Infineon चिप IRFP4229PBF उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी मुख्य पैरामीटर PDP सस्टेन के लिए अनुकूलित
विशेषताएं
उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
PDP सस्टेन, ऊर्जा रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित मुख्य पैरामीटर
कम Eपूर्ण अधिकतम रेटिंगPDP सस्टेन, ऊर्जा रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों में बिजली अपव्यय को कम करने के लिए रेटिंग
कम QGतेज प्रतिक्रिया के लिए
विश्वसनीय संचालन के लिए उच्च पुनरावृत्ति पीक करंट क्षमता
तेज स्विचिंग के लिए शॉर्ट फॉल और राइज टाइम
बेहतर मजबूती के लिए 175°C ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान
मजबूती और विश्वसनीयता के लिए पुनरावृत्ति हिमस्खलन क्षमता
विवरण
यह HEXFET®पावर MOSFET विशेष रूप से प्लाज्मा डिस्प्ले पैनल में सस्टेन; एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह MOSFET सिलिकॉन क्षेत्र और कम E के लिए कम ऑन-रेसिस्टेंस प्राप्त करने के लिए नवीनतम प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है
PULSE
रेटिंग। इस MOSFET की अतिरिक्त विशेषताओं में 175°C ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान और उच्च पुनरावृत्ति पीक करंट क्षमता शामिल हैं। ये विशेषताएं इस MOSFET को PDP ड्राइविंग अनुप्रयोगों के लिए एक अत्यधिक कुशल, मजबूत और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैंपूर्ण अधिकतम रेटिंगथर्मल प्रतिरोध