logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych

IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IRFP4229PBF
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
Przez dziurę
Ciągły prąd spustowy:
44 A
Temperatura pracy:
- 40°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
310 W
Napięcie przebicia dren-źródło:
250 V
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Chip

,

Zastosowanie Przełącznika Zaporowego MOSFET

Opis produktu

Zaawansowana technologia procesowa Infineon Chip IRFP4229PBF Kluczowe parametry zoptymalizowane pod kątem podtrzymania PDP


Funkcje
Zaawansowana technologia procesowa
Kluczowe parametry zoptymalizowane pod kątem podtrzymania PDP, odzyskiwania energii i zastosowań przełączników przepustowych
Niski EIMPULSOcena w celu zmniejszenia rozpraszania mocy w zastosowaniach podtrzymania PDP, odzyskiwania energii i przełączników przepustowych
Niski QGdla szybkiej odpowiedzi
Wysoka powtarzalna zdolność prądu szczytowego dla niezawodnego działania
Krótkie czasy spadku i narastania dla szybkiego przełączania
Temperatura złącza roboczego 175°C dla lepszej wytrzymałości
Powtarzalna zdolność lawinowa dla wytrzymałości i niezawodności

Opis
Ten HEXFET®Power MOSFET jest specjalnie zaprojektowany do zastosowań podtrzymania; odzyskiwania energii i przełączników przepustowych w
Panelach plazmowych. Ten MOSFET wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania w celu uzyskania niskiej rezystancji włączenia na obszar krzemu
i niski EIMPULSocena. Dodatkowe cechy tego MOSFET to temperatura złącza roboczego 175°C i wysoka
powtarzalna zdolność prądu szczytowego. Te cechy razem sprawiają, że ten MOSFET jest wysoce wydajnym, wytrzymałym i niezawodnym
urządzeniem do zastosowań sterowania PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych

Absolutne oceny maksymalne
IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych
Odporność termiczna
 IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych

Charakterystyki elektryczne @ TJ= 25°C (chyba że określono inaczej)
IRFP4229PBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa Kluczowe Parametry Zoptymalizowane pod kątem Zastosowań w Odzyskiwaniu Energii Podtrzymania PDP i Przełącznikach Zaporowych