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उत्पादों का विवरण

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माइक्रोन चिप्स
Created with Pixso.

MT40A512M16TB-062E:R माइक्रोन चिप्स 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC अनुरूप कम बिजली मोड

MT40A512M16TB-062E:R माइक्रोन चिप्स 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC अनुरूप कम बिजली मोड

ब्रांड का नाम: Micron
मॉडल नंबर: MT40A512M16TB-062E:R
MOQ: 500PCS
पैकेजिंग विवरण: 500 पीसी / रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
प्रोडक्ट का नाम:
माइक्रोन
नमूना:
MT40A512M16TB-062E:R
डेटा बस चौड़ाई:
16 बिट
अधिकतम घड़ी आवृत्ति:
1.6 गीगाहर्ट्ज
बिजली आपूर्ति वोल्टेज:
1.14 वी-1.26 वी
परिचालन तापमान:
0 डिग्री सेल्सियस~+ 95 डिग्री सेल्सियस
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
आपूर्ति की क्षमता:
10000
प्रमुखता देना:

MT40A512M16TB-062E:R

,

MT40A512M16TB माइक्रोन चिप्स

,

3200MT/s DDR4 SDRAM

उत्पाद वर्णन

Micron चिप्स MT40A512M16TB-062E:R  1.2V 3200MT/s तक JEDEC-अनुपालक लो-पावर मोड


विशेषताएं
VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V, −125mV, +250mV
ऑन-डाई, आंतरिक, समायोज्य VREFDQ जनरेशन
1.2V स्यूडो ओपन-ड्रेन I/O
रिफ्रेश समय 8192-साइकिल TC तापमान रेंज पर:
64ms −40°C से 85°C पर
32ms >85°C से 95°C पर
16ms >95°C से 105°C पर
16 आंतरिक बैंक (x4, x8): 4 बैंक के 4 समूह
8 आंतरिक बैंक (x16): 2 बैंक के 4 समूह
8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
प्रोग्रामेबल डेटा स्ट्रोब प्रीएम्बल
डेटा स्ट्रोब प्रीएम्बल ट्रेनिंग
कमांड/एड्रेस लेटेंसी (CAL)
मल्टीपर्पस रजिस्टर रीड और राइट क्षमता
राइट लेवलिंग
सेल्फ रिफ्रेश मोड
लो-पावर ऑटो सेल्फ रिफ्रेश (LPASR)
तापमान नियंत्रित रिफ्रेश (TCR)
फाइन ग्रैन्युलैरिटी रिफ्रेश
सेल्फ रिफ्रेश एबॉर्ट
अधिकतम पावर सेविंग
आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन
नॉमिनल, पार्क, और डायनामिक ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)
डेटा बस के लिए डेटा बस इन्वर्जन (DBI)
कमांड/एड्रेस (CA) पैरिटी
डेटाबेस राइट साइक्लिक रिडंडेंसी चेक (CRC)
प्रति-DRAM एड्रेसेबिलिटी
कनेक्टिविटी टेस्ट
JEDEC JESD-79-4 अनुपालक
sPPR और hPPR क्षमता
MBIST-PPR सपोर्ट (केवल डाई रिवीजन R)

विकल्प¹
कॉन्फ़िगरेशन
2 गीगा x4
1 गीगा x8
512 मेगा x16
78-बॉल FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x4, x8
9mm x 13.2mm – Rev. A
8mm x 12mm – Rev. B, D, G
7.5mm x 11mm – Rev. E, H, J, R
96-बॉल FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x16
9mm x 14mm – Rev. A
8mm x 14mm – Rev. B
7.5mm x 13.5mm – Rev. D, E, H
7.5mm x 13mm – Rev. J, R
टाइमिंग – साइकिल टाइम
0.625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL = 21 (DDR4-2933)
0.750ns @ CL = 19 (DDR4-2666)
0.750ns @ CL = 18 (DDR4-2666)
0.833ns @ CL = 17 (DDR4-2400)
0.833ns @ CL = 16 (DDR4-2400)
0.937ns @ CL = 15 (DDR4-2133)
1.071ns @ CL = 13 (DDR4-1866)
ऑपरेटिंग तापमान
कमर्शियल (0° ≤ TC ≤ 95°C)
इंडस्ट्रियल (−40° ≤ TC ≤ 95°C)
ऑटोमोटिव (−40° ≤ TC ≤ 105°C)
रिवीजन
:A, :B, :D, :E, :G, :H, :J, :R


यह तालिका स्पीड ग्रेड में DDR4 SDRAM के लिए प्रमुख टाइमिंग पैरामीटर प्रस्तुत करती है, जो 1866 से 2666 MT/s तक डेटा दरों को कवर करती है। संबंधित लक्ष्य CL-nRCD-nRP मानों में 13-13-13 (1866 MT/s), 15-15-15/16-16-16 (2133 MT/s), 16-16-16/17-17-17 (2400 MT/s), और 19-19-19 (2666 MT/s) शामिल हैं, जिसमें tAA, tRCD, और tRP टाइमिंग 13.32 ns से 15.00 ns तक होती है, कुछ में कोष्ठक में वैकल्पिक टाइट मान भी होते हैं।
MT40A512M16TB-062E:R माइक्रोन चिप्स 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC अनुरूप कम बिजली मोड
यह तालिका तीन DDR4 SDRAM घनत्वों के लिए एड्रेसिंग कॉन्फ़िगरेशन की रूपरेखा तैयार करती है: 2048 मेगा x4, 1024 मेगा x8, और 512 मेगा x16। 2048 मेगा x4 और 1024 मेगा x8 वेरिएंट में BG[1:0] एड्रेसिंग के साथ 4 बैंक समूह हैं, जबकि 512 मेगा x16 में BG0 एड्रेसिंग के साथ 2 बैंक समूह हैं; सभी में BA[1:0] के माध्यम से संबोधित प्रति समूह 4 बैंक हैं। रो एड्रेसिंग भिन्न होती है: 2048 मेगा x4 के लिए 128K (A[16:0]) और अन्य दो के लिए 64K (A[15:0]), जबकि कॉलम एड्रेसिंग सभी कॉन्फ़िगरेशन में समान रूप से 1K (A[9:0]) है। प्रति बैंक पेज आकार क्रमशः 512B, 1KB, और 2KB हैं, जिनकी गणना पेज आकार = 2^COLBITS × ORG/8 सूत्र द्वारा की जाती है, जहां COLBITS कॉलम एड्रेस बिट्स की संख्या है और ORG DQ बिट काउंट है।
MT40A512M16TB-062E:R माइक्रोन चिप्स 1.2V DDR4 3200MT/s JEDEC अनुरूप कम बिजली मोड