logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRFP4229PBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRFP4229PBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
ผ่านรู
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
44 ก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
310 ว
แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
250 โวลต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Chip

,

แอปพลิเคชันสวิตช์แบบพาส MOSFET

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IRFP4229PBF เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักปรับให้เหมาะสมสำหรับ PDP Sustain


คุณสมบัติ
เทคโนโลยีขั้นสูง
พารามิเตอร์หลักปรับให้เหมาะสมสำหรับ PDP Sustain, Energy Recovery และ Pass Switch Applications
E ต่ำPULSE Rating เพื่อลดการสูญเสียพลังงานใน PDP Sustain, Energy Recovery และ Pass Switch Applications
Q ต่ำG สำหรับการตอบสนองที่รวดเร็ว
ความสามารถกระแส Peak ซ้ำสูงเพื่อการทำงานที่เชื่อถือได้
เวลา Fall และ Rise สั้นสำหรับการสลับที่รวดเร็ว
อุณหภูมิ Junction การทำงาน 175°C เพื่อความทนทานที่ดีขึ้น
ความสามารถ Avalanche ซ้ำเพื่อความแข็งแกร่งและความน่าเชื่อถือ

คำอธิบาย
HEXFET นี้® Power MOSFET ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับ Sustain; Energy Recovery & Pass switch applications ใน
Plasma Display Panels. MOSFET นี้ใช้เทคนิคการประมวลผลล่าสุดเพื่อให้ได้ค่า on-resistance ต่อพื้นที่ซิลิคอนต่ำ
และ E ต่ำPULSE rating. คุณสมบัติเพิ่มเติมของ MOSFET นี้คืออุณหภูมิ Junction การทำงาน 175°C และ
ความสามารถกระแส Peak ซ้ำสูง. คุณสมบัติเหล่านี้รวมกันทำให้ MOSFET นี้มีประสิทธิภาพสูง แข็งแกร่ง และน่าเชื่อถือ
สำหรับแอปพลิเคชันขับ PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP

Absolute Maximum Ratings
IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP
Thermal Resistance
 IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP

Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
IRFP4229PBF Infineon Chip เทคโนโลยีขั้นสูง พารามิเตอร์หลักที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบพาสและการกู้คืนพลังงานของ PDP