревизии R)

Опции¹
Конфигурация
2 Гига x4
1 Гига x8
512 Мега x16
78-контактный корпус FBGA (без свинца) – x4, x8
9мм x 13.2мм – Ревизия A
8мм x 12мм – Ревизии B, D, G
7.5мм x 11мм – Ревизии E, H, J, R
96-контактный корпус FBGA (без свинца) – x16
9мм x 14мм – Ревизия A
8мм x 14мм – Ревизия B
7.5мм x 13.5мм – Ревизии D, E, H
7.5мм x 13мм – Ревизии J, R
Время – время цикла
0.625нс @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682нс @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750нс @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750нс @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833нс @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833нс @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937нс @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071нс @ CL = 13 (DDR4-1866)
Рабочая температура
Коммерческая (0° ≤ TC ≤ 95°C)
Промышленная (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
Автомобильная (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
Ревизия
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R

Эта таблица представляет ключевые параметры времени для DDR4 SDRAM в различных классах скорости, охватывающих скорости передачи данных от 1866 до 2666 MT/s. Соответствующие целевые значения CL-nRCD-nRP включают 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) и 19-19-19 (2666 MT/s), с временами tAA, tRCD и tRP в диапазоне от 13.32 нс до 15.00 нс, некоторые с альтернативными более строгими значениями в скобках.

Эта таблица описывает конфигурации адресации для трех плотностей DDR4 SDRAM: 2048 Мега x4, 1024 Мега x8 и 512 Мега x16. Варианты 2048 Мега x4 и 1024 Мега x8 имеют 4 группы банков с адресацией BG[1:0], в то время как 512 Мега x16 имеет 2 группы банков с адресацией BG0; все имеют 4 банка в группе, адресуемые через BA[1:0]. Адресация строк отличается: 128K (A[16:0]) для 2048 Мега x4 и 64K (A[15:0]) для двух других, в то время как адресация столбцов единообразно 1K (A[9:0]) для всех конфигураций. Размеры страниц на банк составляют 512B, 1KB и 2KB соответственно, рассчитанные по формуле Размер страницы = 2^COLBITS × ORG/8, где COLBITS - количество битов адреса столбца, а ORG - количество битов DQ.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

MT40A512M16TB-062E:R Микросхемы Micron 1.2V DDR4 3200MT/с, соответствующие стандарту JEDEC, с низким энергопотреблением

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI