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Puce Infineon
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IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage

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IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage
  • Nom

IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRFP4229PBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon_irfp4229_datasheet...en.pdf
modèle:
IRFP4229PBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
Par le trou
Courant continu de drain:
44 A
Température de fonctionnement:
- 40 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
310 W
Tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Chip

,

Application de commutation de passage MOSFET

Description du produit

Technologie de processus avancée Infineon Chip IRFP4229PBF Paramètres clés optimisés pour le maintien du PDP


Caractéristiques
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour les applications de maintien, de récupération d'énergie et de commutation de passage du PDP
Faible EIMPULSIONNote pour réduire la dissipation de puissance dans les applications de maintien, de récupération d'énergie et de commutation de passage du PDP
Faible QGpour une réponse rapide
Capacité de courant de crête répétitif élevée pour un fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide
Température de jonction de fonctionnement de 175 °C pour une robustesse améliorée
Capacité d'avalanche répétitive pour la robustesse et la fiabilité

Description
Ce MOSFET HEXFET®est spécialement conçu pour les applications de maintien, de récupération d'énergie et de commutation de passage dans les
Panneaux d'affichage à plasma. Ce MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l'état passant par surface de silicium
et une faible note EIMPULSION. Les caractéristiques supplémentaires de ce MOSFET sont une température de jonction de fonctionnement de 175 °C et une capacité de courant de crête répétitif élevée.
Ces caractéristiques combinées font de ce MOSFET un appareil très efficace, robuste et fiable
pour les applications de pilotage de PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage

Valeurs maximales absolues
IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage
Résistance thermique
 IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage

Caractéristiques électriques @ TJ= 25 °C (sauf indication contraire)
IRFP4229PBF Infineon Chip Technologie de processus avancée Paramètres clés optimisés pour les applications de récupération d'énergie de maintien PDP et de commutation de passage
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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