details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IRFP4229PBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie Belangrijkste Parameters Geoptimaliseerd voor PDP Sustain Energy Recovery en Pass Switch Toepassingen

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IRFP4229PBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie Belangrijkste Parameters Geoptimaliseerd voor PDP Sustain Energy Recovery en Pass Switch Toepassingen

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IRFP4229PBF
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IRFP4229PBF

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

Door gat

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

Bedrijfstemperatuur:

- 40 °C ~ + 175 °C

Vermogensdissipatie:

310 w

Afvoerkanaal-bronanalysevoltage:

250 V

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Infineon Chip

Pass Switch Toepassing MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRFP4229PBF Geavanceerde Procestechnologie Belangrijkste Parameters Geoptimaliseerd voor PDP Sustain

Functies

Geavanceerde Procestechnologie

Belangrijkste Parameters Geoptimaliseerd voor PDP Sustain, Energieherstel en Pass Schakelaar Toepassingen

Lage EPULSE Beoordeling om Vermogensdissipatie te Verminderen in PDP Sustain, Energieherstel en Pass Schakelaar Toepassingen

Lage QG voor Snelle Reactie

Hoge Repetitieve Piekstroom Capaciteit voor Betrouwbare Werking

Korte Val- en Stijgtijden voor Snel Schakelen

175°C Bedrijfsjunctietemperatuur voor Verbeterde Robuustheid

Repetitieve Lawine Capaciteit voor Robuustheid en Betrouwbaarheid

Beschrijving

Deze HEXFET® Power MOSFET is specifiek ontworpen voor Sustain; Energieherstel & Pass schakelaar toepassingen in

Plasma Display Panels. Deze MOSFET maakt gebruik van de nieuwste procestechnieken om een lage on-weerstand per silicium

oppervlak en lage EPULSE beoordeling te bereiken. Extra functies van deze MOSFET zijn een bedrijfsjunctietemperatuur van 175°C en een hoge

repetitieve piek stroomcapaciteit. Deze functies combineren om deze MOSFET een zeer efficiënte, robuuste en betrouwbare

apparaat te maken voor PDP-stuurtoepassingen

Absolute Maximale Beoordelingen

Thermische Weerstand

Elektrische Kenmerken @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IRFP4229PBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie Belangrijkste Parameters Geoptimaliseerd voor PDP Sustain Energy Recovery en Pass Switch Toepassingen

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips