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IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem

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IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem
  • Nome

IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IRFP4229PBF
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Descrição do produto
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Documento:
infineon_irfp4229_datasheet...en.pdf
modelo:
IRFP4229PBF
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
Através do buraco
Corrente contínua do dreno:
44 A
Temperatura operacional:
- 40 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
310 w
Tensão de divisão da Dreno-fonte:
250 V
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Chip

,

MOSFET de Aplicação de Chave de Passagem

Descrição do produto

Infineon Chip IRFP4229PBF Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para PDP Sustain


Características
Tecnologia de Processo Avançada
Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Sustain, Recuperação de Energia e Chave de Passagem PDP
Baixo EPULSE Avaliação para Reduzir a Dissipação de Potência em Aplicações de Sustain, Recuperação de Energia e Chave de Passagem PDP
Baixo QG para Resposta Rápida
Alta Capacidade de Corrente de Pico Repetitiva para Operação Confiável
Tempos Curtos de Queda e Subida para Comutação Rápida
Temperatura de Junção Operacional de 175°C para Rugosidade Aprimorada
Capacidade de Avalanche Repetitiva para Robustez e Confiabilidade

Descrição
Este HEXFET® Power MOSFET foi projetado especificamente para aplicações de Sustain; Recuperação de Energia e Chave de Passagem em
Painéis de Plasma. Este MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter baixa resistência em estado ligado por área de silício
e baixo EPULSE avaliação. Recursos adicionais deste MOSFET são a temperatura de junção operacional de 175°C e alta
capacidade de corrente de pico repetitiva. Esses recursos combinados tornam este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável
para aplicações de driver PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem

Classificações Máximas Absolutas
IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem
Resistência Térmica
 IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem

Características Elétricas @ TJ = 25°C (a menos que especificado de outra forma)
IRFP4229PBF Infineon Chip Tecnologia de Processo Avançada Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Recuperação de Energia de Sustentação de PDP e Chave de Passagem
Etiquetas: 

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