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제품 세부 정보

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인피니언 칩
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IRFP4229PBF Infineon 칩 고급 공정 기술 주요 매개변수 PDP 서스테인 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화됨

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IRFP4229PBF Infineon 칩 고급 공정 기술 주요 매개변수 PDP 서스테인 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화됨
  • 이름

IRFP4229PBF Infineon 칩 고급 공정 기술 주요 매개변수 PDP 서스테인 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화됨

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
문서:
infineon_irfp4229_datasheet...en.pdf
모델:
IRFP4229PBF
제품명:
인피니언 칩
유형:
구멍을 통해
연속배수 경향:
44 A
작동 온도:
- 40°C ~ + 175°C
전력 소비:
310 Ｗ
드레인-소스 항복 전압:
250V
공급 능력:
100000
강조하다:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon 칩

,

패스 스위치 애플리케이션 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IRFP4229PBF 고급 공정 기술 PDP 서스테인에 최적화된 주요 파라미터


기능
고급 공정 기술
PDP 서스테인, 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화된 주요 파라미터
낮은 E절대 최대 정격PDP 서스테인, 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에서 전력 소모를 줄이기 위한 정격
낮은 QG 빠른 응답을 위한
안정적인 작동을 위한 높은 반복 피크 전류 용량
빠른 스위칭을 위한 짧은 낙하 및 상승 시간
향상된 견고성을 위한 175°C 작동 접합 온도
견고성 및 신뢰성을 위한 반복 애벌랜치 용량

설명
이 HEXFET® Power MOSFET는 특히 PDP(플라즈마 디스플레이 패널)의 서스테인, 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 MOSFET는 최신 공정 기술을 활용하여 실리콘 면적당 낮은 온 저항과 낮은 E
PULSE
정격을 달성합니다. 이 MOSFET의 추가 기능으로는 175°C 작동 접합 온도와 높은 반복 피크 전류 용량이 있습니다. 이러한 기능들이 결합되어 이 MOSFET는 PDP 구동 애플리케이션에 매우 효율적이고 견고하며 신뢰할 수 있는 장치가 됩니다.절대 최대 정격열 저항
전기적 특성 @ T
J

IRFP4229PBF Infineon 칩 고급 공정 기술 주요 매개변수 PDP 서스테인 에너지 복구 및 패스 스위치 애플리케이션에 최적화됨

= 25°C (별도 명시되지 않는 한)
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태그: 

인피니언 파워 모스펫  

칩 인피니언  

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