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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित

IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
IRFP4229PBF
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
होल के माध्यम से
निरंतर नाली वर्तमान:
44 ए
परिचालन तापमान:
- 40 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
310 डब्ल्यू
ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:
250 वी
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon चिप

,

पास स्विच एप्लीकेशन MOSFET

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IRFP4229PBF उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी मुख्य पैरामीटर PDP सस्टेन के लिए अनुकूलित


विशेषताएं
उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
PDP सस्टेन, ऊर्जा रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित मुख्य पैरामीटर
कम Eपूर्ण अधिकतम रेटिंगPDP सस्टेन, ऊर्जा रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों में बिजली अपव्यय को कम करने के लिए रेटिंग
कम QGतेज प्रतिक्रिया के लिए
विश्वसनीय संचालन के लिए उच्च पुनरावृत्ति पीक करंट क्षमता
तेज स्विचिंग के लिए शॉर्ट फॉल और राइज टाइम
बेहतर मजबूती के लिए 175°C ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान
मजबूती और विश्वसनीयता के लिए पुनरावृत्ति हिमस्खलन क्षमता

विवरण
यह HEXFET®पावर MOSFET विशेष रूप से प्लाज्मा डिस्प्ले पैनल में सस्टेन; एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह MOSFET सिलिकॉन क्षेत्र और कम E के लिए कम ऑन-रेसिस्टेंस प्राप्त करने के लिए नवीनतम प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है
PULSE
रेटिंग। इस MOSFET की अतिरिक्त विशेषताओं में 175°C ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान और उच्च पुनरावृत्ति पीक करंट क्षमता शामिल हैं। ये विशेषताएं इस MOSFET को PDP ड्राइविंग अनुप्रयोगों के लिए एक अत्यधिक कुशल, मजबूत और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैंपूर्ण अधिकतम रेटिंगथर्मल प्रतिरोध
विद्युत विशेषताएँ @ T
J

IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित

= 25°C (जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित
 IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित

IRFP4229PBF Infineon चिप एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी की पैरामीटर्स PDP सस्टेन एनर्जी रिकवरी और पास स्विच अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित