IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch
Βασικές Παράμετροι Βελτιστοποιημένες για Εφαρμογές PDP Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας και Διακόπτη Διέλευσης
Χαμηλό EPULSE Ονομαστική Τιμή για Μείωση της Απώλειας Ισχύος σε Εφαρμογές PDP Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας και Διακόπτη Διέλευσης
Χαμηλό QG για Γρήγορη Απόκριση
Υψηλή Δυνατότητα Επαναλαμβανόμενου Ρεύματος Κορυφής για Αξιόπιστη Λειτουργία
Σύντομοι Χρόνοι Πτώσης & Ανόδου για Γρήγορη Μεταγωγή
175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας Σύνδεσης για Βελτιωμένη Ανθεκτικότητα
Δυνατότητα Επαναλαμβανόμενης Χιονοστιβάδας για Ανθεκτικότητα και Αξιοπιστία
Περιγραφή
Αυτό το HEXFET® Το Power MOSFET έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας & Διακόπτη Διέλευσης σε
Πάνελ Οθόνης Πλάσματος. Αυτό το MOSFET χρησιμοποιεί τις τελευταίες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχει χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης ανά περιοχή πυριτίου
και χαμηλό EPULSE ονομαστική τιμή. Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του MOSFET είναι η θερμοκρασία λειτουργίας σύνδεσης 175°C και η υψηλή
δυνατότητα επαναλαμβανόμενου ρεύματος κορυφής. Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτό το MOSFET μια εξαιρετικά αποδοτική, ανθεκτική και αξιόπιστη
συσκευή για εφαρμογές οδήγησης PDP
Απόλυτες Μέγιστες Ονομαστικές Τιμές
Θερμική Αντίσταση
Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ TJ = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)