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IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

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IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRFP4229PBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRFP4229PBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

Temperatura operativa:

-40°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

310 w

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:

250 V

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Infineon Chip

Pass Switch Application MOSFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFP4229PBF Tecnologia di processo avanzata Parametri chiave ottimizzati per il sustain del PDP

Caratteristiche

Tecnologia di processo avanzata

Parametri chiave ottimizzati per applicazioni di sustain del PDP, recupero di energia e switch di passaggio

Basso EPULSEValutazione per ridurre la dissipazione di potenza nelle applicazioni di sustain del PDP, recupero di energia e switch di passaggio

Basso QGper una risposta rapida

Elevata capacità di corrente di picco ripetitiva per un funzionamento affidabile

Tempi di caduta e salita brevi per una commutazione rapida

Temperatura di giunzione operativa di 175°C per una maggiore robustezza

Capacità di valanga ripetitiva per robustezza e affidabilità

Descrizione

Questo HEXFET®Power MOSFET è specificamente progettato per applicazioni di sustain; recupero di energia e switch di passaggio in

Pannelli a plasma. Questo MOSFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza on per area di silicio

e basso EPULSEvalutazione. Ulteriori caratteristiche di questo MOSFET sono la temperatura di giunzione operativa di 175°C e l'elevata

capacità di corrente di picco ripetitiva. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo MOSFET un dispositivo altamente efficiente, robusto e affidabile

dispositivo per applicazioni di pilotaggio PDP

Valori nominali massimi assoluti

Resistenza termica

Caratteristiche elettriche @ TJ= 25°C (se non diversamente specificato)

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

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Perline LED TSLC Semileds

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