logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IRFP4229PBF
نام محصول:
تراشه Infineon
تایپ کنید:
از طریق سوراخ
جریان تخلیه مداوم:
44 الف
دمای عملیاتی:
- 40 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
310 وات
ولتاژ شکست منبع تخلیه:
250 ولت
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon Chip

,

Pass Switch Application MOSFET

توضیحات محصول

تراشه اینفینیون IRFP4229PBF تکنولوژی فرایندهای پیشرفته پارامترهای کلیدی بهینه شده برای PDP Sustain


ویژگی ها
تکنولوژی پیشرفته فرآیند
پارامترهای کلیدی بهینه شده برای برنامه های PDP Sustain، بازیابی انرژی و Pass Switch
E پاییننبضرتبه بندی برای کاهش ضایعات برق در برنامه های PDP Sustain، Energy Recovery و Pass Switch
Q کمGبرای پاسخ سریع
ظرفیت جریان اوج تکراری بالا برای عملکرد قابل اعتماد
زمان سقوط و افزایش کوتاه برای تغییر سریع
175 درجه سانتیگراد دمای اتصال کار برای افزایش مقاومت
توانایی بارندگی تکراری برای پایداری و قابلیت اطمینان

توضیحات
این HEXFET®Power MOSFET به طور خاص برای برنامه های Sustain؛ Energy Recovery & Pass switch در
پانل های صفحه نمایش پلاسما. این MOSFET از آخرین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت کم در هر سیلیکون استفاده می کند
منطقه و کم Eنبضویژگی های اضافی این MOSFET دمای اتصال عملیاتی 175 درجه سانتیگراد و
این ویژگی ها ترکیب می شوند تا این MOSFET را به یک دستگاه بسیار کارآمد، قوی و قابل اعتماد تبدیل کنند.
دستگاه برای برنامه های رانندگی PDP

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

حداکثر امتیازات مطلق
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications
مقاومت حرارتی
 IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

مشخصات الکتریکی @ TJ= 25°C (مگر اینکه مشخص شود)
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications