Ürün ayrıntıları

Evde Ürün

Infineon Çip

IRFP4229PBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi Anahtar Parametreleri PDP Sürdürme Enerji Kurtarma ve Geçiş Anahtarı Uygulamaları için Optimize Edilmiştir

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Bizimle İletişim

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Şimdi iletişime geçin

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

IRFP4229PBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi Anahtar Parametreleri PDP Sürdürme Enerji Kurtarma ve Geçiş Anahtarı Uygulamaları için Optimize Edilmiştir

Marka Adı:	Infineon Chip
Model Numarası:	IRFP4229PBF
Adedi:	2500
Paketleme Detayları:	2500 adet/makara
Ödeme Koşulları:	T/T

Detay Bilgisi

Ürün Açıklaması

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Belge:

modeli:

IRFP4229PBF

Ürün adı:

Infineon Çip

Delikten

Sürekli Tahliye Akımı:

44 bir

Çalışma Sıcaklığı:

- 40 °C ~ + 175 °C

Güç Dağılımı:

310 w

Tahliye-Kaynak Arıza Gerilimi:

250 volt

Yetenek temini:

100000

Vurgulamak:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Infineon Çip

Geçiş Anahtarı Uygulaması MOSFET

Ürün Açıklaması

Infineon Çip IRFP4229PBF Gelişmiş İşlem Teknolojisi PDP Sustain için Optimize edilen Anahtar Parametreler

Özellikleri

Gelişmiş Süreç Teknolojisi

PDP Sustain, Energy Recovery ve Pass Switch uygulamaları için optimize edilen ana parametreler

Düşük EPULSPDP Sustain, Energy Recovery ve Pass Switch uygulamalarında güç dağılımını azaltmak için derecelendirme

Düşük QGHızlı Yanıt için

Güvenilir çalışma için yüksek tekrarlayan zirve akım kapasitesi

Hızlı Değişim için Kısa Düşme ve Yükselme Zamanları

175°C'lik çalışma bağlantı sıcaklığı daha sağlamlık sağlar

Güçlü ve güvenilirlik için tekrarlayan çığ yeteneği

Açıklama

Bu HEXFET®Power MOSFET, özellikle Sustain için tasarlanmıştır.

Bu MOSFET, silikon başına düşük bir direnç elde etmek için en son işleme tekniklerini kullanır.

alan ve düşük EPULSBu MOSFET'in ek özellikleri 175°C çalışma bağlantı sıcaklığı ve yüksek

Bu özellikler, bu MOSFET'i yüksek verimli, sağlam ve güvenilir bir

PDP sürüş uygulamaları için cihaz

Mutlak Maksimum Reytingler

Isı Direnci

Elektriksel Özellikler @ TJ= 25°C (başka bir şey belirtilmediği sürece)

Etiketler:

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Ürün ayrıntıları

IRFP4229PBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi Anahtar Parametreleri PDP Sürdürme Enerji Kurtarma ve Geçiş Anahtarı Uygulamaları için Optimize Edilmiştir

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri