chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip Infineon

IRFP4229PBF Chip Infineon Công nghệ quy trình tiên tiến Các thông số chính được tối ưu hóa cho ứng dụng PDP phục hồi năng lượng bền vững và chuyển mạch thông qua

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

IRFP4229PBF Chip Infineon Công nghệ quy trình tiên tiến Các thông số chính được tối ưu hóa cho ứng dụng PDP phục hồi năng lượng bền vững và chuyển mạch thông qua

Tên thương hiệu:	Infineon Chip
Số mô hình:	IRFP4229PBF
MOQ:	2500
Chi tiết đóng gói:	2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tài liệu:

người mẫu:

IRFP4229PBF

Tên sản phẩm:

Chip Infineon

Kiểu:

Qua lỗ

Dòng xả liên tục:

Nhiệt độ hoạt động:

- 40°C ~ +175°C

Tản điện:

Điện áp sự cố nguồn thoát nước:

250 V

Khả năng cung cấp:

100000

Làm nổi bật:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Chip Infineon

Pass Switch ứng dụng MOSFET

Mô tả sản phẩm

Công nghệ quy trình tiên tiến của Chip IRFP4229PBF Infineon Các thông số chính được tối ưu hóa cho PDP Sustain

Tính năng

Công nghệ quy trình tiên tiến

Các thông số chính được tối ưu hóa cho các ứng dụng PDP Sustain, Energy Recovery và Pass Switch

E thấpXUNGĐánh giá để giảm tiêu tán năng lượng trong các ứng dụng PDP Sustain, Energy Recovery và Pass Switch

Q thấpGcho phản hồi nhanh

Khả năng dòng đỉnh lặp lại cao cho hoạt động đáng tin cậy

Thời gian rơi và tăng ngắn cho chuyển mạch nhanh

Nhiệt độ mối nối hoạt động 175°C cho độ bền được cải thiện

Khả năng Avalanche lặp lại cho độ bền và độ tin cậy

Mô tả

MOSFET Công suất HEXFET®Power MOSFET này được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng Sustain; Energy Recovery & Pass switch trong

Màn hình Plasma. MOSFET này sử dụng các kỹ thuật xử lý mới nhất để đạt được điện trở bật thấp trên mỗi diện tích silicon

và E thấpXUNGđánh giá. Các tính năng bổ sung của MOSFET này là nhiệt độ mối nối hoạt động 175°C và cao

khả năng dòng đỉnh lặp lại. Những tính năng này kết hợp để làm cho MOSFET này trở thành một thiết bị hiệu quả, bền bỉ và đáng tin cậy

thiết bị cho các ứng dụng điều khiển PDP

Thông số tối đa tuyệt đối

Điện trở nhiệt

Đặc tính điện @ TJ= 25°C (trừ khi có quy định khác)

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

IRFP4229PBF Chip Infineon Công nghệ quy trình tiên tiến Các thông số chính được tối ưu hóa cho ứng dụng PDP phục hồi năng lượng bền vững và chuyển mạch thông qua

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI