logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
IRFP4229PBF
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Τύπος:
Με τρύπα
Συνεχές ρεύμα αγωγών:
44 Α
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 °C ~ + 175 °C
Διαρροή Ισχύος:
310 W
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
250 V
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Τσιπ

,

Εφαρμογή Pass Switch MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRFP4229PBF Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας Βασικές Παράμετροι Βελτιστοποιημένες για PDP Sustain


Χαρακτηριστικά
Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας
Βασικές Παράμετροι Βελτιστοποιημένες για Εφαρμογές PDP Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας και Διακόπτη Διέλευσης
Χαμηλό EPULSE Ονομαστική Τιμή για Μείωση της Απώλειας Ισχύος σε Εφαρμογές PDP Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας και Διακόπτη Διέλευσης
Χαμηλό QG για Γρήγορη Απόκριση
Υψηλή Δυνατότητα Επαναλαμβανόμενου Ρεύματος Κορυφής για Αξιόπιστη Λειτουργία
Σύντομοι Χρόνοι Πτώσης & Ανόδου για Γρήγορη Μεταγωγή
175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας Σύνδεσης για Βελτιωμένη Ανθεκτικότητα
Δυνατότητα Επαναλαμβανόμενης Χιονοστιβάδας για Ανθεκτικότητα και Αξιοπιστία

Περιγραφή
Αυτό το HEXFET® Το Power MOSFET έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές Sustain, Ανάκτησης Ενέργειας & Διακόπτη Διέλευσης σε
Πάνελ Οθόνης Πλάσματος. Αυτό το MOSFET χρησιμοποιεί τις τελευταίες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχει χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης ανά περιοχή πυριτίου
και χαμηλό EPULSE ονομαστική τιμή. Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του MOSFET είναι η θερμοκρασία λειτουργίας σύνδεσης 175°C και η υψηλή
δυνατότητα επαναλαμβανόμενου ρεύματος κορυφής. Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτό το MOSFET μια εξαιρετικά αποδοτική, ανθεκτική και αξιόπιστη
συσκευή για εφαρμογές οδήγησης PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch

Απόλυτες Μέγιστες Ονομαστικές Τιμές
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch
Θερμική Αντίσταση
 IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ TJ = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Κεντρικές παραμέτρους βελτιστοποιημένες για εφαρμογές PDP Sustain Energy Recovery και Pass Switch