λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Τσιπ Micron

MT40A512M16TB-062E:R Τσιπάκια μικρών 1.2V DDR4 3200MT/s Τρόποι χαμηλής ισχύος συμμορφούμενοι με το JEDEC

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

MT40A512M16TB-062E:R Τσιπάκια μικρών 1.2V DDR4 3200MT/s Τρόποι χαμηλής ισχύος συμμορφούμενοι με το JEDEC

Επωνυμία:	Micron
Αριθμός μοντέλου:	Μικροκατασκευαστική συσκευή
MOQ:	500 ΤΕΜ
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	500pcs/reel
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Όνομα προϊόντος:

Μικρόν

μοντέλο:

Μικροκατασκευαστική συσκευή

Πλάτος διαύλου δεδομένων:

16 bit

Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:

1,6 Ghz

Τάση τροφοδοσίας:

1,14 V-1,26 V

Θερμοκρασία λειτουργίας:

0 °C~+ 95 °C

Τύπος:

SMD/SMT

Δυνατότητα προσφοράς:

10000

Επισημαίνω:

Μικροκατασκευαστική συσκευή

MT40A512M16TB Μικροτσίπς

3200MT/s DDR4 SDRAM

Περιγραφή προϊόντος

Μικροτσίπς MT40A512M16TB-062E:R 1.2V Μέχρι 3200MT/s Τρόποι χαμηλής ισχύος συμβατοί με το JEDEC

Χαρακτηριστικά

Δοκιμαστική ισχύς
VPP = 2,5V, -125mV, +250mV
Εσωτερική, ρυθμιζόμενη γεννήτρια VREFDQ
1.2V ψευδο-ανοιχτής αποχέτευσης I/O
Χρόνος ανανέωσης 8192 κύκλου σε εύρος θερμοκρασίας TC:
64 ms σε θερμοκρασία -40°C έως 85°C
32 ms σε > 85 °C έως 95 °C
16 ms σε θερμοκρασία > 95°C έως 105°C
16 εσωτερικές τράπεζες (x4, x8): 4 ομάδες 4 τραπεζών η καθεμία
8 εσωτερικές τράπεζες (x16): 2 ομάδες 4 τραπεζών η καθεμία
Αρχιτεκτονική 8n-bit prefetch
Προγραμματιζόμενα προοίμια με στροβίδιο δεδομένων
Εκπαίδευση για την προκήρυξη της ανάλυσης των δεδομένων
Διοικητική/διεύθυνση καθυστέρηση (CAL)
Δυνατότητα αναγνώρισης και εγγραφής του πολλαπλού καταλόγου
Γράψτε ισοπέδωση
Τρόπος αυτοανανέωσης
Αυτοανανέωση χαμηλής ισχύος (LPASR)
Εναρμόνιση με ελεγχόμενη θερμοκρασία (TCR)
Ανανεώστε τη λεπτή κόκκωση
Επαναφορά αυτοαποσύνδεσης διακοπή
Μέγιστη εξοικονόμηση ενέργειας
Κλιμάκωση οδηγού εξόδου
Ονομαστική, στάθμευση και δυναμική τερματισμός (ODT)
Αντιστροφή λεωφορείου δεδομένων (DBI) για λεωφορείο δεδομένων
Παροχή εντολής/διεύθυνσης (CA)
Έλεγχος κυκλικής επανεξέτασης γραφής στη βάση δεδομένων (CRC)
Διεύθυνση ανά DRAM
Δοκιμή σύνδεσης
Συμμόρφωση με την JEDEC JESD-79-4
ικανότητα sPPR και hPPR
Υποστήριξη MBIST-PPR (μόνο Die Revision R)

Επιλογές1
Διαμόρφωση
2 Γκιγκ x4
1 Gig x8
512 Μεγκ x16
Πακέτο FBGA 78-ball (χωρίς Pb) x4, x8
9 χιλιοστά x 13.2 χιλιοστά
8 χιλιοστά x 12 χιλιοστά
7.5 χμ. 11 χμ. Επανάσταση Ε, Χ, J, R
Πακέτο FBGA 96 σφαίρες (χωρίς Pb)
9 χιλιοστά x 14 χιλιοστά
8 χιλιοστά x 14 χιλιοστά
7.5 χιλιοστά x 13.5 χιλιοστά
7.5 χιλιοστά x 13 χιλιοστά
Χρονολόγηση ∙ χρόνος κύκλου
0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866)
Θερμοκρασία λειτουργίας
Εμπορικά (0° ≤ TC ≤ 95°C)
Βιομηχανική (-40° ≤ TC ≤ 95°C)
Αυτοκινητοβιομηχανία (-40° ≤ TC ≤ 105°C)
Αναθεώρηση
Α, Β, - Ναι, ναι. Ε, Γ, Χ, - Ναι, ναι. Α:

Ο πίνακας αυτός παρουσιάζει βασικές παραμέτρους συγχρονισμού για την DDR4 SDRAM σε όλα τα επίπεδα ταχύτητας, που καλύπτουν ταχύτητες δεδομένων από 1866 έως 2666 MT/s. Οι αντίστοιχες τιμές CL-nRCD-nRP περιλαμβάνουν 13-13-13 (1866 MT/s),15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s) και 19-19 (2666 MT/s), με χρόνο tAA, tRCD και tRP που κυμαίνονται από 13,32 ns έως 15,00 ns, ορισμένες με εναλλακτικές αυστηρότερες τιμές σε παρένθεση.

Αυτός ο πίνακας περιγράφει τις διαμορφώσεις διευθύνσεων για τρεις πυκνότητες DDR4 SDRAM: 2048 Meg x4, 1024 Meg x8 και 512 Meg x16. Οι παραλλαγές 2048 Meg x4 και 1024 Meg x8 διαθέτουν 4 ομάδες τραπεζών με BG [1]:0] απευθύνονται, ενώ το 512 Meg x16 έχει 2 ομάδες τραπεζών με διευθύνσεις BG0; όλες έχουν 4 τράπεζες ανά ομάδα που διευθύνονται μέσω BA[1:0]. Η διεύθυνση σειράς διαφέρει: 128K (A[16:0]) για το 2048 Meg x4 και 64K (A[15:0]) για τα άλλα δύο, ενώ η διεύθυνση στήλης είναι ομοιόμορφα 1K (A[9:0]) σε όλες τις διαμορφώσεις. Τα μεγέθη σελίδας ανά τράπεζα είναι 512B, 1KB και 2KB αντίστοιχα, υπολογίζονται με τον τύπο Page size = 2^COLBITS × ORG/8,όπου το COLBITS είναι ο αριθμός των bit διεύθυνσης στήλης και το ORG είναι ο αριθμός των bit DQ.

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

MT40A512M16TB-062E:R Τσιπάκια μικρών 1.2V DDR4 3200MT/s Τρόποι χαμηλής ισχύος συμμορφούμενοι με το JEDEC

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI